在模擬電路中的地線設計與數字電路中的地線設計，理論上要分開走，這樣可以用不同標準的耦合電容去除，數字電路中的地線是DGND，模擬電路中的地線是AGND，而打磨三諾音箱中的功放部分，是典型的對模擬放大電路的打磨，因此功放中提到的地線就是AGND。
上傳時間： 2013-11-18
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今天，電視機與視訊轉換盒應用中的大多數調諧器采用的都是傳統單變換MOPLL概念。這種調諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數字電視訊號，或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調諧器)。在設計這種調諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現超低成本調諧器參考設計。這種單芯片ULC調諧器整合了射頻和中頻電路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB，進一步降低了系統成本，同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號，可支持幾乎全球所有地區標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調諧器架構圖。該調諧器實際上不僅是一個射頻調諧器，也是一個half NIM，因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換，而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調諧后帶通濾波器電路中，則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。
上傳時間： 2013-11-19
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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針對模塊電源的發展趨勢和有源鉗位電路的工作原理，研究了一種采用磁放大技術和固定伏特秒控制技術的有源鉗位正激軟開關電路，并對該電路的工作過程進行了詳細的理論分析。在此基礎上，設計了一款25 W的電源樣機。經過測試，驗證了該理論分析的正確性，在整個負載范圍內完全實現了主開關管和鉗位開關管的軟開關變換，軟開關實現的條件不依賴于變壓器的參數。在采用肖特基二極管整流的情況下，滿載輸出的轉換效率在89%以上。
上傳時間： 2013-11-04
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在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數的大小有關，在電路的線性工作范圍內，起振時電壓放大倍數比3大得越多，最后的穩定輸出電壓幅值也越大。研究結論有利于系統地研究振蕩電路的構成及電路元件參數的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
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利用單片機MSP430F449設計寬帶直流放大器。采用單片機MSP430F449作為寬帶直流放大器的控制芯片，利用三級放大器級聯的形式實現對輸入小信號的放大。其中MSP430F449 單片機來控制雙路數模轉換器TLV5638實現AD603的程控增益調節和整體后級放大模塊引入的直流的軟件補償，并利用OPA847作為固定增益放大器。通過實驗數據證明整個系統輸出穩定，性能良好。該系統具有可行性和實用性。
上傳時間： 2013-11-07
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針對開關電源中的整流電路和其本身的非線性負載特性產生大量諧波污染公共電網問題，提出了一種高功率因素校正電路。采用英飛凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驅動MOSFET開關管，并與升壓電感、輸出電容等組成Boost拓撲結構，輸入電流與基準電流比較后的誤差電流經過放大，再與PWM波比較，得到開關管驅動信號，快速而精確地使輸入電流平均值與輸入整流電壓同相位，接近正弦波。結果表明，該電路方案能大大減小輸入電流的諧波分量，在AC176V-264V的寬電壓輸入范圍內得到穩定的DC380V輸出，功率因素高達0.98。
上傳時間： 2014-01-25
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
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DETSC/0.4系列可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置，利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關，可實現對多級電容器組的快速過零投切。在TSC裝置電容器支路中串聯適當的電感，可有效防止諧波放大、吸收部分諧波電流，起到諧波抑制的作用。同時該系列裝置采用三相獨立的控制技術有效解決了三相不平衡沖擊負荷補償的技術難題 ，裝置響應時間小于20 ms，實現功率因數補償至0.9以上的目的。是無功補償領域中的升級換代產品。主要適用于工礦企業、石油、汽車、造船、發電廠、變電站、鋼鐵、冶金、化工、建筑、通信醫院機場等負荷頻繁變化的場所。
上傳時間： 2013-10-18
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為了提高稀土超磁致伸縮換能器驅動電源的效率以及實用性，采用DSP器件TMS320F2812作為主控芯片，結合混合脈寬調制方法實現SPWM波形。采用半橋型逆變電路實現SPWM的功率放大，并對隔離驅動電路、反饋電路和濾波匹配電路進行合理而有效的設計，保證了換能器的輸出效能。同時使用電流控制頻率的方法實現諧振頻率的自動跟蹤。實驗證明，該驅動電路輸出頻率穩定，波形失真度低，且能量轉換效率較高。
上傳時間： 2013-10-30
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