SM8502是應(yīng)用于小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的高性能離線式功率開(kāi)關(guān)。內(nèi)置高壓功率三極管，采用原邊反饋控制技術(shù)，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)輸出恒壓精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等完善的保護(hù)功能以提高系統(tǒng)的可靠性。SOP8、HDIP4的封裝形式。
標(biāo)簽： 8502 SM 性能 功率開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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SM7505是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片內(nèi)部集成了高壓功率開(kāi)關(guān)、逐周期峰值電流限制、VDD過(guò)壓保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)、VDD電壓嵌位等完善的保護(hù)功能，以提高系統(tǒng)的可靠性。內(nèi)置輸出線壓降補(bǔ)償和前沿消隱電路（LEB），SOP8的封裝形式。主要應(yīng)用于LED照明驅(qū)動(dòng)，小功率電源配適器，電腦、電視等產(chǎn)品的輔助電源或待機(jī)電源等
上傳時(shí)間： 2013-12-12
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IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)
標(biāo)簽： MOSFET IGBT 功率模塊 應(yīng)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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開(kāi)關(guān)功率器件的測(cè)試示波器
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)功率器件 測(cè)試 示波器
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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提出了一種固定開(kāi)關(guān)頻率的三電平PWM整流器的直接功率控制方法。該方法基于空間電壓矢量調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)過(guò)程中有功功率和無(wú)功功率的解耦控制。
標(biāo)簽： PWM 開(kāi)關(guān)頻率 三電平 功率控制
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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對(duì)不穩(wěn)定風(fēng)和陣風(fēng)進(jìn)行風(fēng)速預(yù)測(cè)，以平穩(wěn)風(fēng)為例，根據(jù)實(shí)際風(fēng)電功率和對(duì)應(yīng)時(shí)序風(fēng)速的關(guān)系建模，得到了風(fēng)電功率隨風(fēng)速變化的各類模型下的擬合參數(shù)。為了提高風(fēng)電功率的預(yù)測(cè)精度，通過(guò)從分段函數(shù)和整體建模兩個(gè)角度比較各種模型的準(zhǔn)確程度，得到了適宜于作為風(fēng)電功率特性曲線的函數(shù)模型。
標(biāo)簽： 灰色模型 功率預(yù)測(cè) 風(fēng)速 風(fēng)電
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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西安誼邦電子 公司引進(jìn)美國(guó)的先進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)，該測(cè)試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn)，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。其雄厚的技術(shù)實(shí)力，多年的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)和獨(dú)特嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑O(shè)計(jì)方案使誼邦電子YB系列測(cè)試系統(tǒng)性能更加超群，品質(zhì)更為可靠穩(wěn)定。誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及高端集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試和各種客戶產(chǎn)品測(cè)試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于軍工、汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 西安誼邦憑借較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力和完善的科學(xué)管理，能夠給用戶提供完善的售前售后技術(shù)支持。科技創(chuàng)新、服務(wù)無(wú)限，是我們工作的宗旨。
標(biāo)簽： IGBT 測(cè)試 電子 半導(dǎo)體測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過(guò)對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過(guò)大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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介紹了一款輸入級(jí)采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的額定輸出功率為, 如果提高輸出級(jí)電源電壓, 還可在不變動(dòng)電路條件下, 把輸出功率提高到, 可以滿足一些對(duì)功率要求比較高的發(fā)燒友需要。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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要延長(zhǎng)低功率應(yīng)用中的電池工作時(shí)間，采用一種經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的電源非常重要。首先，必須選擇正確的電源架構(gòu)：其次，必須了解這些架構(gòu)中有哪些特性可以優(yōu)化。
標(biāo)簽： 低功率 電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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