凌力爾特公司的 LT®5575 直接轉(zhuǎn)換解調(diào)器實(shí)現(xiàn)了超卓線性度和噪聲性能的完美結(jié)合。
標(biāo)簽： 高線性度 元件 直接轉(zhuǎn)換 接收器
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：mikesering
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統(tǒng)中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個(gè)信號(hào)調(diào)理放大器，但並不是完全獨(dú)立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個(gè)高電壓、低噪聲電源和一個(gè)用於指示信號(hào)強(qiáng)度的精準(zhǔn)電流監(jiān)視器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：zhangyigenius
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對(duì)稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對(duì)試驗(yàn)中使用過的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細(xì)分析對(duì)比。實(shí)驗(yàn)表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級(jí)空間。
標(biāo)簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：watch100
許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時(shí)間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
LTC®3838 是一款雙輸出、兩相降壓型控制器，其采用一種受控恒定導(dǎo)通時(shí)間、谷值電流模式架構(gòu)，可提供快速負(fù)載階躍響應(yīng)、高開關(guān)頻率和低占空比能力。開關(guān)頻率范圍為 200kHz 至 2MHz，其鎖相環(huán)可在穩(wěn)態(tài)操作期間保持固定頻率，并可同步至一個(gè)外部時(shí)鐘
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：uuuuuuu
為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率，開發(fā)設(shè)計(jì)了單燈恒流的供電模式，在每個(gè)路燈上安裝一個(gè)體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實(shí)現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開關(guān)MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯(lián)起來作為負(fù)載，效率達(dá)到了91%以上。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：yczrl
本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設(shè)計(jì)。本設(shè)計(jì)采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設(shè)計(jì)方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數(shù).在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，進(jìn)而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓，再利用SPWM調(diào)制信號(hào)控制逆變器開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分，得到正弦波形，最后利用保護(hù)控制電路使逆變輸出一個(gè)穩(wěn)定的滿足要求的交流波形。
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
新型空調(diào)用PFC的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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