兩級(jí)甲類功放
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶：wangzhen1990
集成電路圖
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：gououo
為了幫助廣大電子愛好者了解、掌握AV功放的電路結(jié)構(gòu)、工作原理和維修特點(diǎn)，本刊特約有關(guān)作者編寫了“AV功放原理與維修”的講座，擬就AV功放的前置處理電路、卡拉OK電路、杜比定向邏輯解碼器、DSP和SRS聲場處理電路、熒光屏顯示與驅(qū)動(dòng)電路、頻譜均衡控制與顯示電路、電源電路、遙控與微電腦控制電路、功率放大電路的原理與AV功放維修方面的問題與大家交流。歡迎廣大讀者關(guān)注并參與探討。
上傳時(shí)間： 2013-11-01
上傳用戶：wanqunsheng
在無線通信系統(tǒng)全面進(jìn)入3G并開始邁向 4G的過程中，使用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)（Digital Pre-distortion，以下簡稱DPD）對發(fā)射機(jī)的功放進(jìn)行線性化是一門關(guān)鍵技術(shù)。功率放大器是通信系統(tǒng)中影響系統(tǒng)性能和覆蓋范圍的關(guān)鍵部件，非線性是功放的固有特性。非線性會(huì)引起頻譜增長(spectral re-growth)，從而造成鄰道干擾，使帶外雜散達(dá)不到協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。非線性也會(huì)造成帶內(nèi)失真，帶來系統(tǒng)誤碼率增大的問題。
標(biāo)簽： DPD 數(shù)字預(yù)失真 算法 驗(yàn)證方案
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：yy_cn
本課題主要研究對象為數(shù)字預(yù)失真技術(shù)中的功放模型的建立及數(shù)字預(yù)失真算法的研究。功放的數(shù)學(xué)模型主要分為無記憶模型和記憶模型，分析了不同模型的參數(shù)估計(jì)的方法。針對以往常見的模型反轉(zhuǎn)數(shù)字預(yù)失真算法，課題分析并使用了新穎的間接學(xué)習(xí)(indirect learning)數(shù)字預(yù)失真算法，從而有效避免了無法對功放模型進(jìn)行求逆的缺陷，并在此架構(gòu)下仿真了不同功放模型的參數(shù)估計(jì)對于數(shù)字預(yù)失真效果的影響。針對WCDMA移動(dòng)通信基站系統(tǒng)中使用的寬帶功率放大器，使用ADS和MATLAB軟件聯(lián)合仿真的形式來評估整個(gè)DPD系統(tǒng)的性能并使用實(shí)際功放進(jìn)行了測試。
標(biāo)簽： 寬帶 射頻功率放大器 數(shù)字預(yù)失真 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：問題問題
cv181l-a-20
標(biāo)簽： Specification_V 181 1.0 L-A
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：daijun20803
在模擬電路中的地線設(shè)計(jì)與數(shù)字電路中的地線設(shè)計(jì)，理論上要分開走，這樣可以用不同標(biāo)準(zhǔn)的耦合電容去除，數(shù)字電路中的地線是DGND，模擬電路中的地線是AGND，而打磨三諾音箱中的功放部分，是典型的對模擬放大電路的打磨，因此功放中提到的地線就是AGND。
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：1037540470
諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：packlj
LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：我累個(gè)乖乖
設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
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