1。創建一共享內存。a進程對共享內存中的某個整型不斷加一，另外個進程對他進行減一操作，要求信號量同步。
上傳時間： 2017-03-25
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AVR單片機SPI的串行ADC接口的設計 SPI（SerialPeripheralInterface---串行外設接口）總線系統是一種同步串行外設接口，允許MCU與各種外圍設備以串行方式進行通信、數據交換，廣泛應用于各種工業控制領域。 MAX187用采樣／保持電路和逐位比較寄存器將輸入的模擬信號轉換為12位的數字信號，其采樣／保持電路不需要外接電容。MAX187有2種操作模式：正常模式和休眠模式，將置為低電平進入休眠模式，這時的電流消耗降到10μA以下。置為高電平或懸空進入正常操作模式。
標簽： SerialPeripheralInterface SPI AVR ADC
上傳時間： 2017-04-04
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8329B是一款SOP-8封裝單片同步降壓穩壓器。該器件集成了兩個內阻分別為78毫歐和67毫歐的功率MOSFET，可提供足2.5A的連續負載電流在較寬的輸入電壓范圍從6.5V到36V，電流模式控制提供快速瞬態響應和逐周期電流限制，可調節的軟啟動可防止涌流。8329B具有可編程的CV/CC模式控制功能,CV模式(恒壓)功能提供一個穩壓輸出,CC模式(恒定電流)功能提供一個電流限制功能， 聯系人：唐云先生（銷售工程） 手機：13530452646(微信同號) 座機：0755-33653783 （直線） Q Q: 2944353362
標簽： 8329B 12V 2.4 5V 絲印 同步整流 降壓 芯片
上傳時間： 2019-03-25
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本小程序可方便計算mxl,xxl,xl,t系列,htdxm,stpd等各型同步輪的節距,節徑,外徑底徑,是設計的好幫手!!
標簽： 同步帶
上傳時間： 2022-01-21
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隨著科學水平的提高，生物、化學以及醫療相關器械領域對精度要求也在不斷地提升.生物制劑提取、注射，化學藥品傳輸供給以及藥物治療等MEMS的研究不單單是對精密儀器的攻堅克難，更是交叉學科賦予高精密儀器研究發展的難題。技術革新便要理論創新，才能突破現有技術發展的瓶頸。現有的壓電超聲波霧化器理論發展已頗具成熟，產業化發展也甚是豐富，可是由于產品的不斷創新換代，同時也導致理論創新的不同步，致使許多創新產品缺少對應的系統理論支持。本文立足微泵型壓電超聲波霧化器的研究，提出了系統的霧化理論、結構仿真和霧化效果實驗研究。本文主要的研究內容和成果如下：在霧化理論分析方面，通過對霧化片金屬基片和錐孔的變形公式推導分析，建立了微泵型壓電超聲波霧化器霧化理論數學模型，并結合變形分析對其霧化機理進行了完整的闡述在有限元仿真分析計算方面，通過對霧化片簡化建模，進行了霧化片的諾響應計算分析，得出霧化片諾響應工作模態及其相應振型。并結合霧化理論分析了各模態相應霧化效果，提出霧化效果改進意見。在霧化效果實驗方面，進行多普莉激光測振實驗，與諾響應仿真計算相互論證，提高其可行性，并通過霧化效果實驗來驗證霧化效果理論分析結果，最后結合仿真計算和多普勒激光測振結果綜合分析、總結出霧化效果的影響因素。關鍵詞：MEMS，壓電泵，超聲波，霧化器，壓電陶瓷，振型。本文工作在機械結構力學及控制國家重點實驗室完成。
標簽： 超聲波霧化器
上傳時間： 2022-06-18
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本論文所涉及的電源管理方案來源于與臺灣某上市公司的橫向合作項目，在電源管理產品朝著低功耗、高效率和智能化方向發展的形勢下，論文采用了一種開關電源與低壓降（LDO）線性電壓調節器結合應用的集成方案，即將LDO作為升壓型電源管理芯片的內部供電模塊。按照方案的要求，本文設計了一種含緩沖級的低壓降線性電壓調節器。設計采用0.6um 30V BCD工藝，實現LDO的輸入電壓范圍為6-13V：滿足在-25-85℃的工作溫度范圍內，輸出電壓為5V：在典型負載電流（12.5mA）下，LDO的壓降電壓為120mv.文章首先闡述了整個方案的工作原理，給出LDO設計的指標要求；其次，依據系統方案的指標要求和制造工藝約束，實現包含誤差放大器、基準源和保護電路等子模塊在內的電壓調整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅動100pF數量級的大電容負載”的問題：最后，給出整個模塊總體電路的仿真驗證結果。LDO的架構分析和設計以及基準源的設計是本文的核心內容。在LDO架構設計部分，文章基于對三種不同LDO拓撲的分析，選擇并實現了含緩沖器級的LDO.設計中通過改進反饋網絡，采用反饋電容，實現對LDO的環路補償。同時，為提高誤差放大器驅動功率管的能力、適應LDO低功耗發展的需求，文章探討了如何使用放大器驅動大負載電容的問題。基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）結構，實踐了兩級放大器驅動大負載電容的方案，并把MPC補償技術推廣到三級放大器的設計中。
上傳時間： 2022-06-22
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本論文以西安電子科技大學電路CAD所的科研項目“電源管理類集成電路關鍵技術理論研究與設計”為背景，設計了一款高性能降壓型DC-DC和LDO雙路輸出控制器XD8912.論文首先對電源管理技術的現狀以及發展趨勢作了介紹；隨后分析了線性穩壓器及開關穩壓器的基本結構和工作原理，并對電壓模降壓型PWM DC-DC的原理及其環路穩定性做了深入的研究；最后詳細介紹了XD8912的設計過程，包括芯片性能系統規劃、特性分析、電路實現以及仿真驗證。XD8912不僅集成了大電流、高效率的電壓模降壓型PWM控制器，而且也集成了小電流、低噪聲的線性穩壓控制器，可以為高性能顯卡、主板等設備供電。芯片采用同步整流技術，避免了肖特基二極管的使用，大大提高了芯片的工作效率。芯片內部設計了微調電路提高了電壓基準的精度。設計了內部頻率補償電路取代芯片外部的補償電容，有效提高了芯片的集成度。另外，芯片還集成了完備的保護電路，包括過溫保護、欠壓保護、過流保護等.文中對XD8912的系統及主要功能模塊進行了詳細的分析，并基于0.6um BCD工藝，利用Viewdraw，Hspice等EDA軟件，完成了電路的設計和前仿真驗證仿真結果表明，電路功能和性能指標均已達到設計要求。
上傳時間： 2022-06-23
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近年來，隨著電子技術的快速發展，使得低電壓、大電流電路為未來主要發展趨勢。低電壓、大電流工作有利于提高工作電路的整體功率，但同時也給電路設計帶來了新的問題。傳統的變換器中常采用普通二極管或肖特基二極管整流方式，在低壓、大電流輸出的電路中，應用傳統二極管整流的電路，其整流的損耗比較大，工作效率比較低。一般普通二極管的壓降為1.0-1.3V，即便應用壓降較低的肖特基二極管（SBD），產生壓降一般也要有0.5V左右，從而使整流的損耗增加，電源的工作效率降低，己經不能滿足現代開關電源高性能的需求。因此，應用同步整流（SR）技術可達到此要求，即應用功率MOS管代替傳統的二極管整流。由于功率MOS管具有導通電阻很低、開關時間較短、輸入阻抗很高的特點，很大程度的減少了開關功率MOS管整流時的損耗，使得工作效率有一個顯著提高，因此功率MOS管以成為低壓大電流功率變換器首選的整流器件。要想得到經濟、高效的變換器，同步整流技術與反激變換器電路結合將會是一個很好的選擇。反激變換器拓撲電路的優點是電路結構簡單、輸入與輸出電氣隔離、輸入、輸出工作電壓范圍較寬，可以實現多路的輸出，因而在高電壓、低電流的場合應用廣泛，特別是在5~200W電源中一般采用反激變換器。
標簽： 開關電源
上傳時間： 2022-06-25
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0067、同步電機模型的MATLAB仿真論文資料
上傳時間： 2013-05-15
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Protool組態圖型顯示中文手冊
上傳時間： 2013-06-10
上傳用戶：eeworm
