里面包含多種功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三極管和二極管等構成。
標簽： 功率放大器
上傳時間： 2016-12-06
上傳用戶：bestjgc
電力電子技術包括功率半導體器件與1C技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面，其中電力電子器件是電力電子技術的重要基礎，也是電力電子技術發展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣（GE）公司研制出世界上第一個工業用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉的變流機組和靜止的離子變流器進入由電力電子器件構成的變流器時代，這標志著電力電子技術的誕生。到了70年代，晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產品。同時，非對稱晶閘管、逆導晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世，廣泛應用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應快等優點，其研制及應用得到了飛速發展。由于普通晶閘管不能自關斷，屬于半控型器件，因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下，隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發展，先后出現了GTR，GTO、功率MOSET等自關斷、全控型器件，被稱為第二代電力電子器件。近年來，電力電子器件正朝著復合化、模塊化及功率集成的方向發展，如IGPT，MCT，HVIC等就是這種發展的產物
上傳時間： 2022-06-19
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在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間： 2013-11-19
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單相橋式逆變電路為例：S1～S4是橋式電路的4個臂，由電力電子器件及輔助電路組成。S1、S4閉合，S2、S3斷開時，負載電壓uo為正S1；S1、S4斷開，S2、S3閉合時，uo為負，把直流電變成了交流電。改變兩組開關切換頻率，可改變輸出交流電頻率。圖5-1 逆變電路及其波形舉例電阻負載時，負載電流io和uo的波形相同，相位也相同。阻感負載時，io滯后于uo，波形也不同（圖5-1b）。t1前：S1、S4通，uo和io均為正。t1時刻斷開S1、S4，合上S2、S3，uo變負，但io不能立刻反向。io從電源負極流出，經S2、負載和S3流回正極，負載電感能量向電源反饋，io逐漸減小，t2時刻降為零，之后io才反向并增大 （2）換流方式分類換流——電流從一個支路向另一個支路轉移的過程，也稱換相。開通：適當的門極驅動信號就可使其開通。關斷：全控型器件可通過門極關斷。半控型器件晶閘管，必須利用外部條件才能關斷，一般在晶閘管電流過零后施加一定時間反壓，才能關斷。研究換流方式主要是研究如何使器件關斷。本章換流及換流方式問題最為全面集中，因此在本章講述1、器件換流利用全控型器件的自關斷能力進行換流（Device Commutation）。2、電網換流由電網提供換流電壓稱為電網換流（Line Commutation）。可控整流電路、交流調壓電路和采用相控方式的交交變頻電路，不需器件具有門極可關斷能力，也不需要為換流附加元件。3、負載換流由負載提供換流電壓稱為負載換流（Load Commutation）。負載電流相位超前于負載電壓的場合，都可實現負載換流。負載為電容性負載時，負載為同步電動機時，可實現負載換流。
上傳時間： 2013-10-15
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MCP3905/6 電能表集成電路（Intergrated Circuits，IC）為單相家用電表設計提供有功功率測量。這些器件包含符合國際電工委員會（International Electrotechnical Commission，IEC）所要求的特性，如空載門限和啟動電流。此外， MCP3905/6 電表參考設計還給出了根據IEC標準的要求通過EMC抗干擾的系統級設計的例子。 本應用筆記中使用的電表參考設計演示板進行了IEC 認證要求的EMC 測試。這些測試由第三方進行，測試結果見本應用筆記的末尾。
上傳時間： 2013-10-17
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MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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最新功率半導體器件應用技術
上傳時間： 2013-05-23
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最新功率半導體器件應用技術
上傳時間： 2013-07-09
上傳用戶：eeworm
專輯類-開關電源相關專輯-119冊-749M 最新功率半導體器件應用技術-259頁-3.4M.pdf
上傳時間： 2013-06-07
上傳用戶：czh415
專輯類-實用電子技術專輯-385冊-3.609G 最新功率半導體器件應用技術-259頁-3.4M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
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