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功率放大元器件

  • 中大功率IGBT驅(qū)動(dòng)及串并聯(lián)特性應(yīng)用研究

    本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路原理和要求的基礎(chǔ)上,對(duì)EXB841,M57962AL,2SD315A等幾種驅(qū)動(dòng)電路的工作特性進(jìn)行了比較。并針對(duì)用于輕合金表面防護(hù)處理的特種脈沖電源主功率開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路運(yùn)行中存在的問題對(duì)驅(qū)動(dòng)電路提出了功能改進(jìn)和擴(kuò)展方案,進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)調(diào)試,并成功地應(yīng)用于不同功率容量1GBT模塊的驅(qū)動(dòng),運(yùn)行情況良好,提高了電源的可靠性。針對(duì)電源設(shè)備的進(jìn)一步功率擴(kuò)容要求,采用IGBT模塊串、并聯(lián)運(yùn)行方案。對(duì)并聯(lián)模塊的均流、同步觸發(fā)、散熱、布局、布線等問題進(jìn)行了詳細(xì)的分析和討論,同時(shí)也討論了串聯(lián)模塊的均壓、驅(qū)動(dòng)等問題,并用仿真電路對(duì)串并聯(lián)模塊的工作特性進(jìn)行了仿真分析。最后將IGBT串并聯(lián)方案成功地應(yīng)用于表面處理特種電源中,實(shí)際運(yùn)行表明1GBT模塊的串并聯(lián)擴(kuò)容是可行的。關(guān)鍵i:IGBT,驅(qū),串聯(lián),并聯(lián)功率開關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占據(jù)核心的位置,它的可靠工作是整個(gè)裝置正常運(yùn)行的基本條件。[1)在主電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)和功率開關(guān)器件選取合理的前提下,如何可靠地驅(qū)動(dòng)和保護(hù)主開關(guān)器件顯得十分關(guān)鍵。功率開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路是主電路與控制電路之間的接口,是電力電子裝置的重要部分,對(duì)整個(gè)設(shè)備的性能有很大的影響,其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件。簡而言之,驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)就是將控制電路傳來的信號(hào),轉(zhuǎn)換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導(dǎo)通和關(guān)斷的信號(hào)。同樣的器件,采用不同的驅(qū)動(dòng)電路將得到不同的開關(guān)特性。采用性能良好的驅(qū)動(dòng)電路可以使功率開關(guān)器件工作在比較理想的開關(guān)狀態(tài),同時(shí)縮短開關(guān)時(shí)間,減小開關(guān)損耗,對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能,因此驅(qū)動(dòng)電路的合理化設(shè)計(jì)顯得越來越重要。

    標(biāo)簽: igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

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  • 電子元器件系列知識(shí)—IGBT

    一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1,Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大,通過光耦隔離后的信號(hào)需通過Q1,Q2 推挽放大。選擇Q1,Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大,因此IGBT 關(guān)斷時(shí),最好加一個(gè)負(fù)偏電壓,且負(fù)偏電壓比MOSFET 大, IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi);開通時(shí),驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10% ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和,這時(shí)通態(tài)壓降也比較低,同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ,則IGBT 通態(tài)損耗較大, IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài);若 VGE >20V ,則難以實(shí)現(xiàn)電流的過流、短路保護(hù),影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小,一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問題。但對(duì)于大功率IGBT ,或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓,柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f對(duì)一般情況 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,則 PAV 簡化為: PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為:

    標(biāo)簽: 電子元器件 igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-21

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  • 微波功率合成技術(shù)

    微波功率合成技術(shù)

    標(biāo)簽: 微波功率 合成技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 高功率激光加工及其應(yīng)用

    高功率激光加工及其應(yīng)用

    標(biāo)簽: 高功率 激光加工

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 高功率連續(xù)CO2激光器

    高功率連續(xù)CO2激光器

    標(biāo)簽: CO2 高功率 激光器

    上傳時(shí)間: 2013-06-21

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  • 新型貼片電子元器件速查手冊(cè) 清晰書簽版

    新型貼片電子元器件速查手冊(cè) 清晰書簽版

    標(biāo)簽: 貼片 電子元器件 速查手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 東光元器件樣本

    東光元器件樣本

    標(biāo)簽: 元器件 樣本

    上傳時(shí)間: 2013-06-14

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  • 貼片元器件應(yīng)用手冊(cè) 書簽版

    貼片元器件應(yīng)用手冊(cè) 書簽版

    標(biāo)簽: 貼片元器件 應(yīng)用手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 上海豐寶電子元器件樣本 熔斷器 壓敏電阻 ++

    上海豐寶電子元器件樣本 熔斷器 壓敏電阻 ++

    標(biāo)簽: 樣本 壓敏電阻 電子元器件

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 由功率確定鐵心尺寸軟件

    由功率確定鐵心尺寸軟件

    標(biāo)簽: 功率 尺寸 軟件

    上傳時(shí)間: 2013-06-22

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