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動(dòng)態(tài)時(shí)間

  • 高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。

    標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率

    上傳時(shí)間： 2013-11-12

    上傳用戶：playboys0

  • 準(zhǔn)確的電源排序可防止系統(tǒng)受損

    諸如電信設(shè)備、存儲模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。

    標(biāo)簽： 電源排序 防止

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：packlj

  • 采用一個(gè)節(jié)省空間的三路輸出穩(wěn)壓器來驅(qū)動(dòng)大型TFT-LCD顯示器

    大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。

    標(biāo)簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：watch100

  • 采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

    LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

    標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED

    上傳時(shí)間： 2013-11-22

    上傳用戶：zzbbqq99n

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時(shí)至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽： PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時(shí)間： 2013-11-06

    上傳用戶：xmsmh

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間： 2014-12-01

    上傳用戶：lhc9102

  • 使用簡易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽： 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶：zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽： DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

    標(biāo)簽： 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶：jelenecheung

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