為了提高稀土超磁致伸縮換能器驅(qū)動(dòng)電源的效率以及實(shí)用性，采用DSP器件TMS320F2812作為主控芯片，結(jié)合混合脈寬調(diào)制方法實(shí)現(xiàn)SPWM波形。采用半橋型逆變電路實(shí)現(xiàn)SPWM的功率放大，并對(duì)隔離驅(qū)動(dòng)電路、反饋電路和濾波匹配電路進(jìn)行合理而有效的設(shè)計(jì)，保證了換能器的輸出效能。同時(shí)使用電流控制頻率的方法實(shí)現(xiàn)諧振頻率的自動(dòng)跟蹤。實(shí)驗(yàn)證明，該驅(qū)動(dòng)電路輸出頻率穩(wěn)定，波形失真度低，且能量轉(zhuǎn)換效率較高。
標(biāo)簽： DSP 磁致伸縮 換能器 電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點(diǎn)是由其組成的開關(guān)電源，在市電電網(wǎng)中工作時(shí)，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動(dòng)降低空載時(shí)的工作頻率，從而降低待機(jī)狀態(tài)的損耗;同時(shí)還具有過、欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能，因而在中小功率開關(guān)電源中有著廣泛 的應(yīng)用前景
標(biāo)簽： COOLMOS 組合式 器件 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的基本特點(diǎn), 針對(duì)模塊器件的特點(diǎn), 設(shè)計(jì)了一緊湊、實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路板, 解決了功率電子電路中電源多的問題L 試驗(yàn)證明, 此電路可靠, 具有可拓展性和保護(hù)功能.
標(biāo)簽： IGBT 模塊 分 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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提出了一種固定開關(guān)頻率的三電平PWM整流器的直接功率控制方法。該方法基于空間電壓矢量調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)過程中有功功率和無功功率的解耦控制。
標(biāo)簽： PWM 開關(guān)頻率 三電平 功率控制
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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對(duì)不穩(wěn)定風(fēng)和陣風(fēng)進(jìn)行風(fēng)速預(yù)測(cè)，以平穩(wěn)風(fēng)為例，根據(jù)實(shí)際風(fēng)電功率和對(duì)應(yīng)時(shí)序風(fēng)速的關(guān)系建模，得到了風(fēng)電功率隨風(fēng)速變化的各類模型下的擬合參數(shù)。為了提高風(fēng)電功率的預(yù)測(cè)精度，通過從分段函數(shù)和整體建模兩個(gè)角度比較各種模型的準(zhǔn)確程度，得到了適宜于作為風(fēng)電功率特性曲線的函數(shù)模型。
標(biāo)簽： 灰色模型 功率預(yù)測(cè) 風(fēng)速 風(fēng)電
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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隨著功率開關(guān)器件的發(fā)展，電力電子裝置日益小型化和高頻化，電氣性能大幅提高，但是隨之產(chǎn)生的高次諧波卻對(duì)電網(wǎng)造成嚴(yán)重污染。在電力電子設(shè)備中，整流器(AC／DC變流器)占有較大的比例，是主要的污染源。由于固態(tài)感應(yīng)加熱電源對(duì)于電網(wǎng)呈現(xiàn)非線性特性，從電網(wǎng)中輸出的電流就不是標(biāo)準(zhǔn)的正弦曲線。高頻諧波電流對(duì)電力設(shè)施產(chǎn)生過熱或其他危害。 Boost電路應(yīng)用到功率因數(shù)校正方面已經(jīng)較為成熟，對(duì)于幾百瓦小功率的功率因數(shù)校正，常規(guī)的電路是可以實(shí)現(xiàn)的。但是對(duì)于大功率諸如感應(yīng)加熱電源，還存在很多的實(shí)際問題。為了解決開關(guān)器件由于二極管反向恢復(fù)時(shí)產(chǎn)生的沖擊電流而易損壞的情況，減少開關(guān)器件在高頻下的開關(guān)損耗，本文采用一種無源無損緩沖電路取代傳統(tǒng)的LC濾波電路。在分析了軟開關(guān)電路的工作原理以及逆變模塊的分時(shí)-移相功率控制策略后，應(yīng)用Matlab軟件進(jìn)行了仿真，并通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性。
標(biāo)簽： APFC 軟開關(guān) 倍頻 感應(yīng)加熱電源
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC／DC變換電路拓?fù)湫问街弧Ｒ葡郟WM控制方式利用開關(guān)管的結(jié)電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯(lián)電感作為諧振元件，使開關(guān)管能進(jìn)行零電壓開通和關(guān)斷，從而有效地降低了電路的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，減少了器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾，為變換器提高開關(guān)頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質(zhì)量提供了良好的條件。然而，傳統(tǒng)的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復(fù)過程，會(huì)引起寄生振蕩，二極管上存在很高的尖峰電壓，需增加阻容吸收回路進(jìn)行抑制，文獻(xiàn)提出了兩種帶箝位二極管的拓?fù)洌梢院芎玫匾种萍纳袷帯１疚牟扇∥墨I(xiàn)提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一臺(tái)280 W移相全橋軟開關(guān)DC／DC變換器，該變換器輸入電壓為194～310 V，輸出電壓為76V。
上傳時(shí)間： 2014-08-30
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路
上傳時(shí)間： 2013-12-18
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本書內(nèi)容翔實(shí)、精煉，介紹了進(jìn)行電源設(shè)計(jì)必須了解的幾乎所有相關(guān)的知識(shí)，包括以下幾個(gè)方面。 拓?fù)涓攀?mdash;—常用的15種拓?fù)洌还β书_關(guān)管的最大電流應(yīng)力和最大電壓應(yīng)力；對(duì)于有確定的輸入輸出電壓、輸出功率的功率開關(guān)管，最佳拓?fù)涞倪x擇；最佳拓?fù)涞倪x擇；最佳功率開關(guān)管的選擇。 高頻磁原理——鐵氧體磁心磁帶、集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)損耗。 變壓器設(shè)計(jì)——與頻率、磁密度、鐵心面積和繞線面積以及拓?fù)溆嘘P(guān)的函數(shù)公式推導(dǎo)；磁心、線圈、變壓器總損耗，以及溫升的計(jì)算；使用常用拓?fù)涞淖儔浩髟O(shè)計(jì)實(shí)例。 直流電流偏置電感設(shè)計(jì)——導(dǎo)通直流偏置電流的電感設(shè)計(jì)。 磁放大器、緩沖器的設(shè)計(jì)以及諧振變換器。 反饋環(huán)穩(wěn)定性。 主要拓?fù)涞木_波形。 本書第二版增加了該領(lǐng)域內(nèi)目前最受關(guān)注的關(guān)于電流的章節(jié)，包括功率因數(shù)校正、熒火燈使用的高頻鎮(zhèn)流器和筆記本電腦設(shè)計(jì)的低輸入電壓電源。 內(nèi)容簡(jiǎn)介本書從最基本的開關(guān)變換器分析入手，系統(tǒng)地闡述開關(guān)電源電路（設(shè)計(jì)）的功率轉(zhuǎn)換和脈寬調(diào)制原理、驅(qū)動(dòng)電路與閉環(huán)反饋的穩(wěn)定性及磁性元件的設(shè)計(jì)原則；對(duì)各功率變換器器件的參數(shù)選擇和變換器各部分波形進(jìn)行了定量分析；利用閉環(huán)反饋振蕩機(jī)理，詳細(xì)討論了開關(guān)電源電流、電壓環(huán)反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性；論述高頻開關(guān)電源在功率因數(shù)校正技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)，以及電子鎮(zhèn)流器技術(shù)等方面的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢(shì)。內(nèi)容上不僅對(duì)各功率變換器的原理有詳盡、系統(tǒng)的論述，同時(shí)給出多種新型的拓?fù)浼皩?duì)應(yīng)電路反饋環(huán)的設(shè)計(jì)實(shí)例。 本書可以作為學(xué)習(xí)、研究高頻開關(guān)電源的高校師生的教材，也可作為從事開關(guān)電源設(shè)計(jì)、開發(fā)的工程師的設(shè)計(jì)參考資料。
標(biāo)簽： Switching_Power_Supply_Design Second_Edition 開關(guān)電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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