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反應(yīng)(yīng)時(shí)

PCB LAYOUT設(shè)計規(guī)范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計規(guī)范

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：zhtzht
pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
基于L6562的單級PFC反激LED電源的研究

設(shè)計了一種基于L6562的單級PFC反激LED電源，闡述了該電源的工作原理，對相關(guān)公式進(jìn)行了推導(dǎo)，對功率因數(shù)校正功能的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了分析，并提出了提升效率的方法。最后制作了原理樣機(jī)，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該LED驅(qū)動電源的高效率、高功率因數(shù)的特點(diǎn)。

標(biāo)簽： L6562 PFC LED 反激

上傳時間： 2013-10-29

上傳用戶：透明的心情
基于UC3842的單端反激式隔離開關(guān)穩(wěn)壓電源的設(shè)計

基于UC3842的單端反激式隔離開關(guān)穩(wěn)壓電源的設(shè)計

標(biāo)簽： 3842 UC 單端反激式隔離開關(guān)

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：tuilp1a
反激變壓器講義--非常實(shí)用

實(shí)用的反激變壓器講義

標(biāo)簽： 反激變壓器講義

上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：shen1230
開關(guān)電源反激和正激的區(qū)分

開關(guān)電源反激和正激的區(qū)分

標(biāo)簽： 開關(guān)電源反激分正

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：zjwangyichao
單級PFC反激電源的設(shè)計與優(yōu)化

針對目前LED驅(qū)動電源功率因數(shù)不高和效率低等問題，設(shè)計了一款高功率因數(shù)高效率的反激式LED驅(qū)動電源。闡述了單級PFC的基本原理，并給出了PFC的優(yōu)化設(shè)計方法。分析了電源的整體效率和電磁干擾的來源，提出了提高效率的方法和抑制電磁干擾的途徑。實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果表明，該驅(qū)動電源具有高功率因數(shù)、高效率的特點(diǎn)；同時符合EMC測試標(biāo)準(zhǔn)。

標(biāo)簽： PFC 反激電源

上傳時間： 2013-10-13

上傳用戶：yanyangtian
具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

時至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

標(biāo)簽： PoE 集成反激式控制器 PD接口

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：xmsmh
對于電源故障保護(hù)應(yīng)用，超級電容器能夠替代后備電池

在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負(fù)載供電

標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池超級電容器

上傳時間： 2014-01-08

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