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功率因數(shù)(shù)轉(zhuǎn)(zhuǎn)換器

  • 理解功率MOSFET的RDS

    深入理解理解功率MOSFET的RDSON

    標(biāo)簽: MOSFET RDS 功率

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:zjwangyichao

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 功率解耦的單相光伏并網(wǎng)逆變器

    太陽(yáng)能AC模塊逆變器是近年來(lái)發(fā)展非??斓募夹g(shù),本文提出一種新型的基于反激 變換器的逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,通過(guò)Zeta電路將功率脈動(dòng)轉(zhuǎn)換成小容量電容上的 電壓脈動(dòng)。大大減小了直流輸入側(cè)的低頻諧波電流,實(shí)現(xiàn)了良好的功率解耦。相比較其他AC模 塊逆變器中使用大電容進(jìn)行功率解耦的方法, 既節(jié)省了成本又減小了體積。文中采用峰值電流控 制方案,使逆變器能夠輸出純正弦的并網(wǎng)電流波形和單位功率因數(shù)。最后通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn) 證了所提新型逆變器的有效性和可行性。 關(guān)鍵詞 光伏系統(tǒng) AC模塊 反激變換器 功率解耦 1 引言 隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,人類對(duì)能源的需求 日益增長(zhǎng),傳統(tǒng)化石能源的大量消耗使全球面臨著 能源危機(jī)l1-2]。因此世界各國(guó)正在致力于新能源的 開發(fā)和使用。太陽(yáng)能、風(fēng)能、地?zé)崮芎统毕艿饶?源形式都可以為人類所利用,而這其中太陽(yáng)能以其 資源豐富、分布廣泛、可以再生以及不污染環(huán)境等 優(yōu)點(diǎn),受到學(xué)者們的高度重視。 太陽(yáng)能光伏發(fā)電是一種將太陽(yáng)光輻射能通過(guò)光 伏效應(yīng),經(jīng)太陽(yáng)能電池直接轉(zhuǎn)換為電能的新型發(fā)電 技術(shù)_3 。目前太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)主要分為分散式獨(dú) 立發(fā)電系統(tǒng)和并網(wǎng)式發(fā)電系統(tǒng)l4j。其中后者省略 了直流環(huán)節(jié)的蓄電池組,對(duì)電能的利用更加靈活, 具有很好的發(fā)展前景。在光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中,逆變器 決定著系統(tǒng)的效率以及輸出電流波形的質(zhì)量,是整 個(gè)光伏發(fā)電系統(tǒng)的技術(shù)核心,因此研究開發(fā)新型高 效逆變器成為越來(lái)越多學(xué)者關(guān)注的焦點(diǎn)。 光伏逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)多種多樣,過(guò)去主要是 集中式逆變器, 目前應(yīng)用較多的是串聯(lián)式逆變器和 多組串聯(lián)式逆變器[5-7 3。AC模塊逆變器是近幾年 來(lái)比較熱門的技術(shù)l8。 。在這種系統(tǒng)中,每組光電 模塊和一個(gè)逆變器集成到一起,形成一個(gè)AC模 塊,再將所有AC模塊的輸出并聯(lián)到一起接入電 網(wǎng)。這樣就消除了傳統(tǒng)逆變器中,由于逆變器和光 伏模塊不匹配而造成的功率損失。

    標(biāo)簽: 功率解耦 光伏并網(wǎng) 單相 逆變器

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

    上傳用戶:liujinzhao

  • DCDC模塊電源額定功率與封裝的選擇與應(yīng)用

    DCDC模塊電源額定功率與封裝的選擇與應(yīng)用

    標(biāo)簽: DCDC 模塊電源 封裝 額定功率

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:15070202241

  • SM7503高性能原邊反饋控制功率開關(guān)芯片

    SM7503是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開關(guān)芯片,在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出,精度均小于±3℅,并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片內(nèi)部集成了高壓功率開關(guān)、逐周期峰值電流限制、VDD過(guò)壓保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)、VDD電壓嵌位等完善的保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)的可靠性。封裝形式:SOP8

    標(biāo)簽: 7503 SM 性能 反饋控制

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:李哈哈哈

  • SM8502高性能離線式功率開關(guān)

    SM8502是應(yīng)用于小功率AC/DC開關(guān)電源系統(tǒng)的高性能離線式功率開關(guān)。內(nèi)置高壓功率三極管,采用原邊反饋控制技術(shù),在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)輸出恒壓精度小于±5℅,恒流精度小于±10℅。并且可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等完善的保護(hù)功能以提高系統(tǒng)的可靠性。SOP8、HDIP4的封裝形式。

    標(biāo)簽: 8502 SM 性能 功率開關(guān)

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:極客

  • SM7505高性能原邊反饋控制功率開關(guān)芯片

    SM7505是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開關(guān)芯片,在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出,精度均小于±3℅,并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片內(nèi)部集成了高壓功率開關(guān)、逐周期峰值電流限制、VDD過(guò)壓保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)、VDD電壓嵌位等完善的保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)的可靠性。內(nèi)置輸出線壓降補(bǔ)償和前沿消隱電路(LEB),SOP8的封裝形式。主要應(yīng)用于LED照明驅(qū)動(dòng),小功率電源配適器,電腦、電視等產(chǎn)品的輔助電源或待機(jī)電源等

    標(biāo)簽: 7505 SM 性能 反饋控制

    上傳時(shí)間: 2013-12-12

    上傳用戶:咔樂(lè)塢

  • IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

    IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

    標(biāo)簽: MOSFET IGBT 功率模塊 應(yīng)用手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:JasonC

  • 開關(guān)功率器件的測(cè)試示波器

    開關(guān)功率器件的測(cè)試示波器

    標(biāo)簽: 開關(guān)功率器件 測(cè)試 示波器

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:chongchong1234

  • 跟我學(xué)數(shù)字電子技朮

    數(shù)字電子技朮

    標(biāo)簽:

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶:1101055045

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