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雙排DIP排母

LTE排障流程及典型案例總結(jié)

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標(biāo)簽： lte

上傳時間： 2021-12-02

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STM32L475開發(fā)板PDF原理圖+AD集成3D封裝庫+主要器件技術(shù)手冊

STM32L475開發(fā)板PDF原理圖+AD集成3D封裝庫+主要器件技術(shù)手冊，集成封裝庫型號列表如下：Library Component Count : 44Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------ANT-2.4G ANT,2.4G,PCB天線ATK-TEST-1*4-2.54mm 測試點ATK_MODULE 單排母,1*6,2.54mmBEEP 3.3V有源蜂鳴器BUTTON_DIP3 撥動開關(guān)SS-12F44C-0402-SMD C-0603-SMD C-CAP-SMD-220uF/10V C-CEP-220uF/16V D-1N4148 Header-1*3-2.54mm 單排針-2.54mmHeader-2*10-2.54mm 雙排針-2.54mmHeader-2*2-2.54mm 雙排針-2.54mmHeader-2*3-2.54mm 雙排針-2.54mmHeader-2*4-2.54mm 雙排座-2.54mmIR-LED 1206紅外發(fā)射管（側(cè)）IR-LF0038GKLL-1 紅外接收管SMDJ-MICRO-USB-5S Micro USB 5.9有柱腳長1.25加長針L-0420-4.7uH 電感,4.7uH,3ALCD-TFT-H13TS38A LCD,TFT,1.3'240*240,禹龍LED-0603-RED 發(fā)光二極管-紅色LED-RGB-1615-0603 RGB,共陽,1615,0603MIC-6022 MICMotor-SMD 電機,SMDPhone-3-M 耳機座,三節(jié)R-0402-SMD 貼片電阻R-0805-SMD 貼片電阻RT9193-3.3S-KEY-SMD-324225 KEY,SMD,324225S8050-SMD SD-MICRO-TF SD,MICRO,TFU-AHT10 Sensor,溫濕度傳感器U-AP3216C Sensor.光照/距離U-AP6181 WIFI Module,SDIOU-ES8388 AUDIO,2-ch DAC,2-ch ADCU-ICM-20608 三軸陀螺儀/三軸加速度計,U-L9110S 電機驅(qū)動,800mAU-RT9013-3.3 LDO,500mAU-STM32F103C8T6 U-STM32L475VET6 MCU,LQFP100,512K FLASH,128K RAMU-W25Q128 SPI FLASH,16MY-12M-SMD 晶振 - 12M貼片Y-3215-32.768K XTAL,3215,32.768KY-3215-8M XTAL,3215,8MHz

標(biāo)簽： stm32l475 開發(fā)板

上傳時間： 2021-12-15

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AM335X核心板PCB+封裝庫文件 AD格式 6層板 50x50mm 4x40pin排針引出

AM335X核心板PCB+封裝庫文件，AD格式，6層板，50x50mm，4x40pin排針引出

標(biāo)簽： am335x pcb 封裝

上傳時間： 2022-01-27

上傳用戶：kingwide
基于離散粒子群算法的機房排課問題研究

基于離散粒子群算法的機房排課問題研究這是一份非常不錯的資料，歡迎下載，希望對您有幫助！

標(biāo)簽： 離散粒子群算法

上傳時間： 2022-03-04

上傳用戶：zhanglei193
LTE排障流程及典型案例

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標(biāo)簽： lte

上傳時間： 2022-03-10

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hdmi轉(zhuǎn)軟排線HDMI-FPC設(shè)計方案

hdmi轉(zhuǎn)軟排線，信號路上無過孔，直角彎hdmi轉(zhuǎn)軟排線HDMI-FPC設(shè)計方案

標(biāo)簽： hdmi

上傳時間： 2022-05-31

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大功率逆變電源IGBT關(guān)斷電壓尖峰抑制研究

自20世紀(jì)80年代以來，以IGBT為代表的雙極型復(fù)合器件的迅速發(fā)展，使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發(fā)展，逆變技術(shù)日趨大容量化、高性能化，這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關(guān)件的船大功逆變電源設(shè)計中，由于 KBт開關(guān)頻率、開關(guān)速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實際應(yīng)用），流經(jīng)KBT的電流迅速變化，主電路母線的分布電感產(chǎn)生的瞬時電壓尖峰會施加在KBT兩端，如果處理不當(dāng)，會使KBT的開關(guān)工作軌跡超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作區(qū)域），從而對逆變電源的正常運行構(gòu)成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關(guān)斷時產(chǎn)生電壓尖峰的機理進行了說明，并對影響關(guān)斷電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應(yīng)用疊層復(fù)合母排降低了主電路母線的分布電感，通過設(shè)計合適的吸收電路改善了開關(guān)軌跡，從而抑制關(guān)斷電壓尖峰，使大功率逆變電源的開關(guān)器件運行在可靠的工作范圍內(nèi)。

標(biāo)簽： 逆變電源 igbt

上傳時間： 2022-06-21

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智能電源排插解決方案，并能測量：交流電壓、電流、有功功率硬件設(shè)計

智能電源排插解決方案，并能測量：交流電壓、電流、有功功率硬件設(shè)計

標(biāo)簽： 智能電源

上傳時間： 2022-06-30

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手把手教你開關(guān)電源PCB排板

分享一下開關(guān)電源PCB排板的基本要點及分析，以及例子講解。絕對的手把手

標(biāo)簽： 開關(guān)電源 PCB

上傳時間： 2022-07-09

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大功率逆變電源IGBT關(guān)斷電壓尖峰抑制分析

　分析了大功率逆變電源IGBT關(guān)斷時產(chǎn)生電壓尖峰的機理,并對影響電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應(yīng)用疊層復(fù)合母排可以降低主電路母線的分布電感,設(shè)計合理的吸收電路能夠改善開關(guān)器件的開關(guān)軌跡, 抑制尖峰電壓,使開關(guān)器件運行在可靠的工作范圍內(nèi)。仿真結(jié)果驗證了吸收電路的有效性。

標(biāo)簽： IGBT 大功率關(guān)斷電壓分

上傳時間： 2013-05-25

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