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動(dòng)作特性

  • 電流型運(yùn)算放大器在應(yīng)用電路中的特性研究

      文中簡要介紹了電流型運(yùn)放的特性,著重對電流型運(yùn)放的應(yīng)用電路進(jìn)行測試,研究電流型運(yùn)放的應(yīng)用特性。實(shí)驗(yàn)中,選擇典型電流型運(yùn)放及電壓型運(yùn)放構(gòu)建負(fù)阻變換器、電壓跟隨器和同相比例放大器,通過對此3類應(yīng)用電路的測試,分析、總結(jié)運(yùn)放參數(shù)對特殊應(yīng)用電路的影響,為電路設(shè)計(jì)者在具體電路的設(shè)計(jì)中恰當(dāng)選擇適合的放大器提供參考。

    標(biāo)簽: 電流型 應(yīng)用電路 運(yùn)算放大器

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:13736136189

  • 虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù)在典型差動(dòng)放大電路特性分析中的應(yīng)用

    介紹了差動(dòng)放大電路演變歷程,理論上分析了典型差動(dòng)放大的工作原理以及特性參數(shù)的計(jì)算公式:應(yīng)用虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù)一Pmteus軟件進(jìn)行了靜態(tài)特性、差模輸入信號、共模輸入信號的實(shí)驗(yàn)研究,并對實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象進(jìn)行了分析。

    標(biāo)簽: 虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù) 典型 中的應(yīng)用 差動(dòng)放大電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:zukfu

  • SiCOI MESFET的特性分析

    使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。

    標(biāo)簽: MESFET SiCOI 特性分析

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:PresidentHuang

  • CMOS和TTL電路探討

    通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大,作速度越低。管子的開關(guān)時(shí)間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”,做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo),其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。

    標(biāo)簽: CMOS TTL 電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:DE2542

  • AN-741鮮為人知的相位噪聲特性

      關(guān)于相位噪聲專題的信息有很多,包括相位噪聲特性1、相位噪聲測量方法2以及它對系統(tǒng)性能的影響3。眾所周知,振蕩器和時(shí)鐘的相位噪聲已成為導(dǎo)致現(xiàn)代無線電系統(tǒng)性能降低的因素之一。然而,大多數(shù)傳統(tǒng)相位噪聲分析僅將重點(diǎn)放在單載波無線電系統(tǒng)中正弦波信號的降低,而相位噪聲對多載波接收機(jī)、寬帶系統(tǒng)或數(shù)字無線電的影響則很少涉及。本應(yīng)用筆記將討論一些與數(shù)據(jù)采樣系統(tǒng)相位噪聲有關(guān)的鮮為人知的問題,主要是多載波無線電、寬帶信號和欠采樣無線電架構(gòu)等

    標(biāo)簽: 741 AN 相位噪聲

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:asdkin

  • RLC串聯(lián)電路諧振特性的Multisim仿真

    基于探索 RLC串聯(lián)電路諧振特性仿真實(shí)驗(yàn)技術(shù)的目的,采用Multisim10仿真軟件對RLC串聯(lián)電路諧振特性進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)測試,給出了幾種Multisim仿真實(shí)驗(yàn)方案,介紹了諧振頻率、上限頻率、下限頻率及品質(zhì)因數(shù)的測試和計(jì)算方法,討論了電阻大小對品質(zhì)因數(shù)的影響。結(jié)論是仿真實(shí)驗(yàn)可直觀形象地描述RLC串聯(lián)電路的諧振特性,將電路的硬件實(shí)驗(yàn)方式向多元化方式轉(zhuǎn)移,利于培養(yǎng)知識(shí)綜合、知識(shí)應(yīng)用、知識(shí)遷移的能力,使電路分析更加靈活和直觀。

    標(biāo)簽: Multisim RLC 串聯(lián)電路 諧振

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:Maple

  • 相敏檢波電路鑒相特性的仿真研究

    分析了調(diào)幅信號和載波信號之間的相位差與調(diào)制信號的極性的對應(yīng)關(guān)系,得出了相敏檢波電路輸出電壓的極性與調(diào)制信號的極性有對應(yīng)關(guān)系的結(jié)論。為了驗(yàn)證相敏檢波電路的這一特性,給出3 個(gè)電路方案,分別選用理想元件和實(shí)際元件,采用Multisim 對其進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn),直觀形象地演示了相敏檢波電路的鑒相特性,是傳統(tǒng)的實(shí)際操作實(shí)驗(yàn)所不可比擬的。關(guān)鍵詞:相敏檢波;鑒相特性;Multisim;電路仿真 Abstract : The corresponding relation between modulation signal polarity and difference phases of amplitudemodulated signal and the carrier signal ,the polarity of phase2sensitive detecting circuit output voltage and the polarity of modulation signal are correspondent . In order to verify this characteristic ,three elect ric circuit s plans are produced ,idea element s and actual element s are selected respectively. Using Multisim to carry on a simulation experiment ,and then demonst rating the phase detecting characteristic of the phase sensitive circuit vividly and directly. Which is t raditional practical experience cannot be com pared.Keywords :phase sensitive detection ;phase2detecting characteristic ;Multisim;circuit simulation

    標(biāo)簽: 相敏檢波 電路 仿真研究 鑒相

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶:guanhuihong

  • 實(shí)際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究

    摘要:從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā),對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度,對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行了研究,提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法,并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動(dòng)電路具有指導(dǎo)意義.

    標(biāo)簽: MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用 條件下

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶:wfeel

  • 高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究

    本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性,然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求,對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外,對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

    標(biāo)簽: MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:lijinchuan

  • pcb板圖制作軟件

    pcb板圖制作軟件

    標(biāo)簽: pcb 軟件

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶:15736969615

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