磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上傳時間： 2013-11-12
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f340的MP3程序，通過SD卡讀入解碼器
上傳時間： 2013-10-31
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HCS08HCS12系列單片機 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強、功耗小、價 格低等特點，在業界得到了廣泛的應用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調試技術——BDM。 這種調試技術由于其優越的性能而逐漸被業界接受，成為廣泛使用的MCU在線編程 調試方法。針對 BDM 技術，國外公司提供了功能強大的編程調試器，但價格高昂， 難以被國內廣大用戶接受；國內一些高校也進行了相關研究開發，但是研發的編程調 試器大多存在以下三個問題：一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高，這些編 程調試器已經不能適應與高頻率MCU的通信的要求；二是無法與飛思卡爾的集成開 發環境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協議，導致整體通 信速度很慢。 本文對國內外已有的HCS08/HCS12 編程調試器進行了深入的技術分析，綜合目 前微控制器的最新發展技術，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調試器硬件及底層 驅動的設計方案，實現了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調試器)，有效地解決了國內編程調試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時，本文在研究CodeWarrior的通信接口規范 的基礎上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數的功能，實現了作者編程調試器體系 中的通信函數，使之適用于 CodeWarrior 開發環境。USBDM 編程調試器通信函數動 態鏈接庫的設計，不僅便于使用編程調試器進行二次開發，也方便了驅動程序的更新。
上傳時間： 2013-10-28
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這里描述的是一套 9S12XS128 系列單片機開發系統套件。以后的更新的版本見清華 Freescale 單片機應用開發研究中心 開發系統主要由兩個部分組成，分別是調試下載用的新款三合一 USBDM 和 9S12XS128單片機基本系統模塊。其中USBDM 的使用請參見文檔“新款三合一BDM 調 試器說明書.pdf”。本手冊是 9S12XS128 單片機基本系統模塊的用戶說明書。 目標板是有異步串行口的驅動的基本系統。針對 9S12XS128 單片機，我們編寫了 9S12XS128目標板監控程序，作為應用系統開發的輔助工具。用戶可以在此基礎上設計自 己所需的目標母板，完成項目的初期開發。應用軟件完成后，也可擦除監控程序，下載最 終的應用程序。 這里描述的 9S12XS128 單片機基本系統模塊是針對全國大學生飛思卡爾杯智能車模 競賽設計的，采用大賽組委會推薦的 80 引腳器件。為了盡量減輕該基本系統的重量，我 們減小了模塊的尺寸，去掉了串口的 DB9插座，將RS-232 口通過3 芯轉DB9電纜引出。
上傳時間： 2014-12-25
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摘要：本文介紹了以PIC16C74單片機為核心的IC卡讀寫器的系統設計，系統實現了IC卡及外部存儲器的讀寫、PC機與單片機的串行通訊、硬件上實現了串口供電的工作方式，系統具有實用性強穩定性高等特點。 關鍵詞：PIC單片機；IC卡讀寫；串行通訊；串口供電
上傳時間： 2013-11-15
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JTAG仿真器 mega16開發板 聯系 楊迪 15336417867 0531-55508458 QQ：1347978253 http://www.easyele.cn 有了mega16開發板 JTAG仿真器就可以開始學習強大的AVR單片機，不用再單獨買編程器，仿真器。本產品是AVRVI設計生產的AVR學習開發生產工具，以Atmega16為核心，集成AVR JTAG ICE仿真器和STK500 ISP編程器，用戶只需要再擁有一臺計算機即可進行系統的學習。同時mega16開發板器 JTAG仿真器還提供精致的說明書，讓您事半功倍，深入了解單片機電路的設計，找到好工作沒問題，詳細介紹電路設計和如果學習開發等內容，即使不買板子也值得你收藏。mega16開發板 JTAG仿真器的貨號：EasyAVR-M16 規格： 套 重量：400克。單價298/套 mega16開發板 JTAG仿真器開發板板載資源列表（部分）： 1.1路有源蜂鳴器，也可接無源蜂鳴器 2.實時鐘PCF8563 3.1IIC總線EEPROM AT24c01 4.1-wire單總線 5.晶振和復位電路 6.可選的有源晶振電路 7.AD電壓調整電位器 8.電位器參考電壓和待測電壓調整 9.mega16開發板 JTAG仿真器擁有4個8位撥碼開關 0.32Pin MCU外接端子 所有引腳標注 11.12864液晶接口 12.1602液晶接口 13.mega16開發板 JTAG仿真器有標準KF396尼龍接線端子 14.透明防滑硅膠腳墊 mega16開發板 JTAG仿真器的三個關鍵特點：開發板集成常用資源：LED、按鍵、七段數碼管、RS232、LCD接口等；開發板上集成了AVR JTAG ICE仿真器和AVR ISP編程器；信號調理電路，輸入0～10V，軌至軌信號調理。購買mega16開發板 JTAG仿真器是，我們會以優惠的價格提供給客戶一些可選配件：18B20 10元；1602字符液晶 20元；12864 圖形液晶帶字庫 80元；串口通訊線纜 5元；有源晶振 5元；杜邦頭連線10條 5元，以上全配只需要加100元，如需要5V 小型步進電機另加20元。歡迎大家咨詢選購。 開發板系列我公司還出售： mega128四合一開發板 498/套 ATMEL 原裝 ATSTK500開發板 750/塊 ATmega8 開發板 學習板 Mini Mega8 核心板 87/塊 ATmega48 開發板 學習板 Mini Mega48 核心板 84/塊 ATMega88 開發板 學習板 mini mega88 核心板 91/塊 ATmega16 開發板 AVR學習板 Mega16 核心板 106/塊 ATmega32 開發板 學習板 Mini M32 核心板 116/塊 ATmega128 開發板 學習板 Mini M128 核心板 147/塊 ATmega64 開發板 學習板 Mini M64 核心板 144/塊
上傳時間： 2013-10-19
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S51編程器制作包:自制AT89S51編程器教程AT89S51芯片的日漸流行，對我們單片機初學者來說是一個大好消息。因為做個AT89S51編程器非常容易，而且串行編程模式更便于做成在線編程器，給頻繁燒片，調試帶來了巨大的方便。 電路： 只要焊13根線就可以搞定這個電路。基本原理：RST置高電平，然后向單片機串行發送 編程命令。P1.7(SCK)輸入移位脈沖，P1.6(MISO)串行輸出，P1.5(MOSI)串行輸入（要了解詳細編程原理可以去看AT89S51的數據手冊）。使用并口發出控制信號，74373只是用于信號轉換，因為并口直接輸出高電平的電壓有點沒到位，使用其他芯片也可以，還有人提出直接接電阻。并口引腳1控制P1.7，引腳14控制P1.5，引腳15讀P1.6，引腳16控制RST，引腳17接74373 LE（鎖存允許），18-25這些引腳都可以接地。建議在你的單片機系統板上做個6芯的接口。注意：被燒寫的單片機一定是最小系統（單片機已經接好電源，晶振，可以運行），VCC，GND是給74373提供電源的。 還有一個方案：使用串口+單片機，這個方案已經用了半年了。電路稍微麻煩一點，速度比較快，而且可以燒AT89C51等等。其實許多器件編程原理差不多，由于我沒太多時間研究器件手冊，更沒有MONEY買一堆芯片來測試，所以只實現了幾個最常用單片機編程功能（AT89C51，C52，C55，AT89S51，S52，S53）。如果要燒寫其他單片機，你可以直接編寫底層控制子程序（例如，寫一個單元，讀一個單元，擦除ROM的子程序）。如果有需要，我可以在器件選擇欄提供一個“X-CHIP”的選擇，“X-CHIP”的編程細節將由用戶自己去實現。當你仔細閱讀器件手冊后，會發現實現這些子程序其實好容易，這也是初學者學單片機編程的好課題。如果成功了會極大的提高你學單片機的積極性。 軟件： 這個軟件的通信，控制部分早在半年前就完成了，這回只是換了個界面和加入并口下載線的功能，希望你看到這個軟件不會想吐。使用很簡當，有一點特別，當你用鼠標右鍵點擊按鈕后，可以把相關操作設置為自動模式（只有打開文件，擦除芯片，寫FLASH ROM，讀FLASH ROM，效驗數據 可以設置），點擊‘自動完成’后會依次完成這些操作，并在開始時檢測芯片。當“打開文件”設為自動后，第2次燒寫同一個文件時不必再去打開文件，軟件會自動刷新緩沖。軟件在WIN XP，WIN 2000可以使用（管理員登陸的），在WIN 98 ，WIN ME使用并口模式時會更快些。這個軟件同時支持串口編程器和并口下載線。操作正常結束后會有聲音提示。如果沒有聲卡或聲卡爛了，則聲音會從機箱揚聲器中發出。注意：記得在CMOS設置中把并口設為ECP模式。就這些東西，應該夠詳細吧，還有什么問題或遇到什么困難可以聯系我,軟件出現什么問題一定要通知我修正。祝你一次就搞定。
上傳時間： 2014-01-24
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Cortex-M3 是ARM 公司為要求高性能(1.25 Dhrystone MIPS/MHz)、低成本、低功耗的嵌入式應用專門設計的內核。STM32 系列產品得益于Cortex-M3 在架構上進行的多項改進，包括提升性能的同時又提高了代碼密度的Thumb-2 指令集和大幅度提高中斷響應的緊耦合嵌套向量中斷控制器，所有新功能都同時具有業界最優的功耗水平。本系統是基于Cortex-M3 內核的STM32 微控制器的mp3 播放器，在硬件方面主要有VS1053硬件音頻解碼器和12864 點陣液晶屏，在軟件方面主要有VS1053 的驅動，SD 卡工作在SPI 模式下的讀寫驅動，FAT 文件系統的移植，12864 液晶的驅動，嵌入式操作系統ucOSii 的移植以及嵌入式圖形管理器ucGUI 的移植。整個設計過程包括電子系統的設計技術及調試技術，包括需求分析，原理圖的繪制，pcb 板的繪制，制版，器件采購，安裝，焊接，硬件調試，軟件模塊編寫，軟件模塊測試，系統整體測試等整個開發調試過程。
上傳時間： 2013-11-19
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2013-12-15
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