本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問(wèn)題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶(hù)：lijinchuan
利用四分之三波長(zhǎng)折疊微帶線(xiàn)與四分之一波長(zhǎng)微帶線(xiàn)級(jí)聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長(zhǎng)短路線(xiàn)，設(shè)計(jì)出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計(jì)參數(shù)方程，并通過(guò)HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測(cè)量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時(shí)達(dá)到20 dB。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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出了一種新型的低成本單相在線(xiàn)不間斷電源（UPS）。該系統(tǒng)包括具有功率因數(shù)校正（PFC）功能的整流/升壓轉(zhuǎn)換器和連接到DC-Link總線(xiàn)的兩橋臂逆變器，電池組通過(guò)一個(gè)非常簡(jiǎn)單的系統(tǒng)可直接連接到DC-Link總線(xiàn)。采用6開(kāi)關(guān)管的架構(gòu)，相對(duì)于傳統(tǒng)的8開(kāi)關(guān)管全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的系統(tǒng)降低了成本。即使在非線(xiàn)性負(fù)載下，該系統(tǒng)仍具有功率密度高和高品質(zhì)輸出電壓的特點(diǎn)。最后詳細(xì)描述了電路操作、分析以及模擬和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶(hù)：雨出驚人love
利用v自步離散法，得到變換器輸入控制變量與狀態(tài)變量之間的直接映射關(guān)系，基于混雜系統(tǒng)理論分析系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基礎(chǔ)上，結(jié)合非線(xiàn)性預(yù)測(cè)控制算法，通過(guò)模型預(yù)測(cè)系統(tǒng)的輸出，利用反饋校正誤差，給出二次型性能指標(biāo)的優(yōu)化計(jì)算方法，并由此設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)控制器。最后，以Buck功率變換器為研究對(duì)象，通過(guò)與峰值電流控制算法的仿真結(jié)果進(jìn)行比較，驗(yàn)證模型的正確性以及控制器設(shè)計(jì)的有效性。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶(hù)：teddysha
低功率LED設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的電源調(diào)節(jié)、 由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)的能量變換以及通常由市場(chǎng)接受度設(shè)定的有效負(fù)載控制（其中包括調(diào)光保真度）這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡，用一個(gè)電路即可執(zhí)行全部三項(xiàng)功能。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：cherrytree6
為研究功率型鋰離子電池性能，對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車(chē)輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線(xiàn)性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。
標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶(hù)：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶(hù)：wutong
德州儀器功率電池管理解決方案
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶(hù)：410805624
介紹了一款低成本單進(jìn)三出逆變器的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，硬件成本控制在60元人民幣以?xún)?nèi)時(shí)，可驅(qū)動(dòng)1 kW以下的三相籠式異步電機(jī)?？偨Y(jié)了經(jīng)過(guò)近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)，包括微處理器，功率器件，半橋驅(qū)動(dòng)，過(guò)流保護(hù)，控制方法，試驗(yàn)結(jié)果等方面的內(nèi)容。用該電路實(shí)現(xiàn)的變頻調(diào)速可以因低成本而大大擴(kuò)展其應(yīng)用范圍，稍加修改后可用于直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 逆變器 設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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