說明:1,測試交流電源(Test AC Power Supply):A.中國(China):AC 220V+/-2%50Hz+/-2%B.美國(United States of America):AC 120V+/-2%60Hz+/-2%。C.英國(Britain):AC 240V+/-2%50Hz+/-2%D.歐洲(Europe):AC 230V+/-2%50Hz+/-2%E.日本(Japan):AC 100V+/-2%60Hz+/-2%F.墨西哥(Mexico):AC 127V+/-2%60Hz+/-2%2,測試溫度條件(Test Temperature Conditions):25℃+/-2℃。3,測試以右聲道為準(Standard Test Use Right Channell)4,信號由AUX插座輸入(Signal From AUX Jack Input)。5,測試以音量最大,音調和平衡在中央位置(電子音調在正常狀態)。(Test Volume Setup Max,Equalizer And Balance Setup Center)。6,標準輸出(Standard Output):A.輸入1 KHz頻率信號(Input 1 KHz Frequency Signal)B.左右聲道輸入信號測試右聲道(L&R Input Signal Test Use R Channel)C.額定輸出功率満(Rating Output Power Full)10 W,標準輸出定為1w.(Rating Output Power Full 10 w,Standard Output Setup 1 W)D.額定輸出功率1W到10w,標準輸出定為500 mW(Rating Output Power 1 W To 10 W,Standard Output Setup 500 mW)E.額定輸出功率小于1w,標準輸出定為50 mW(Rating Output Power Not Full 1 W,Standard Output Setup 50 mW)F.標準輸出電壓以V-VPR為準(Standard Output Voltage Use V-V/PR)。G.V-V/PR中P為額定輸出功率,R為喇叭標稱阻抗。
標簽: 音響功放
上傳時間: 2022-06-18
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超聲波是一種能量存在的方式,超聲波通過高頻的振動作用于水介質,從而產生超聲空化效應,這種空化效應已經在超聲波清洗中得到應用,或者超聲波作用于傳聲媒介當中,能夠引起媒介之間發生不同的效應,已經在基礎學科研究和工程應用開發都表示出非常廣闊的應用前景[12]。按照超聲波研究內容上劃分,可以分為功率超聲和檢測超聲兩大領域Bl]。檢測超聲是工業及醫學檢查的一種方法之一,也被認為是弱超聲的“被動應用”,功率超聲主要是通過超聲接觸對接觸面進行高頻的振動摩擦,以改變介質的一些特性,所以功率超聲也被稱為“主動應用”[]。本課題主要是針對功率超聲波換能器進行研究。超聲波的產生主要依靠的是超聲波換能器。超聲波換能器是一種能夠進行機、電能量或者聲、電能量轉換的器件。對于功率超聲換能器而言,換能器通過壓電材料的壓電效應將輸入的高頻電能轉換成高頻振動的機械能量。換能器的種類有很多,應用的領域也不相同,如磁致伸縮超聲換能器間,壓電陶瓷換能器等等。目前研究最為廣泛的是壓電陶瓷換能器,壓電陶瓷換能器是依靠壓電陶瓷的壓電效應及逆壓電效應來實現能量的轉換。壓電陶瓷的壓電效應是由它的內部結構引起的,壓電材料主要有鈦酸鋇、錯鈦酸鉛、偏銳酸鉛、銳酸鉀鈉、鈦酸鉛等]。這些電介質在某一恰當的方向施加一定的外力時,會引起內部電極分布狀態發生改變,在介質的相對表面上會出現和外力成正比且極性相反的帶電電荷,這種由外力引起的電介質的現象叫做壓電效應則。相反,若在電介質上某一恰當的方向加上一定強度的外電場時,會引起電介質內部電極分布發生相應的變化,從而產生和外電場強度成正比的應變效應,這種由于外電場引起的電介質的應變現象叫做逆壓電效應]。功率超聲換能是超聲學領域中一個重要的分支學科。本課題主要針對壓電陶瓷式功率超聲波換能器展開研究。20世紀初期超聲波技術開始出現,而我國50年代才開始進行大功率超聲的研究[]。隨著科學技術的發展特別是電子技術的發展,如單片機、DSP、FPFA等微處理器得快速發展,微處理器功能越來越強大,運算速度越來也快,以及IGBT、MOSFET等功率器件的快速發展,功率器件的容量不斷的增加,響應速度不斷的提高。對超聲波發生器的要求也越來越高,體積越來越小,功能越來越強大,越來越智能,可靠性進一步提高。
標簽: 超聲波換能器
上傳時間: 2022-06-18
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三菱電機功率器件在工業、電氣化鐵道、辦公自動化、家電產品等多種領域的電力變換及電動機控制中得到廣泛應用。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求,三菱電機積極致力于新型器件的研究、開發,為人類的節能和環保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機第5代IGBT硅片CSTBTIM技術,并具有正溫度系數特征,與傳統的溝槽型構造IGBT相比,降低了集電極一發射極間飽和電壓,從而實現了更低損耗。同時改進了封裝技術,大大減小了模塊內部分布電感。本應用手冊的出版,旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理,更加方便的使用三菱電機的半導體產品。三菱電機謹向所有購買和支持三菱半導體產品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認識1.1 NF系列IGBT模塊的特點NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點:1,采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎上增加電荷蓄積層的新結構(CSTBT)改善了關斷損耗(Eoff)和集電極-發射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞(PCM)的使用增強了短路承受能力(SCSOA)并降低了柵極電容,從而降低驅動功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲式溝槽硼型雙極晶體臂
標簽: igbt
上傳時間: 2022-06-19
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隨著全控型器件(目前主要是功率MOSPET與IGBT)的廣泛使用以及脈寬調制技術的成熟,高頻軟開關電源也獲得了極快地發展。變換電能的電源是以滿足人們使用電源的要求為出發點的,根據不同的使用要求和特點對發出電能的電源再進行一次變換。這種變換是把種形態的電能變換為另一種形態的電能,它可以是交流電和直流電之間的變換,也可以是電壓或電流幅值的變換,或者是交流電的頻率、相位等變換,軟開關電源輸入和輸出都是電能,它屬于變換電能的電源。本論文研究了一種新型雙管正激軟開關DC/DC變換器電路拓撲。主功率器件采用IGBT元件,由功率二極管、電感、電容組成的諧振網絡改善IGBT的開關條件,克服了傳統開關在開通和閉合過程中會產生功率損耗,并且降低開關靈敏性的弊端。該論文對IGBT的軟開關電源進行了總體設計和仿真,最后設計出了一臺輸出電壓為48V、輸出功率為1.5kW、工作頻率為80kHz、諧振頻率為350kHz的開關電源理論模型。
上傳時間: 2022-06-21
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本文以感應加熱電源為研究對象,闡述了感應加熱電源的基本原理及其發展趨勢。對感應加熱電源常用的兩種拓撲結構-電流型逆變器和電壓型逆變器做了比較分析,并分析了感應加熱電源的各種調功方式。在對比幾種功率調節方式的基礎上,得出在整流側調功有利于高頻感應加熱電源頻率和功率的提高的結論,選擇了不控整流加軟斬波器調功的感應加熱電源作為研究對象,針對傳統硬斬波調功式感應加熱電源功率損耗大的缺點,采用軟斬波調功方式,設計了一種零電流開關準諾振變換器ZCS-QRCs(Zero-current-switching-Quasi-resonant)倍頻式串聯 振高頻感應加熱電源。介紹了該軟斬波調功器的組成結構及其工作原理,通過仿真和實驗的方法研究了該軟斬波器的性能,從而得出該軟斬波器非常適合大功率高頻感應加熱電源應用場合的結論。同時設計了功率閉環控制系統和PI功率調節器,將感應加熱電源的功率控制問題轉化為Buck斬波器的電壓控制問題。針對目前IGBT器件頻率較低的實際情況,本文提出了一種新的逆變拓撲-通過IGBT的并聯來實現倍頻,從而在保證感應加熱電源大功率的前提下提高了其工作頻率,并在分析其工作原理的基礎上進行了仿真,驗證了理論分析的正確性,達到了預期的效果。另外,本文還設計了數字鎖相環(DPLL),使逆變器始終保持在功率因數近似為1的狀態下工作,實現電源的高效運行。最后,分析并設計了1GBT的緩沖吸收電路。本文第五章設計了一臺150kHz,10KW的倍頻式感應加熱電源實驗樣機,其中斬波器頻率為20kHz,逆變器工作頻率為150kHz(每個IGBT工作頻率為75kHz),控制孩心采用TI公司的TMS320F2812 DSP控制芯片,簡化了系統結構。實驗結果表明,該倍頻式感應加熱電源實現了斬波器和逆變器功率器件的軟開關,有效的減小了開關損耗,并實現了數字化,提高了整機效率。文章給出了整機的結構設計,直流斬波部分控制框圖,逆變控制框圖,驅動電路的設計和保護電路的設計。同時,給出了關鍵電路的仿真和實驗波形。
上傳時間: 2022-06-22
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IGBT關斷電壓尖峰是其中的主要問題,解決它的最有效方法是采用疊層母線連接器件。針對二極管籍位型三電平拓撲兩個基本強追換流回路,本文用ANSOFT Q3D軟件比較研究了三類適用于多層母線排的疊層方案,并提出了一種新穎的疊層母線分組連接結構,結合特殊設計的吸收電容布局,減小了各IGBT模塊的關斷過沖,省去阻容吸收電路,并優化了高頻電流在不同電容間的分布,抑制電解電容發熱。通過理論計算與仿真兩種方式計算該設計方案的雜散電感,并用實驗加以證實。本文還設計了大面積一體化水冷散熱器,表面可以貼裝15個功率器件和若干傳感器和平衡電阻,采用水冷方式以迅速帶走滿載運行時開關器件的損耗發熱,并能達到結構緊湊和防爆的效果。在散熱器內部設計了細槽水道結構以避開100多個定位螺孔,同時可以獲得更大的熱交換面積。本文分析了SCALE驅動芯片的兩類器件級短路保護原理,并設計了針對兩類保護動作的閾值測試實驗,以確保每個器件在安全范圍內工作;設計了系統控制和三類系統級保護電路:驅動板和控制板的布局布線經過合理安排能在較強的電磁干擾下正常工作。論文最后,在電抗器、電阻器、異步感應電機等不同類型、各功率等級負載下,對變流模塊進行了測試,并解決了直流中點電壓平衡問題。各實驗證實了設計理論并體現了良好的應用效果。
上傳時間: 2022-06-22
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在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優點,又有功率品體管的導通電壓低,通態電流大的優點、使用 IGBT成為UPS功率設計的首選,只有對 IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計,才能發揮 IGBT的優點。本文介紹UPS中的IGBT的應用情況和使用中的注意事項。2.IGBT在UPS中的應用情況絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET 與雙極晶體管復合的器件。據東芝公司資料,1200V/100A 的IGBT的導通電阻是同一耐壓規格的功率 MOSFET 的1/10,而開關時間是同規格 GTR的1/10。由于這些優點,IGBT廣泛應用于不間斷電源系統(UPS)的設計中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高,抗沖擊能力強、可靠性高的顯著優點。UPS主要有后備式、在線互動式和在線式三種結構。在線式 UPS以其可靠性高,輸出電壓穩定,無中斷時間等顯著優點,廣泛用于通信系統、稅務、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關的機房中。本文以在線式為介紹對象,UPS中的1GBT的應用。
上傳時間: 2022-06-22
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摘要將異步電機調速的矢量控制方法與電壓空間矢量脈寬調制(SVPWM)技術相結合,構建了以SVPWM信號驅動功率器件的異步電機矢量控制調速系統結構圖,并用Matlab軟件對該系統建模與仿真。仿真結果表明:該系統不僅具有矢量控制調速系統的優越性能,同時具有減少轉矩波動,降低輸出電流諧波,提高直流電壓利用率等優點。本世紀70年代提出的矢量控制通過坐標變換的方法分解定子電流,使之轉化為轉矩和磁場兩個分量,實現解耦控制,從而獲得與直流電動機一樣良好的動態調速特性,開創了交流電動機等效直流電動機控制的先河"1。隨著矢量控制技術的發展,如何優化矢量控制系統的研究已成為熱門課題。同時,信號調制技術的發展也使得多種調速系統達到了很好的控制效果,其中SVPWM技術把電動機和逆變器看為一體,通過跟蹤圓形旋轉磁場來控制逆變器的工作,能達到轉矩脈動小、諧波成分少、直流母線電壓利用率高的效果,目前已在變頻產品中得到了廣泛地應用,本文通過軟件對基于SVPWM的電機矢量控制系統進行了仿真,得到了良好的控制效果。
上傳時間: 2022-06-22
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摘要:商用無人機云臺是立足于無人機高空操控優勢,通過無線遙控來進行航空攝影、系統立體測繪地面圖像或者準確操控附帶設備的驅動裝置,主要功能是利用高精度電機控制,實現攝像設備對X,Y,2三維空間的精準角度控制,以達到精確控制設備操作角度的效果。云臺系統的控制精度對這個無人機的攝像性能及操控效果有著至關重要的作用。目前在云臺控制算法上比較先進的控制算法都本掌握在國內領先的幾家廠家手上,大部分云臺設計都沿用了傳統的直流有刷電機的控制或者120°BLDC控制,在防抖效果及控制精度上都有需要改進的地方,通過對產品的分析將FOC算法融入云臺控制,將有助于達到提升防抖效果及控制精度的效果,尤其是將磁編碼器替換傳統的電位器設計,可以在控制精度,提高使用壽命,降低噪聲,減少生產難度等方便帶來極大優勢。關鍵字:無人機云臺PISMFOC控制算法磁編碼器正文:引言:云臺控制的核心主要分為兩大部分:電機控制和角度控制,電機控制的關鍵包括MCU編程及功率器件的控制,角度控制則包括編碼器的結構安裝設計及控制等。將FOC控制及磁編應用穩定運用到無人機云臺控制系統中,有助于提高電機控制精度,減低系統噪聲,降低功耗,減少飛行控制主系統的運算開銷,提高產品工作壽命等作用,從而提升無人機整體性能。
上傳時間: 2022-06-30
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英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度,縮短開發時間,節省用料(BOM)及電路板空間,相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案,可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動,同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?),或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標簽: 門極驅動
上傳時間: 2022-07-16
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