永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)是一種性能優(yōu)越、應(yīng)用前景廣闊的電動(dòng)機(jī),傳統(tǒng)的理論分析及設(shè)計(jì)方法已比較成熟,它的進(jìn)一步推廣應(yīng)用,在很大程度上有賴于對(duì)控制策略的研究.該文提出了一套基于DSP的全數(shù)字無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)雙模控制系統(tǒng),將模糊控制和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分別引入到無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制中來(lái).充分利用模糊控制對(duì)參數(shù)變化不敏感,能夠提高系統(tǒng)的快速性的特點(diǎn),構(gòu)造適用于調(diào)節(jié)較大速度偏差的模糊調(diào)節(jié)器,加快系統(tǒng)的調(diào)節(jié)速度;由于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)既具有非線性映射的能力,可逼近任何線性和非線性模型,又具有自學(xué)習(xí)、自收斂性,對(duì)被控對(duì)象無(wú)須精確建模,對(duì)參數(shù)變化有較強(qiáng)的魯棒性的特點(diǎn),構(gòu)造三層BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)調(diào)節(jié)器,來(lái)實(shí)現(xiàn)消除穩(wěn)態(tài)偏差的精確控制.以速度偏差率為判斷依據(jù),實(shí)現(xiàn)模糊和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)兩種控制模式的切換,使系統(tǒng)在不同速度偏差段快速調(diào)整、平滑運(yùn)行.此外充分利用系統(tǒng)硬件構(gòu)成的特點(diǎn),采用適當(dāng)?shù)腜WM輸出切換策略,最大限度的抑制逆變橋換相死區(qū);通過(guò)換相瞬時(shí)轉(zhuǎn)矩公式推導(dǎo)和分析,得出在換相過(guò)程中保持導(dǎo)通相功率器件為恒通,即令PWM輸出占空比D=1,來(lái)抑制定子電感對(duì)換相電流影響的控制策略.上述抑制換相死區(qū)和采用恒通電壓的控制方法,減小了換相引起的轉(zhuǎn)矩波動(dòng),使系統(tǒng)電流保持平滑、轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)大幅度減小、系統(tǒng)響應(yīng)更快、并具有較強(qiáng)的魯棒性和實(shí)時(shí)性.在這種設(shè)計(jì)下,系統(tǒng)不僅能實(shí)現(xiàn)更精確的定位和更準(zhǔn)確的速度調(diào)節(jié),而且可以使無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)長(zhǎng)期工作在低速、大轉(zhuǎn)矩、頻繁起動(dòng)的狀態(tài)下.該文選用TMS320LF2407作為微控制器,將系統(tǒng)的參數(shù)自調(diào)整模糊控制算法,BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制算法以及PWM輸出,轉(zhuǎn)子位置、速度、相電流檢測(cè)計(jì)算等功能模塊編程存儲(chǔ)于DSP的E2PROM,實(shí)現(xiàn)了對(duì)無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的全數(shù)字實(shí)時(shí)控制,并得到了良好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的結(jié)果.
標(biāo)簽： DSP 無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī) 雙模控制 轉(zhuǎn)矩
上傳時(shí)間： 2013-06-01
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TAS5727EVM 評(píng)估板用于演示和證明德州儀器TAS5727 器件的性能。TAS5727 將一個(gè)高性能的PWM處理器與一個(gè)D 類音頻功率放大器整合在一起。該EVM 可以利用兩個(gè)橋接負(fù)載(BTL) (2.0) 來(lái)配置。如需了解有關(guān)TAS5727EVM 器件的詳細(xì)信息，請(qǐng)查閱（器件數(shù)據(jù)表SLOS637）。脈寬調(diào)制器(PWM)基于TI 的Equibit™技術(shù)。TAS5727 還具有其他的音頻處理功能，比如3D、低音提升和雙頻段DRC。
標(biāo)簽： 25W 立體聲 數(shù)字放大器 德州儀器
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
介紹了一款低成本單進(jìn)三出逆變器的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，硬件成本控制在60元人民幣以內(nèi)時(shí)，可驅(qū)動(dòng)1 kW以下的三相籠式異步電機(jī)。總結(jié)了經(jīng)過(guò)近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)，包括微處理器，功率器件，半橋驅(qū)動(dòng)，過(guò)流保護(hù)，控制方法，試驗(yàn)結(jié)果等方面的內(nèi)容。用該電路實(shí)現(xiàn)的變頻調(diào)速可以因低成本而大大擴(kuò)展其應(yīng)用范圍，稍加修改后可用于直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 逆變器 設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：Jesse_嘉偉
介紹了一款低成本單進(jìn)三出逆變器的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，硬件成本控制在60元人民幣以內(nèi)時(shí)，可驅(qū)動(dòng)1 kW以下的三相籠式異步電機(jī)。總結(jié)了經(jīng)過(guò)近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)，包括微處理器，功率器件，半橋驅(qū)動(dòng)，過(guò)流保護(hù)，控制方法，試驗(yàn)結(jié)果等方面的內(nèi)容。用該電路實(shí)現(xiàn)的變頻調(diào)速可以因低成本而大大擴(kuò)展其應(yīng)用范圍，稍加修改后可用于直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 逆變器 設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：alibabamama
在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時(shí)間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
在電力電子技術(shù)的應(yīng)用以及各種電源系統(tǒng)中，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)均處于核心地位，逆變器就是一種DC/AC的轉(zhuǎn)換器、它利用晶閘管電路，將電池組等直流電源轉(zhuǎn)化成輸出電壓和頻率穩(wěn)定的交流電源。按照直流電源的性質(zhì)來(lái)分類，逆變器可以分為電壓型逆變器和電流型逆變器;按照輸出端相數(shù)來(lái)分，逆變器可分為單相逆變器和三相逆變器，其中單相逆變器按結(jié)構(gòu)可分為半橋型逆變器和全型逆變器。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)電源容量的需求也越來(lái)越大。尤其在工廠商業(yè)用電系統(tǒng)、艦船集中供電系統(tǒng)、蓄電池后備供電系統(tǒng)以及電力系統(tǒng)等，大功率逆變器擁有著良好的應(yīng)用前景。但是，在逆變器輸出電壓不變起的情況下，需要的輸出功率越大，逆變器流過(guò)的電流也就越大，這對(duì)功率器件的生產(chǎn)已經(jīng)逆變器的控制都形成更大挑戰(zhàn)。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：wivai
主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計(jì)方法，通過(guò)電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會(huì)同時(shí)交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結(jié)合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應(yīng)用，給出了的設(shè)計(jì)實(shí)例。ADS仿真結(jié)果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設(shè)計(jì)預(yù)期。
上傳時(shí)間： 2014-02-10
上傳用戶：yczrl
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：372825274
本書(shū)共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開(kāi)關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開(kāi)關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來(lái)制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書(shū)最后一章比較了書(shū)中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書(shū)的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書(shū)適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書(shū)， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書(shū)之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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