一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1,Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大,通過光耦隔離后的信號(hào)需通過Q1,Q2 推挽放大。選擇Q1,Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大,因此IGBT 關(guān)斷時(shí),最好加一個(gè)負(fù)偏電壓,且負(fù)偏電壓比MOSFET 大, IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi);開通時(shí),驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10% ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和,這時(shí)通態(tài)壓降也比較低,同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ,則IGBT 通態(tài)損耗較大, IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài);若 VGE >20V ,則難以實(shí)現(xiàn)電流的過流、短路保護(hù),影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小,一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問題。但對(duì)于大功率IGBT ,或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓,柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f對(duì)一般情況 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,則 PAV 簡化為: PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為:
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電子元器件
igbt
上傳時(shí)間:
2022-06-21
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