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半橋電源

  • 一個不錯的FLASH源碼

    一個不錯的FLASH源碼,利用MASK代替鼠標(biāo),背景用一張漂亮的位圖,再用一個半透明有色前景,鼠標(biāo)移到的地方就把清晰的背景顯示出來~~并且能選擇前景顏色.

    標(biāo)簽: FLASH 源碼

    上傳時間: 2013-12-12

    上傳用戶:徐孺

  • 長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導(dǎo)

    長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導(dǎo),下載、燒寫,設(shè)置日期、時間,設(shè)置工作頻率等多種功能,並且支持各種參數(shù)的存儲和自動調(diào)用。 可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去,BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處,系統(tǒng)參數(shù)保存在0x1ff000以上區(qū)域中。所以在燒寫完BIOS,上電復(fù)位后先要執(zhí)一定要執(zhí)行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。

    標(biāo)簽: BIOS 44 0xi 0II

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:ainimao

  • 半定規(guī)劃

    半定規(guī)劃,屬于凸優(yōu)化的一種,matlab 實(shí)現(xiàn)的源碼,適合學(xué)習(xí) Semidefinite Programming

    標(biāo)簽:

    上傳時間: 2013-11-28

    上傳用戶:ynsnjs

  • 一個控制硬件接口的源碼

    一個控制硬件接口的源碼,可以控制消費(fèi),考勤等控件,適應(yīng)于學(xué)校,工廠,機(jī)半等

    標(biāo)簽: 控制 硬件接口 源碼

    上傳時間: 2016-12-09

    上傳用戶:熊少鋒

  • 陣元間隔為半波長的均勻分布16元線陣

    陣元間隔為半波長的均勻分布16元線陣,預(yù)成指向士arcsin((2i-1)/16)(i=l,2,…,8)的16個均勻加權(quán)常規(guī)波束,遠(yuǎn)場有5個互不相關(guān)的目標(biāo)源發(fā)射信號,每個源相對于基陣的方位為-40,-42,-5,30和33,且每個信號源到達(dá)基陣的信噪比相同,均為5DB,快拍數(shù)為1000.

    標(biāo)簽: 半波 分布 線陣

    上傳時間: 2013-12-24

    上傳用戶:cazjing

  • 陣元間隔為半波長的均勻分布16元線列陣

    陣元間隔為半波長的均勻分布16元線列陣,利用均勻加權(quán)常規(guī)波束。遠(yuǎn)場有5個互不相關(guān)的目標(biāo)源發(fā)射信號,每個源相對基陣的方位分別為-40,-42,-5,30和33,且每個源信號到達(dá)基陣時的信噪比相等,均為10dB。分別對波束域和陣元域MUSIC算法進(jìn)行比較。

    標(biāo)簽: 半波 分布

    上傳時間: 2013-12-13

    上傳用戶:王小奇

  • Tornado 手機(jī)半背光源碼

    Tornado 手機(jī)半背光源碼,即JTB源碼!

    標(biāo)簽: Tornado 手機(jī) 背光 源碼

    上傳時間: 2017-08-19

    上傳用戶:shanml

  • stl源碼剖析前半本

    STL源碼剖析-侯捷.pdf 

    標(biāo)簽: stl 源碼

    上傳時間: 2017-11-07

    上傳用戶:seesoj

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 4000A交流恒流源技術(shù)參數(shù)

    1.1用途電子恒流源是高精度交流穩(wěn)流電源,具有響應(yīng)速度快、電流精度高、波形失真小,能長期穩(wěn)定工作的特點(diǎn)。主要用于檢測熱繼電器、塑殼斷路器、小型熔斷器、保險絲、接觸器、布線橋架及類似溫升、電力線材、晶閘管、固態(tài)繼電器等。1.2特性1、可恒流,電流調(diào)節(jié)范圍:10%-100%量程;2、可變頻,頻率調(diào)節(jié)范圍:40-65Hz;3、提供均方根電壓,均方根電流,4、超快的恒流時間,恒流時間沿正弦線追蹤,計(jì)算精度時間半周期(5mS峰值測量精度);5、極寬的負(fù)載適應(yīng)范圍,額定負(fù)載范圍內(nèi)電流波動小于±1%(5mS峰值測量精度);6、可通過遠(yuǎn)程I/O進(jìn)行控制,加快控制節(jié)拍;7、數(shù)字式鍵盤輸入,使用方便,精確度高;8、故障報警、故障原因記憶功能。9、具有RS232,RS485可選通訊功能;10、提供嵌入式智能化PC機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)(可定制)。了解低壓電器測試行業(yè)的特點(diǎn)及其特性,低壓電器開關(guān)瞬時及延時動作特性測試的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及特點(diǎn)。

    標(biāo)簽: 恒流源

    上傳時間: 2021-11-13

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