由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備、尤其是中大型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)帶來巨大影響和損失,因此,對(duì)IGBT的失效研究具有十分重要的應(yīng)用意義。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎(chǔ)上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時(shí)電子和空穴電流的表達(dá)式,對(duì)造成IGBT失效的各種因素進(jìn)行了詳細(xì)分析。應(yīng)用MATLAB軟件,對(duì)硅參數(shù)的熱導(dǎo)率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴(kuò)散系數(shù)等進(jìn)行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應(yīng)以及泄漏電流導(dǎo)致IGBT延緩失效的有用結(jié)論。并且,進(jìn)行了IGBT動(dòng)態(tài)模型的設(shè)計(jì)和仿真,對(duì)IGBT在短路情況下的失效機(jī)理進(jìn)行了深入研究。 考慮到實(shí)際設(shè)備中的IGBT在使用中經(jīng)常會(huì)發(fā)生反復(fù)過流這一問題,通過搭建試驗(yàn)電路,著重對(duì)反復(fù)過流對(duì)IGBT可能帶來的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了IGBT因反復(fù)過流導(dǎo)致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結(jié)果對(duì)于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進(jìn)而正確判斷和預(yù)測(cè)設(shè)備的可能故障,具有一定的應(yīng)用參考價(jià)值。
標(biāo)簽：
IGBT
功率電源
失效機(jī)理
上傳時(shí)間：
2013-08-04
上傳用戶：lrx1992
LCD 因其輕薄短小,低功耗,無輻射,平面直角顯示,以及影像穩(wěn)定等特點(diǎn),當(dāng)今應(yīng)用非常廣泛。CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件) 是一種具有豐富可編程功能引腳的可編程邏輯器件,不僅可實(shí)現(xiàn)常規(guī)的邏輯器件功能,還可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜而獨(dú)特的時(shí)序邏輯功能。并且具有ISP (在線可編\\r\\n程) [1 ] 功能,便于進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和現(xiàn)場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行功能修改、調(diào)試、升級(jí)。通常CPLD 芯片都有著上萬次的重寫次數(shù),即用CPLD[ 2 ] 進(jìn)行硬件設(shè)計(jì),就像軟件設(shè)計(jì)一樣靈活、方便。而現(xiàn)今LCD的控制大都采用
標(biāo)簽：
CPLD
LCD
可編程邏輯器件
上傳時(shí)間：
2013-08-16
上傳用戶：zhliu007
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽：
CoolMOS
VDMOS
導(dǎo)通電阻
分
上傳時(shí)間：
2013-10-21
上傳用戶：1427796291
