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半導體存儲器

IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

上傳用戶：372825274
38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器

38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器隨著電力電子技術的發展，電源技術被廣泛應用于計算機、工業儀器儀表、軍事、航天等領域，涉及到國民經濟各行各業。特別是近年來，隨著IGBT的廣泛應用，開關電源向更大功率方向發展。研制各種各樣的大功率，高性能的開關電源成為趨勢。某電源系統要求輸入電壓為AC220V，輸出電壓為DC38V，輸出電流為100A，輸出電壓低紋波，功率因數>0.9，必要時多臺電源可以直接并聯使用，并聯時的負載不均衡度<5％。設計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓，經過有源功率因數校正環節以提高系統的功率因數，再經半橋變換電路逆變后，由高頻變壓器隔離降壓，最后整流輸出直流電壓。系統的主要環節有DC/DC電路、功率因數校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護電路等。 1 有源功率因數校正環節由于系統的功率因數要求0.9以上，采用二極管整流是不能滿足要求的，所以，加入了有源功率因數校正環節。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數校正器集成控制電路芯片，是在UC3854基礎上的改進。其特點是：采用平均電流控制，功率因數接近1，高帶寬，限制電網電流失真≤3％[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數校正電路。該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構成控制部分，實現對網側輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件構成Boost升壓電路。開關管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊，其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯。因為，設計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中，所以，在負載輕的時候不進行功率因數校正，當負載較大時功率因數校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現。R10及R11是負載檢測電阻。當負載較輕時，R10及R11上檢測的信號輸入給比較器，使其輸出端為低電平，D2導通，給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS（軟啟動端），在負載輕時D3導通，使SS為低電平；當負載增大要求UC3854A/B工作時，SS端電位從零緩慢升高，控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓撲在大功率高頻開關電源中，常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關器件少，輸出功率大，但開關管承受電壓高（為電源電壓的2倍），且變壓器有六個抽頭，結構復雜；全橋電路開關管承受的電壓不高，輸出功率大，但是需要的開關器件多（4個），驅動電路復雜。半橋電路開關管承受的電壓低，開關器件少，驅動簡單。根據對各種拓撲方案的工程化實現難度，電氣性能以及成本等指標的綜合比較，本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關電源的主電路拓撲圖。

標簽： 100 38 AC DC

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：ukuk
基于MATLAB的B樣條小波程序的實現

· 摘要： MATLAB是一種建立在向量、數組、矩陣基礎上,面向科學和工程計算的高級語言,為科學研究和工程計算提供了一個方便有效的工具.該文簡要介紹了B樣條和B樣條小波的構成,并利用MATLAB語言編寫了繪制任意階B樣條和B樣條小波圖形的程序.

標簽： MATLAB 程序

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：sqq
剖析Intel IA32 架構下C 語言及CPU 浮點數機制 Version 0.01 哈爾濱工業大學謝煜波（email: xieyubo@126.com 網址:http://purec.b

剖析Intel IA32 架構下C 語言及CPU 浮點數機制 Version 0.01 哈爾濱工業大學謝煜波（email: xieyubo@126.com 網址:http://purec.binghua.com）（QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan）前言這兩天翻看一本C 語言書的時候，發現上面有一段這樣寫到例：將同一實型數分別賦值給單精度實型和雙精度實型，然后打印輸出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“％f\n％f\n”,a,b) } 運行結果如下：

標簽： Version xieyubo Intel email

上傳時間： 2013-12-25

上傳用戶：徐孺
長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導

長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導，下載、燒寫，設置日期、時間，設置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數的存儲和自動調用。可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統參數保存在0x1ff000以上區域中。所以在燒寫完BIOS，上電復位后先要執一定要執行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。

標簽： BIOS 44 0xi 0II

上傳時間： 2013-12-25

上傳用戶：ainimao
問題描述序列Z=是序列X=<A，B，C，B，D，A，B>的子序列，相應的遞增下標序列為<2，3，5，7>。一般地，給定一個序列X=<x1,x2,…,xm>，則另一個序列Z=<z1,z2,…,zk>是X的子序列，是指存在一個嚴格遞增的下標序列〈i1,i2,…,ik〉使得對于所有j=1,2,…,k使Z中第j個元素zj與X中第ij個元素相同。給定2個序列X和Y，當另一序列Z既是X的子序列又是Y的子序列時，稱Z是序列X和Y的公共子序列。你的任務是：給定2個序列X、Y，求X和Y的最長公共子序列Z。

標簽： lt 序列

上傳時間： 2014-01-25

上傳用戶：netwolf
1.推動教育學發展的內在動力是( D)的發展。A.教育規律 B.教育價值 C.教育現象 D.教育問題 2.提出“泛智”教育思想

1.推動教育學發展的內在動力是( D)的發展。A.教育規律 B.教育價值 C.教育現象 D.教育問題 2.提出“泛智”教育思想，探討“把一切事物教給一切人類的全部藝術”的教育家是( B)A.培根 B.夸美紐斯 C.赫爾巴特 D.贊可夫

標簽： A. B. C. D.

上傳時間： 2017-01-06

上傳用戶：1427796291
pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbvf v fbg b v fgg ffg fggfv.

標簽： sdcsc fdgbvfg project fgbfv

上傳時間： 2014-12-19

上傳用戶：xwd2010
臺達變頻器

臺達變頻器說明書，此說明書主要用于臺達B型變頻器調試參數

標簽： 臺達變頻器

上傳時間： 2017-12-31

上傳用戶：wshaoheng

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半導體<b>存儲器</b>

IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器

基于MATLAB的B樣條小波程序的實現

剖析Intel IA32 架構下C 語言及CPU 浮點數機制 Version 0.01 哈爾濱工業大學謝煜波（email: xieyubo@126.com 網址:http://purec.b

長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導

問題描述序列Z=<B

1.推動教育學發展的內在動力是( D)的發展。A.教育規律 B.教育價值 C.教育現象 D.教育問題 2.提出“泛智”教育思想

pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

臺達變頻器