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射頻功率放大器存在于各種現代無線通信系統的末端，所以射頻功率放大器性能的優劣直接影響到整個通信系統的性能指標。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來國內外的研究熱點，在射頻功率放大器的設計過程中這是非常重要的問題。 作為發射機末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務是給負載天線提供一定功率的發射信號，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號條件下。所以設計射頻功率放大器時，器件的選型和設計方式都和一般的小信號放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設計過程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問題，所以射頻功率放大器的設計難度很大。 本文設計了一個工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實際的過程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術來達到最終的設計目標。 本文首先介紹了關于射頻功率放大器的一些基礎理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實現阻抗變換的基本原理，S參數等，這些是設計射頻功率放大器的基本理論依據。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產生的原因，在此基礎上介紹了幾種線性化技術并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術指標并提出一種具體的設計方案，最后利用ADS軟件對設計方案進行了仿真。仿真過程包括兩個步驟，首先是進行直流仿真來確定功放管的靜態工作點，然后進行功率增益即S21的仿真并達到設計要求。
標簽： 射頻功率放大器 線性 方法研究
上傳時間： 2013-07-28
上傳用戶：gtf1207
本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網絡參數 1.1 傳統的網絡參數 1.2 散射參數 1.3 雙口網絡參數間轉換 1.4 雙口網絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網絡 1.5.2 π形和T形網絡 1.6 具有公共端口的三口網絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網絡 5.3 四口網絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩定性 6.3 穩定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩定的頻域 6.3.3 一些穩定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯電容的E類 7.5 具有并聯電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網絡 8.4 具有傳輸線的匹配網絡 8.5 有耗匹配網絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
標簽： 射頻 微波功率 放大器設計
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：W51631
采用89S52 單片機通過交流電信號過零檢測、同步控制可控硅的導通角的方式實現功率的無級控制。所設計的控制器的功率可任意設置，并具有數碼管顯示功能和定時開關控制功能，此外，控制器上的串行口可實
標簽： 89S52 單片機 功率 制器設計
上傳時間： 2013-07-30
上傳用戶：aix008
當電磁爐負載（鍋具）的大小和材質發生變化時，負載的等效電感會發生變化，這將造成電磁爐主電路諧振頻率變化，這樣電磁爐的輸出功率會不穩定，常會使功率管IGBT過壓損壞。針對這種情況，本文提出了一種雙閉環控制結構和模糊控制方法，使負載變化時保持電磁爐的輸出功率穩定。實際運行結果證明了該設計的有效性和可靠性
標簽： 電磁爐 功率控制 諧振電路
上傳時間： 2013-08-02
上傳用戶：yw14205
· 摘要： 提出并設計了一種新型音頻功率放大器.該系統通過高速采樣,多采樣率的插值運算,半帶低通濾波以及∑-△調制,將音頻PCM信號轉換成二進制序列,經過高速開關管還原出具有原始功率譜的功率信號.該功率放大器具有D類數字功放高效率特點的同時,能夠保證高保真的還原性,并且具有進一步提升信噪比的空間.
標簽： DSP 數字音頻 功率放大器
上傳時間： 2013-05-28
上傳用戶：assss
首先把功率管的小信號S參數制成S2P文件,然后將其導入ADS軟件中,在ADS中搭建功率管的輸入輸出端口匹配電路,按照最大增益目標對整個電路進行優化,最后完成電路的設計。
標簽： 小信號 S參數 功率 放大器設計
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：zhangfx728
利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩定，性能可靠
標簽： 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
這里本站向大家介紹的逆變器（見圖1）主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。它的輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
標簽： MOS 電源變壓器 場效應管 逆變器
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：農藥鋒6
主要特點管腳完全與三星9454兼容8位CISC型內核（MC05）4K byte OTP ROM208 byte RAM3組IO口（最多可支持17個通用IO口和1個輸入口）1個PWM輸出1個8位基本定時器1個8位帶比較輸出的定時器1個10位ADC（9路輸入）2個外中斷、1個定時器中斷、1個PWM中斷看門狗復位功能3V低壓復位可選晶振/RC振蕩晶振400K-8MHzRC振蕩有3.2MHz（@5V，typ.）、8MHz（@5V，typ.）、外接電阻電容3種可選
標簽： 9454 10P OTP P23
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：Jerry_Chow
主要特點管腳完全與三星9454兼容8位CISC型內核（MC05）4KbyteOTPROM208byteRAM3組IO口（最多可支持17個通用IO口和1個輸入口）1個PWM輸出1個8位基本定時器1個8位帶比較輸出的定時器1個10位ADC（9路輸入）2個外中斷、1個定時器中斷、1個PWM中斷看門狗復位功能3V低壓復位可選晶振/RC振蕩晶振400K-8MHzRC振蕩有3.2MHz（@5V，typ.）、8MHz（@5V，typ.）、外接電阻電容3種可選工作電壓2.2-5.5V（工作頻率400K-4MHz）2.4-5.5V（工作頻率4M-8MHz）工作溫度-40-85℃封裝形式：MC10P2320S:SOP20MC10P2320D:DIP20MC10P2316S:SOP16MC10P2316D:DIP20MC10P2308S:SOP8MC10P2308D:DIP8
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：yd19890720
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