SDI 接口是數字串行接口(serial digital interface)的首字母縮寫。串行接口是把數據字的各個比特以及相應的數據通過單一通道順序傳送的接口。由于串行數字信號的數據率很高，在傳送前必須經過處理。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：huyiming139
USB 是英文Universal Serial Bus 的縮寫，中文含義是“通用串行總線”。它是一種應用在PC 領域的新型接口技術。早在1995年，就已經有PC 機帶有USB 接口了，但由于缺乏軟件及硬件設備的支持，這些PC 機的USB 接口都閑置未用。
上傳時間： 2013-10-20
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文中介紹了該接口的硬件電路和軟件設計方法，充分利用南京沁恒公司提供的資源，大大降低了軟件設計的難度，提高了工作效率。在1KW碟式斯特林太陽能熱發電裝置中得到了應用，實踐證明，該USB接口工作穩定、可靠，成本較低，取得了良好的應用效果。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：JamesB
該文介紹了單片機+SPC3的從站接口的軟硬件設計方法，并通過組態軟件+CP5611卡的方式和串口模擬主站兩種方式搭建主站．測試從站的通信功能．同時為不同需求的開發者提供了較為合理的從站調試方法和報文分析。
標簽： PROFIBUS-DP 嵌入式 接口的設計
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：molo
Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：immanuel2006
隨著嵌入式系統的迅速發展，其應用環境的廣泛性，復雜性對構建于系統上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410處理器平臺上，針對FLASH閃存設備在嵌入式系統中的應用，詳細分析FLASH閃存設備的接口設計方法，并針對FLASH接口特點，提出Linux環境下NorFLASH和 NandFLASH的驅動開發流程，給出詳細的代碼分析。
標簽： NandFLASH NorFLASH 接口設計 驅動開發
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：木子葉1
本文介紹的系統是一個以PowerPC 405為微處理器，基于VME總線的以太網接口設備，它通過以太網和VME總線接口，實現VME系統與外部局域網的實時數據交換。
上傳時間： 2014-01-16
上傳用戶：xymbian
LVDS、xECL、CML（低電壓差分信號傳輸、發射級耦合邏輯、電流模式邏輯）………4多點式低電壓差分信號傳輸(M-LVDS) ……………………………………………………8數字隔離器 ………………………………………………………………………………10RS-485/422 …………………………………………………………………………………11RS-232………………………………………………………………………………………13UART（通用異步收發機）…………………………………………………………………16CAN（控制器局域網）……………………………………………………………………18FlatLinkTM 3G ………………………………………………………………………………19SerDes（串行G 比特收發機及LVDS）……………………………………………………20DVI（數字視頻接口）/PanelBusTM ………………………………………………………22TMDS（最小化傳輸差分信號） …………………………………………………………24USB 集線器控制器及外設器件 …………………………………………………………25USB 接口保護 ……………………………………………………………………………26USB 電源管理 ……………………………………………………………………………27PCI Express® ………………………………………………………………………………29PCI 橋接器 …………………………………………………………………………………33卡總線 (CardBus) 電源開關 ………………………………………………………………341394 (FireWire®, 火線®) ……………………………………………………………………36GTLP (Gunning Transceiver Logic Plus，體效應收發機邏輯+) ………………………………39VME（Versa Module Eurocard）總線 ………………………………………………………41時鐘分配電路 ……………………………………………………………………………42交叉參考指南 ……………………………………………………………………………43器件索引 …………………………………………………………………………………47技術支持 …………………………………………………………………………………48 德州儀器（TI）為您提供了完備的接口解決方案，使得您的產品別具一格，并加速了產品面市。憑借著在高速、復合信號電路、系統級芯片 (system-on-a-chip ) 集成以及先進的產品開發工藝方面的技術專長，我們將能為您提供硅芯片、支持工具、軟件和技術文檔，使您能夠按時的完成并將最佳的產品推向市場，同時占據一個具有競爭力的價格。本選擇指南為您提供與下列器件系列有關的設計考慮因素、技術概述、產品組合圖示、參數表以及資源信息：
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：Jerry_Chow
過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發者遇到更加復雜的挑戰：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過新的產品系列解決了這種模式轉變帶來的問題，該產品系列基于一種更加全面、完整的系統級RF功率技術方法。
上傳時間： 2013-11-25
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主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉換成與E類放大器相同的結構，MOS管工作在軟開關狀態，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應用，給出了的設計實例。ADS仿真結果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設計預期。
上傳時間： 2014-02-10
上傳用戶：yczrl
