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合泰單片機

用兩片AVR（ATmega16）單片機

用兩片AVR（ATmega16）單片機實現雙機通信（雙向，并帶反饋）。開發環境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標簽： ATmega AVR 16 單片機

上傳時間： 2013-09-27

上傳用戶：m62383408
一種計算機輔助甲骨文拓片綴合方法

　　計算機輔助甲骨拓片綴合，是整理甲骨碎片的一種新技術。提出了一種甲骨文拓片計算機輔助綴合方法。甲骨文拓片圖像綴合過程主要包括圖像的預處理和邊界匹配兩個主要步驟。其中，邊界匹配是進行綴合的關鍵技術，提出一種從提取甲骨文拓片輪廓線出發，融合甲骨拓片本身特點，通過邊界特征來判斷兩個輪廓是否匹配來達到拓片綴合的目的，實現了基于計算機輔助的甲骨拓片綴合算法。通過多幅拓片圖像實驗，驗證了所提方法的有效性。

標簽： 計算機輔助甲骨文

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：dazhihui66
ICL8038 單片函數發生器

ICL8038 單片函數發生器

標簽： 8038 ICL 函數發生器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：wushengwu
PCB板材

多層板是由芯板和半固化片互相層疊壓合而成的。而半固化片構成所謂的浸潤層，起到粘合芯板的作用，雖然也有一定的初始厚度，但是在壓制過程中其厚度會發生一些變化。

標簽： PCB 板材

上傳時間： 2013-10-29

上傳用戶：a296386173
PADS制作鍋仔片解析

在PADS中鍋仔片的制作方法

標簽： PADS

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20
PCB LAYOUT設計規范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產. 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

標簽： LAYOUT PCB 設計規范

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：zhtzht
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
一種無片外電容LDO的穩定性分析

電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標簽： LDO 無片外電容穩定性分析

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945
XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關電源芯片，測試板加芯片資料

標簽： 4016 XL 高效率大電流

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：Shaikh
單片開關電源最新應用技術

單片開關電源設計

標簽： 單片開關電源應用技術

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：liu123

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