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功率開關(guān)器件

  • I2C程序函數是采用軟件延時的方法產生SCL脈沖,對高晶振頻率要作一定的修改 C％NG#A1e0(本例是3us機器周期,如果系統對時間要求不是很重要的話,最好在每個單元讀寫結束時加個延時

    I2C程序函數是采用軟件延時的方法產生SCL脈沖,對高晶振頻率要作一定的修改 C％NG\#A1e0(本例是3us機器周期,如果系統對時間要求不是很重要的話,最好在每個單元讀寫結束時加個延時， $`Z(Un+b0Tm0測試有子地址器件函數，未測試無地址的器件，適合器件地址和子地址小于256的器件， 大于256的單元的器件可以自己改寫)。 td`U4A!~,L C0

    標簽： I2C 3us SCL 延時

    上傳時間： 2017-01-01

    上傳用戶：wmwai1314

  • 本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發

    本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。

    標簽： Processor Digital Singal DSP

    上傳時間： 2013-12-24

    上傳用戶：zjf3110

  • 說明JSP平臺、開發環境

    說明JSP平臺、開發環境，以及相關組成元件，讓讀者完整了解它的來龍去脈、發展工具與該平臺/程式語言/執行環境的特性

    標簽： JSP

    上傳時間： 2014-06-15

    上傳用戶：集美慧

  • 求一個復正弦加白噪聲隨機過程的信號： xn=exp(j*pi*n-j*pi)+exp(j*w0*n-j*0.7*pi)+v v(n)為零均值白噪聲。S/N=10dB。取P=3

    求一個復正弦加白噪聲隨機過程的信號： xn=exp(j*pi*n-j*pi)+exp(j*w0*n-j*0.7*pi)+v v(n)為零均值白噪聲。S/N=10dB。取P=3，構造4階的自相關矩陣R的基于MUSIC算法的功率譜估計的MATLAB程序

    標簽： exp n-j pi 0.7

    上傳時間： 2017-08-31

    上傳用戶：franktu

  • Tmos功率場效應晶體管原理和應用 292頁 9.9M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15GTmos功率場效應晶體管原理和應用 292頁 9.9M.pdf

    標簽：

    上傳時間： 2014-05-05

    上傳用戶：時代將軍

  • 新編功率晶體管實用手冊 NPN管 1404頁 35.4M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15G新編功率晶體管實用手冊 NPN管 1404頁 35.4M.pdf

    標簽：

    上傳時間： 2014-05-05

    上傳用戶：時代將軍

  • 國內外功率晶體管實用手冊 下冊 1439頁 20.5M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15G國內外功率晶體管實用手冊 下冊 1439頁 20.5M.pdf

    標簽：

    上傳時間： 2014-05-05

    上傳用戶：時代將軍

  • VMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15GVMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

    標簽：

    上傳時間： 2014-05-05

    上傳用戶：時代將軍

  • 功率放大器

    里面包含多種功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三極管和二極管等構成。

    標簽： 功率放大器

    上傳時間： 2016-12-06

    上傳用戶：bestjgc

  • 先進的高壓大功率器件——原理 特性和應用

    本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。

    標簽： 大功率器件

    上傳時間： 2021-11-02

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