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單片機(jī)(jī)制作

  • PCB設(shè)計(jì)與制作第2版.rar

    PCB設(shè)計(jì)制作與工藝,作電路板開(kāi)發(fā)的一定要看看!不可錯(cuò)過(guò)哦

    標(biāo)簽: PCB

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:kbnswdifs

  • 高速永磁電機(jī)的機(jī)械和電磁特性研究.rar

    本課題是國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目“微型燃?xì)廨啓C(jī)一高速發(fā)電機(jī)分布式發(fā)電與能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究”(50437010)的部分研究?jī)?nèi)容。高速電機(jī)的體積小、功率密度大和效率高,正在成為電機(jī)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。高速電機(jī)的主要特點(diǎn)有兩個(gè):一是轉(zhuǎn)子的高速旋轉(zhuǎn),二是定子繞組電流和鐵心中磁通的高頻率,由此決定了不同于普通電機(jī)的高速電機(jī)特有的關(guān)鍵技術(shù)。本文針對(duì)高速永磁電機(jī)的機(jī)械與電磁特性及其關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了深入地研究,主要包括以下內(nèi)容: 首先,進(jìn)行了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與強(qiáng)度分析。根據(jù)永磁體抗壓強(qiáng)度遠(yuǎn)大于抗拉強(qiáng)度的特點(diǎn),提出了一種采用整體永磁體外加非導(dǎo)磁高強(qiáng)度合金鋼護(hù)套的新型轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)。永磁體與護(hù)套之間采用過(guò)盈配合,用護(hù)套對(duì)永磁體施加的靜態(tài)預(yù)壓力抵消高速旋轉(zhuǎn)離心力產(chǎn)生的拉應(yīng)力,使永磁體高速旋轉(zhuǎn)時(shí)仍承受一定的壓應(yīng)力,從而保證永磁轉(zhuǎn)子的安全運(yùn)行?;趶椥粤W(xué)厚壁筒理論與有限元接觸理論,建立了新型高速永磁轉(zhuǎn)子應(yīng)力計(jì)算模型,確定了護(hù)套和永磁體之間的過(guò)盈量,計(jì)算了永磁體和護(hù)套中的應(yīng)力分布。該種轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度計(jì)算方法已應(yīng)用于高速永磁電機(jī)的樣機(jī)設(shè)計(jì)。 其次,進(jìn)行了高速永磁轉(zhuǎn)子的剛度分析和磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的臨界轉(zhuǎn)速計(jì)算?;陔姶艌?chǎng)理論分析了磁力軸承支承的各向同性,利用氣隙靜態(tài)偏置磁通密度計(jì)算了磁力軸承的線性支承剛度,在對(duì)高速電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)離散化的基礎(chǔ)上建立了磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)方程,采用有限元法計(jì)算了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的臨界轉(zhuǎn)速。利用該計(jì)算方法設(shè)計(jì)的1臺(tái)采用磁力軸承的高速電機(jī),已成功實(shí)現(xiàn)60000r/min的運(yùn)行。 再次,進(jìn)行了高速永磁電機(jī)的定子設(shè)計(jì),提出了一種新型環(huán)形繞組結(jié)構(gòu)。環(huán)型繞組線圈的下層邊放在定子鐵心的6個(gè)槽中,而上層邊分布在定子鐵心軛部外緣的24個(gè)槽中,不但增加了定子表面的通風(fēng)散熱面積,使冷卻氣流直接冷卻定子繞組,更為重要的是,解決了傳統(tǒng)2極電機(jī)繞組端部軸向過(guò)長(zhǎng)的難題,使轉(zhuǎn)子軸向長(zhǎng)度大為縮短,從而增加了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的剛度。 然后,采用場(chǎng)路耦合以及解析與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法,分析計(jì)算了高速永磁電機(jī)的損耗和溫升,并對(duì)高速永磁發(fā)電機(jī)的電磁特性進(jìn)行了仿真。高速電機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是體積小和功率密度大,然而隨之而來(lái)的缺點(diǎn)是單位體積的損耗大,以及因散熱面積小造成的散熱困難。損耗和溫升的準(zhǔn)確計(jì)算對(duì)高速電機(jī)的安全運(yùn)行至關(guān)重要。為了準(zhǔn)確計(jì)算高速電機(jī)的高頻鐵耗,對(duì)定子鐵心所采用的各向異性冷軋電工鋼片制作的試件,進(jìn)行了不同頻率和不同軋制方向的導(dǎo)磁性能和損耗系數(shù)測(cè)定。然后采用場(chǎng)路耦合的方法,分析計(jì)算了高速電機(jī)的定子鐵耗和銅耗、轉(zhuǎn)子護(hù)套和永磁體內(nèi)的高頻附加損耗以及轉(zhuǎn)子表面的風(fēng)磨損耗。在損耗分析的基礎(chǔ)上,計(jì)算了高速電機(jī)的溫升。最后,設(shè)計(jì)制造了一臺(tái)額定轉(zhuǎn)速為60000r/min的高速永磁電機(jī)試驗(yàn)樣機(jī),并進(jìn)行了初步的試驗(yàn)研究。測(cè)量了電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速下空載運(yùn)行時(shí)的定、轉(zhuǎn)子溫升及定子繞組的反電動(dòng)勢(shì)波形。通過(guò)與仿真結(jié)果的對(duì)比,部分驗(yàn)證了高速永磁電機(jī)理論分析和設(shè)計(jì)方法的正確性。在此基礎(chǔ)上,提出一種高速永磁電機(jī)的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案,為進(jìn)一步的研究工作打下了基礎(chǔ)。

    標(biāo)簽: 永磁電機(jī) 機(jī)械 電磁

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:woshiayin

  • 多細(xì)分二相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的研制.rar

    論文分析了混合式步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的工作原理和運(yùn)行特性。采用簡(jiǎn)化的磁網(wǎng)絡(luò)模型,推導(dǎo)了建立二相混合式步進(jìn)電機(jī)數(shù)學(xué)模型的關(guān)系式。并對(duì)步進(jìn)電機(jī)的多種驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的研究,著重分析和論述了正弦脈寬調(diào)制細(xì)分驅(qū)動(dòng)技術(shù)。文中對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、硬件電路設(shè)計(jì)及驅(qū)動(dòng)軟件編程進(jìn)行了研究和實(shí)現(xiàn),并給出了系統(tǒng)性能實(shí)驗(yàn)結(jié)果。 步進(jìn)電機(jī)的使用離不開(kāi)步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)劣影響著步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行性能。傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方式側(cè)重于使步進(jìn)電機(jī)繞組電流以盡可能短的時(shí)間上升到額定值,以提高電機(jī)高速運(yùn)行時(shí)的轉(zhuǎn)矩,一般步距角較大,且造成低速運(yùn)行時(shí)的振動(dòng)和噪聲加大。針對(duì)此問(wèn)題,開(kāi)發(fā)出一種新型的基于單片機(jī)的多細(xì)分二相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器以二相混合式步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)運(yùn)行特性為出發(fā)點(diǎn),主要分為數(shù)字控制部分、GAL片邏輯綜合信號(hào)處理單元、SG3525恒流控制電路、驅(qū)動(dòng)功放電路、過(guò)流保護(hù)及反饋電路和系統(tǒng)供電電源模塊等。采用專用集成芯片和可編程邏輯器件,以8位單片機(jī)AT89C51為控制核心,實(shí)現(xiàn)恒流控制、正/反轉(zhuǎn)運(yùn)行、過(guò)流保護(hù)和多檔位細(xì)分等功能。在器件選型和軟、硬件設(shè)計(jì)方面兼顧了性能與成本等因素,性價(jià)比較高且通用性強(qiáng)。 該驅(qū)動(dòng)器樣機(jī)已完成制作并進(jìn)行了聯(lián)調(diào)測(cè)試,文中給出了測(cè)試結(jié)果并對(duì)所測(cè)波形進(jìn)行了分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,系統(tǒng)硬件和軟件設(shè)計(jì)合理可行,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。它與混合式步進(jìn)電動(dòng)機(jī)配套可以明顯地改善步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行性能,拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。

    標(biāo)簽: 步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器

    上傳時(shí)間: 2013-06-07

    上傳用戶:西伯利亞狼

  • 用單片機(jī)制作通用型電視遙控器.rar

    用單片機(jī)制作通用型電視遙控器,初學(xué)者可以參考學(xué)習(xí)一下。

    標(biāo)簽: 用單片機(jī) 通用型電 遙控器

    上傳時(shí)間: 2013-07-15

    上傳用戶:yangbo69

  • 高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的研究.rar

    高速電機(jī)由于轉(zhuǎn)速高、體積小、功率密度高,在渦輪發(fā)電機(jī)、渦輪增壓器、高速加工中心、飛輪儲(chǔ)能、電動(dòng)工具、空氣壓縮機(jī)、分子泵等許多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。永磁無(wú)刷直流電機(jī)由于效率高、氣隙大、轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此特別適合高速運(yùn)行。高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)是目前國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn),其主要問(wèn)題在于:(1)轉(zhuǎn)子機(jī)械強(qiáng)度和轉(zhuǎn)子動(dòng)力學(xué);(2)轉(zhuǎn)子損耗和溫升。本文針對(duì)高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)主要問(wèn)題之一的轉(zhuǎn)子渦流損耗進(jìn)行了深入分析。轉(zhuǎn)子渦流損耗是由定子電流的時(shí)間和空間諧波以及定子槽開(kāi)口引起的氣隙磁導(dǎo)變化所產(chǎn)生的。首先通過(guò)優(yōu)化定子結(jié)構(gòu)、槽開(kāi)口和氣隙長(zhǎng)度的大小來(lái)降低電流空間諧波和氣隙磁導(dǎo)變化所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)子渦流損耗;通過(guò)合理地增加繞組電感以及采用銅屏蔽環(huán)的方法來(lái)減小電流時(shí)間諧波引起的轉(zhuǎn)子渦流損耗。其次對(duì)轉(zhuǎn)子充磁方式和轉(zhuǎn)子動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了分析。最后制作了高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)樣機(jī)和控制系統(tǒng),進(jìn)行了空載和負(fù)載實(shí)驗(yàn)研究。論文主要工作包括: 一、采用解析計(jì)算和有限元仿真的方法研究了不同的定子結(jié)構(gòu)、槽開(kāi)口大小、以及氣隙長(zhǎng)度對(duì)高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響。對(duì)于2極3槽集中繞組、2極6槽分布疊繞組和2極6槽集中繞組的三臺(tái)電機(jī)的定子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對(duì)比,利用傅里葉變換,得到了分布于定子槽開(kāi)口處的等效電流片的空間諧波分量,然后采用計(jì)及轉(zhuǎn)子集膚深度和渦流磁場(chǎng)影響的解析模型計(jì)算了轉(zhuǎn)子渦流損耗,通過(guò)有限元仿真對(duì)解析計(jì)算結(jié)果加以驗(yàn)證。結(jié)果表明:3槽集中繞組結(jié)構(gòu)的電機(jī)中含有2次、4次等偶數(shù)次空間諧波分量,該諧波分量在轉(zhuǎn)子中產(chǎn)生大量的渦流損耗。采用有限元仿真的方法研究了槽開(kāi)口和氣隙長(zhǎng)度對(duì)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,在空載和負(fù)載狀態(tài)下的研究結(jié)果均表明:隨著槽開(kāi)口的增加或者氣隙長(zhǎng)度的減小,轉(zhuǎn)子損耗隨之增加。因此從減小高速永磁無(wú)刷電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的角度考慮,2極6槽的定子結(jié)構(gòu)優(yōu)于2極3槽結(jié)構(gòu)。 二、高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)額定運(yùn)行時(shí)的電流波形中含有大量的時(shí)間諧波分量,其中5次和7次時(shí)間諧波分量合成的電樞磁場(chǎng)以6倍轉(zhuǎn)子角速度相對(duì)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),11次和13次時(shí)間諧波分量合成的電樞磁場(chǎng)以12倍轉(zhuǎn)子角速度相對(duì)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),這些諧波分量與轉(zhuǎn)子異步,在轉(zhuǎn)子保護(hù)環(huán)、永磁體和轉(zhuǎn)軸中產(chǎn)生大量的渦流損耗,是轉(zhuǎn)子渦流損耗的主要部分。首先研究了永磁體分塊對(duì)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,分析表明:永磁體的分塊數(shù)和透入深度有關(guān),對(duì)于本文設(shè)計(jì)的高速永磁無(wú)刷直流電機(jī),當(dāng)永磁體分塊數(shù)大于12時(shí),永磁體分塊才能有效地減小永磁體中的渦流損耗;反之,永磁體分塊會(huì)使永磁體中的渦流損耗增加。為了提高轉(zhuǎn)子的機(jī)械強(qiáng)度,在永磁體表面通常包裹一層高強(qiáng)度的非磁性材料如鈦合金或者碳素纖維等。分析了不同電導(dǎo)率的包裹材料對(duì)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響。然后利用渦流磁場(chǎng)的屏蔽作用,在轉(zhuǎn)子保護(hù)環(huán)和永磁體之間增加一層電導(dǎo)率高的銅環(huán)。有限元分析表明:盡管銅環(huán)中會(huì)產(chǎn)生渦流損耗,但正是由于銅環(huán)良好的導(dǎo)電性,其產(chǎn)生的渦流磁場(chǎng)抵消了氣隙磁場(chǎng)的諧波分量,使永磁體、轉(zhuǎn)軸以及保護(hù)環(huán)中的損耗顯著下降,整體上降低了轉(zhuǎn)子渦流損耗。分析了不同的銅環(huán)厚度對(duì)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,研究表明轉(zhuǎn)子各部分的渦流損耗隨著銅屏蔽環(huán)厚度的增加而減小,當(dāng)銅環(huán)的厚度達(dá)到6次時(shí)間諧波的透入深度時(shí),轉(zhuǎn)子損耗減小到最小。 三、對(duì)于給定的電機(jī)尺寸,設(shè)計(jì)了兩臺(tái)電感值不同的高速永磁無(wú)刷直流電機(jī),通過(guò)研究表明:電感越大,電流變化越平緩,電流的諧波分量越低,轉(zhuǎn)子渦流損耗越小,因此通過(guò)合理地增加繞組電感能有效的降低轉(zhuǎn)子渦流損耗。 四、研究了高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)的電磁設(shè)計(jì)和轉(zhuǎn)子動(dòng)力學(xué)問(wèn)題。對(duì)比分析了平行充磁和徑向充磁對(duì)高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)性能的影響,結(jié)果表明:平行充磁優(yōu)于徑向充磁。設(shè)計(jì)并制作了兩種不同結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子:?jiǎn)味耸捷S承支撐結(jié)構(gòu)和兩端式軸承支撐結(jié)構(gòu)。對(duì)兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行了轉(zhuǎn)子動(dòng)力學(xué)分析,實(shí)驗(yàn)研究表明:由于轉(zhuǎn)子設(shè)計(jì)不合理,單端式軸承支撐結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速達(dá)到40,000rpm以上時(shí),保護(hù)環(huán)和定子齒部發(fā)生了摩擦,破壞了轉(zhuǎn)子動(dòng)平衡,導(dǎo)致電機(jī)運(yùn)行失敗,而兩端式軸承支撐結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子成功運(yùn)行到100,000rpm以上。 五、最后制作了平行充磁的高速永磁無(wú)刷直流電機(jī)樣機(jī)和控制系統(tǒng),進(jìn)行了空載和負(fù)載實(shí)驗(yàn)研究。對(duì)比研究了PWM電流調(diào)制和銅屏蔽環(huán)對(duì)轉(zhuǎn)子損耗的影響,研究表明:銅屏蔽環(huán)能有效的降低轉(zhuǎn)子渦流損耗,使轉(zhuǎn)子損耗減小到不加銅屏蔽環(huán)時(shí)的1/2;斬波控制會(huì)引入高頻電流諧波分量,使得轉(zhuǎn)子渦流損耗增加。通過(guò)計(jì)算繞組反電勢(shì)系數(shù)的方法,得到了不同控制方式下帶銅屏蔽環(huán)和不帶銅屏蔽環(huán)轉(zhuǎn)子永磁體溫度。采用簡(jiǎn)化的暫態(tài)溫度場(chǎng)有限元模型分析了轉(zhuǎn)子溫升,有限元分析和實(shí)驗(yàn)計(jì)算結(jié)果基本吻合,驗(yàn)證了銅屏蔽環(huán)的有效性。

    標(biāo)簽: 無(wú)刷直流 電機(jī)轉(zhuǎn)子 渦流損耗

    上傳時(shí)間: 2013-05-18

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  • 用一片CPLD實(shí)現(xiàn)數(shù)字鎖相環(huán),用VHDL或V語(yǔ)言.rar

    用一片CPLD實(shí)現(xiàn)數(shù)字鎖相環(huán),用VHDL或V語(yǔ)言

    標(biāo)簽: CPLD VHDL 數(shù)字鎖相環(huán)

    上傳時(shí)間: 2013-05-27

    上傳用戶:hewenzhi

  • USB制作資料.rar

    該包內(nèi)含有詳細(xì)的USB制作資料,包含原理圖,固件程序,

    標(biāo)簽: USB 制作資料

    上傳時(shí)間: 2013-06-14

    上傳用戶:muyehuli

  • 制作完美的單雙面PCB雕刻教程.rar

    PCB線路板雕刻機(jī)可根據(jù)PCB線路設(shè)計(jì)軟件(如PROTEL)設(shè)計(jì)生成的線路文件,自動(dòng)、精確地制作單、雙面印制電路板。用戶只需在計(jì)算機(jī)上完成PCB文件設(shè)計(jì)并據(jù)其生成加工文件后,通過(guò)LPT通訊接口傳送給雕刻機(jī)的控制系統(tǒng),雕刻機(jī)就能快速的自動(dòng)完成雕刻、鉆孔、隔邊的全部功能,制作出一塊精美的線路板來(lái),真正實(shí)現(xiàn)了低成本、高效率的自動(dòng)化制板。該設(shè)備操作簡(jiǎn)單,可靠性高,是高校電子、機(jī)電、計(jì)算機(jī)、控制、儀器儀表等相關(guān)專業(yè)實(shí)驗(yàn)室、電子產(chǎn)品研發(fā)企業(yè)及科研院所、軍工單位等的理想工具。 線路板雕刻機(jī)是一種機(jī)電、軟硬件互相結(jié)合的高新科技產(chǎn)品,它利用PCB線路設(shè)計(jì)軟件(如PROTEL)生成的PCB文件信息,轉(zhuǎn)換為國(guó)際通用的G代碼加工文件,直接輸出給雕刻機(jī),來(lái)控制雕刻機(jī)自動(dòng)完成雕刻、鉆孔、切邊等工作。它利用物理雕刻方法,通過(guò)計(jì)算機(jī)控制,在空白的敷銅板上把不必要的銅箔銑去,形成用戶設(shè)計(jì)的線路板。使用簡(jiǎn)單、精度高、省時(shí)、省料。

    標(biāo)簽: PCB 美的 教程

    上傳時(shí)間: 2013-07-16

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  • 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件新型封裝技術(shù)及材料的研究.rar

    有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn),完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示,應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景,吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而,OLED也存在一些問(wèn)題,特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo),除了器件的材料,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理,結(jié)構(gòu)和封裝入手,首先,探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能;ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大,明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次,針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn),在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素,其厚度在1.2μm左右時(shí),光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實(shí)驗(yàn)一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比,研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng),其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍,研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后,分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。

    標(biāo)簽: 機(jī)電 發(fā)光 顯示器件

    上傳時(shí)間: 2013-07-11

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  • 電子制作.rar

    電子制作的一些案例和說(shuō)明,適用初學(xué)者。比較適用的資料。

    標(biāo)簽: 電子制作

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