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單片機(jī)(jī)制作

  • PCB設(shè)計與制作第2版.rar

    PCB設(shè)計制作與工藝,作電路板開發(fā)的一定要看看!不可錯過哦

    標(biāo)簽: PCB

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:kbnswdifs

  • 高速永磁電機(jī)的機(jī)械和電磁特性研究.rar

    本課題是國家自然科學(xué)基金重點資助項目“微型燃?xì)廨啓C(jī)一高速發(fā)電機(jī)分布式發(fā)電與能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究”(50437010)的部分研究內(nèi)容。高速電機(jī)的體積小、功率密度大和效率高,正在成為電機(jī)領(lǐng)域的研究熱點之一。高速電機(jī)的主要特點有兩個:一是轉(zhuǎn)子的高速旋轉(zhuǎn),二是定子繞組電流和鐵心中磁通的高頻率,由此決定了不同于普通電機(jī)的高速電機(jī)特有的關(guān)鍵技術(shù)。本文針對高速永磁電機(jī)的機(jī)械與電磁特性及其關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了深入地研究,主要包括以下內(nèi)容: 首先,進(jìn)行了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的結(jié)構(gòu)設(shè)計與強(qiáng)度分析。根據(jù)永磁體抗壓強(qiáng)度遠(yuǎn)大于抗拉強(qiáng)度的特點,提出了一種采用整體永磁體外加非導(dǎo)磁高強(qiáng)度合金鋼護(hù)套的新型轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)。永磁體與護(hù)套之間采用過盈配合,用護(hù)套對永磁體施加的靜態(tài)預(yù)壓力抵消高速旋轉(zhuǎn)離心力產(chǎn)生的拉應(yīng)力,使永磁體高速旋轉(zhuǎn)時仍承受一定的壓應(yīng)力,從而保證永磁轉(zhuǎn)子的安全運(yùn)行。基于彈性力學(xué)厚壁筒理論與有限元接觸理論,建立了新型高速永磁轉(zhuǎn)子應(yīng)力計算模型,確定了護(hù)套和永磁體之間的過盈量,計算了永磁體和護(hù)套中的應(yīng)力分布。該種轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度計算方法已應(yīng)用于高速永磁電機(jī)的樣機(jī)設(shè)計。 其次,進(jìn)行了高速永磁轉(zhuǎn)子的剛度分析和磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的臨界轉(zhuǎn)速計算。基于電磁場理論分析了磁力軸承支承的各向同性,利用氣隙靜態(tài)偏置磁通密度計算了磁力軸承的線性支承剛度,在對高速電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)離散化的基礎(chǔ)上建立了磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的動力學(xué)方程,采用有限元法計算了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的臨界轉(zhuǎn)速。利用該計算方法設(shè)計的1臺采用磁力軸承的高速電機(jī),已成功實現(xiàn)60000r/min的運(yùn)行。 再次,進(jìn)行了高速永磁電機(jī)的定子設(shè)計,提出了一種新型環(huán)形繞組結(jié)構(gòu)。環(huán)型繞組線圈的下層邊放在定子鐵心的6個槽中,而上層邊分布在定子鐵心軛部外緣的24個槽中,不但增加了定子表面的通風(fēng)散熱面積,使冷卻氣流直接冷卻定子繞組,更為重要的是,解決了傳統(tǒng)2極電機(jī)繞組端部軸向過長的難題,使轉(zhuǎn)子軸向長度大為縮短,從而增加了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的剛度。 然后,采用場路耦合以及解析與實驗相結(jié)合的方法,分析計算了高速永磁電機(jī)的損耗和溫升,并對高速永磁發(fā)電機(jī)的電磁特性進(jìn)行了仿真。高速電機(jī)的優(yōu)點是體積小和功率密度大,然而隨之而來的缺點是單位體積的損耗大,以及因散熱面積小造成的散熱困難。損耗和溫升的準(zhǔn)確計算對高速電機(jī)的安全運(yùn)行至關(guān)重要。為了準(zhǔn)確計算高速電機(jī)的高頻鐵耗,對定子鐵心所采用的各向異性冷軋電工鋼片制作的試件,進(jìn)行了不同頻率和不同軋制方向的導(dǎo)磁性能和損耗系數(shù)測定。然后采用場路耦合的方法,分析計算了高速電機(jī)的定子鐵耗和銅耗、轉(zhuǎn)子護(hù)套和永磁體內(nèi)的高頻附加損耗以及轉(zhuǎn)子表面的風(fēng)磨損耗。在損耗分析的基礎(chǔ)上,計算了高速電機(jī)的溫升。最后,設(shè)計制造了一臺額定轉(zhuǎn)速為60000r/min的高速永磁電機(jī)試驗樣機(jī),并進(jìn)行了初步的試驗研究。測量了電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速下空載運(yùn)行時的定、轉(zhuǎn)子溫升及定子繞組的反電動勢波形。通過與仿真結(jié)果的對比,部分驗證了高速永磁電機(jī)理論分析和設(shè)計方法的正確性。在此基礎(chǔ)上,提出一種高速永磁電機(jī)的改進(jìn)設(shè)計方案,為進(jìn)一步的研究工作打下了基礎(chǔ)。

    標(biāo)簽: 永磁電機(jī) 機(jī)械 電磁

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:woshiayin

  • 多細(xì)分二相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器的研制.rar

    論文分析了混合式步進(jìn)電動機(jī)的工作原理和運(yùn)行特性。采用簡化的磁網(wǎng)絡(luò)模型,推導(dǎo)了建立二相混合式步進(jìn)電機(jī)數(shù)學(xué)模型的關(guān)系式。并對步進(jìn)電機(jī)的多種驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的研究,著重分析和論述了正弦脈寬調(diào)制細(xì)分驅(qū)動技術(shù)。文中對整個系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、硬件電路設(shè)計及驅(qū)動軟件編程進(jìn)行了研究和實現(xiàn),并給出了系統(tǒng)性能實驗結(jié)果。 步進(jìn)電機(jī)的使用離不開步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器,驅(qū)動器的優(yōu)劣影響著步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行性能。傳統(tǒng)的驅(qū)動方式側(cè)重于使步進(jìn)電機(jī)繞組電流以盡可能短的時間上升到額定值,以提高電機(jī)高速運(yùn)行時的轉(zhuǎn)矩,一般步距角較大,且造成低速運(yùn)行時的振動和噪聲加大。針對此問題,開發(fā)出一種新型的基于單片機(jī)的多細(xì)分二相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該驅(qū)動器以二相混合式步進(jìn)電動機(jī)的靜態(tài)和動態(tài)運(yùn)行特性為出發(fā)點,主要分為數(shù)字控制部分、GAL片邏輯綜合信號處理單元、SG3525恒流控制電路、驅(qū)動功放電路、過流保護(hù)及反饋電路和系統(tǒng)供電電源模塊等。采用專用集成芯片和可編程邏輯器件,以8位單片機(jī)AT89C51為控制核心,實現(xiàn)恒流控制、正/反轉(zhuǎn)運(yùn)行、過流保護(hù)和多檔位細(xì)分等功能。在器件選型和軟、硬件設(shè)計方面兼顧了性能與成本等因素,性價比較高且通用性強(qiáng)。 該驅(qū)動器樣機(jī)已完成制作并進(jìn)行了聯(lián)調(diào)測試,文中給出了測試結(jié)果并對所測波形進(jìn)行了分析。實驗結(jié)果表明,系統(tǒng)硬件和軟件設(shè)計合理可行,各項技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到了設(shè)計要求。它與混合式步進(jìn)電動機(jī)配套可以明顯地改善步進(jìn)電動機(jī)的運(yùn)行性能,拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。

    標(biāo)簽: 步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動器

    上傳時間: 2013-06-07

    上傳用戶:西伯利亞狼

  • 用單片機(jī)制作通用型電視遙控器.rar

    用單片機(jī)制作通用型電視遙控器,初學(xué)者可以參考學(xué)習(xí)一下。

    標(biāo)簽: 用單片機(jī) 通用型電 遙控器

    上傳時間: 2013-07-15

    上傳用戶:yangbo69

  • 高速永磁無刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的研究.rar

    高速電機(jī)由于轉(zhuǎn)速高、體積小、功率密度高,在渦輪發(fā)電機(jī)、渦輪增壓器、高速加工中心、飛輪儲能、電動工具、空氣壓縮機(jī)、分子泵等許多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。永磁無刷直流電機(jī)由于效率高、氣隙大、轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)簡單,因此特別適合高速運(yùn)行。高速永磁無刷直流電機(jī)是目前國內(nèi)外研究的熱點,其主要問題在于:(1)轉(zhuǎn)子機(jī)械強(qiáng)度和轉(zhuǎn)子動力學(xué);(2)轉(zhuǎn)子損耗和溫升。本文針對高速永磁無刷直流電機(jī)主要問題之一的轉(zhuǎn)子渦流損耗進(jìn)行了深入分析。轉(zhuǎn)子渦流損耗是由定子電流的時間和空間諧波以及定子槽開口引起的氣隙磁導(dǎo)變化所產(chǎn)生的。首先通過優(yōu)化定子結(jié)構(gòu)、槽開口和氣隙長度的大小來降低電流空間諧波和氣隙磁導(dǎo)變化所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)子渦流損耗;通過合理地增加繞組電感以及采用銅屏蔽環(huán)的方法來減小電流時間諧波引起的轉(zhuǎn)子渦流損耗。其次對轉(zhuǎn)子充磁方式和轉(zhuǎn)子動力學(xué)進(jìn)行了分析。最后制作了高速永磁無刷直流電機(jī)樣機(jī)和控制系統(tǒng),進(jìn)行了空載和負(fù)載實驗研究。論文主要工作包括: 一、采用解析計算和有限元仿真的方法研究了不同的定子結(jié)構(gòu)、槽開口大小、以及氣隙長度對高速永磁無刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響。對于2極3槽集中繞組、2極6槽分布疊繞組和2極6槽集中繞組的三臺電機(jī)的定子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對比,利用傅里葉變換,得到了分布于定子槽開口處的等效電流片的空間諧波分量,然后采用計及轉(zhuǎn)子集膚深度和渦流磁場影響的解析模型計算了轉(zhuǎn)子渦流損耗,通過有限元仿真對解析計算結(jié)果加以驗證。結(jié)果表明:3槽集中繞組結(jié)構(gòu)的電機(jī)中含有2次、4次等偶數(shù)次空間諧波分量,該諧波分量在轉(zhuǎn)子中產(chǎn)生大量的渦流損耗。采用有限元仿真的方法研究了槽開口和氣隙長度對轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,在空載和負(fù)載狀態(tài)下的研究結(jié)果均表明:隨著槽開口的增加或者氣隙長度的減小,轉(zhuǎn)子損耗隨之增加。因此從減小高速永磁無刷電機(jī)轉(zhuǎn)子渦流損耗的角度考慮,2極6槽的定子結(jié)構(gòu)優(yōu)于2極3槽結(jié)構(gòu)。 二、高速永磁無刷直流電機(jī)額定運(yùn)行時的電流波形中含有大量的時間諧波分量,其中5次和7次時間諧波分量合成的電樞磁場以6倍轉(zhuǎn)子角速度相對轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),11次和13次時間諧波分量合成的電樞磁場以12倍轉(zhuǎn)子角速度相對轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),這些諧波分量與轉(zhuǎn)子異步,在轉(zhuǎn)子保護(hù)環(huán)、永磁體和轉(zhuǎn)軸中產(chǎn)生大量的渦流損耗,是轉(zhuǎn)子渦流損耗的主要部分。首先研究了永磁體分塊對轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,分析表明:永磁體的分塊數(shù)和透入深度有關(guān),對于本文設(shè)計的高速永磁無刷直流電機(jī),當(dāng)永磁體分塊數(shù)大于12時,永磁體分塊才能有效地減小永磁體中的渦流損耗;反之,永磁體分塊會使永磁體中的渦流損耗增加。為了提高轉(zhuǎn)子的機(jī)械強(qiáng)度,在永磁體表面通常包裹一層高強(qiáng)度的非磁性材料如鈦合金或者碳素纖維等。分析了不同電導(dǎo)率的包裹材料對轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響。然后利用渦流磁場的屏蔽作用,在轉(zhuǎn)子保護(hù)環(huán)和永磁體之間增加一層電導(dǎo)率高的銅環(huán)。有限元分析表明:盡管銅環(huán)中會產(chǎn)生渦流損耗,但正是由于銅環(huán)良好的導(dǎo)電性,其產(chǎn)生的渦流磁場抵消了氣隙磁場的諧波分量,使永磁體、轉(zhuǎn)軸以及保護(hù)環(huán)中的損耗顯著下降,整體上降低了轉(zhuǎn)子渦流損耗。分析了不同的銅環(huán)厚度對轉(zhuǎn)子渦流損耗的影響,研究表明轉(zhuǎn)子各部分的渦流損耗隨著銅屏蔽環(huán)厚度的增加而減小,當(dāng)銅環(huán)的厚度達(dá)到6次時間諧波的透入深度時,轉(zhuǎn)子損耗減小到最小。 三、對于給定的電機(jī)尺寸,設(shè)計了兩臺電感值不同的高速永磁無刷直流電機(jī),通過研究表明:電感越大,電流變化越平緩,電流的諧波分量越低,轉(zhuǎn)子渦流損耗越小,因此通過合理地增加繞組電感能有效的降低轉(zhuǎn)子渦流損耗。 四、研究了高速永磁無刷直流電機(jī)的電磁設(shè)計和轉(zhuǎn)子動力學(xué)問題。對比分析了平行充磁和徑向充磁對高速永磁無刷直流電機(jī)性能的影響,結(jié)果表明:平行充磁優(yōu)于徑向充磁。設(shè)計并制作了兩種不同結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子:單端式軸承支撐結(jié)構(gòu)和兩端式軸承支撐結(jié)構(gòu)。對兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行了轉(zhuǎn)子動力學(xué)分析,實驗研究表明:由于轉(zhuǎn)子設(shè)計不合理,單端式軸承支撐結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速達(dá)到40,000rpm以上時,保護(hù)環(huán)和定子齒部發(fā)生了摩擦,破壞了轉(zhuǎn)子動平衡,導(dǎo)致電機(jī)運(yùn)行失敗,而兩端式軸承支撐結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子成功運(yùn)行到100,000rpm以上。 五、最后制作了平行充磁的高速永磁無刷直流電機(jī)樣機(jī)和控制系統(tǒng),進(jìn)行了空載和負(fù)載實驗研究。對比研究了PWM電流調(diào)制和銅屏蔽環(huán)對轉(zhuǎn)子損耗的影響,研究表明:銅屏蔽環(huán)能有效的降低轉(zhuǎn)子渦流損耗,使轉(zhuǎn)子損耗減小到不加銅屏蔽環(huán)時的1/2;斬波控制會引入高頻電流諧波分量,使得轉(zhuǎn)子渦流損耗增加。通過計算繞組反電勢系數(shù)的方法,得到了不同控制方式下帶銅屏蔽環(huán)和不帶銅屏蔽環(huán)轉(zhuǎn)子永磁體溫度。采用簡化的暫態(tài)溫度場有限元模型分析了轉(zhuǎn)子溫升,有限元分析和實驗計算結(jié)果基本吻合,驗證了銅屏蔽環(huán)的有效性。

    標(biāo)簽: 無刷直流 電機(jī)轉(zhuǎn)子 渦流損耗

    上傳時間: 2013-05-18

    上傳用戶:zl123!@#

  • 用一片CPLD實現(xiàn)數(shù)字鎖相環(huán),用VHDL或V語言.rar

    用一片CPLD實現(xiàn)數(shù)字鎖相環(huán),用VHDL或V語言

    標(biāo)簽: CPLD VHDL 數(shù)字鎖相環(huán)

    上傳時間: 2013-05-27

    上傳用戶:hewenzhi

  • USB制作資料.rar

    該包內(nèi)含有詳細(xì)的USB制作資料,包含原理圖,固件程序,

    標(biāo)簽: USB 制作資料

    上傳時間: 2013-06-14

    上傳用戶:muyehuli

  • 制作完美的單雙面PCB雕刻教程.rar

    PCB線路板雕刻機(jī)可根據(jù)PCB線路設(shè)計軟件(如PROTEL)設(shè)計生成的線路文件,自動、精確地制作單、雙面印制電路板。用戶只需在計算機(jī)上完成PCB文件設(shè)計并據(jù)其生成加工文件后,通過LPT通訊接口傳送給雕刻機(jī)的控制系統(tǒng),雕刻機(jī)就能快速的自動完成雕刻、鉆孔、隔邊的全部功能,制作出一塊精美的線路板來,真正實現(xiàn)了低成本、高效率的自動化制板。該設(shè)備操作簡單,可靠性高,是高校電子、機(jī)電、計算機(jī)、控制、儀器儀表等相關(guān)專業(yè)實驗室、電子產(chǎn)品研發(fā)企業(yè)及科研院所、軍工單位等的理想工具。 線路板雕刻機(jī)是一種機(jī)電、軟硬件互相結(jié)合的高新科技產(chǎn)品,它利用PCB線路設(shè)計軟件(如PROTEL)生成的PCB文件信息,轉(zhuǎn)換為國際通用的G代碼加工文件,直接輸出給雕刻機(jī),來控制雕刻機(jī)自動完成雕刻、鉆孔、切邊等工作。它利用物理雕刻方法,通過計算機(jī)控制,在空白的敷銅板上把不必要的銅箔銑去,形成用戶設(shè)計的線路板。使用簡單、精度高、省時、省料。

    標(biāo)簽: PCB 美的 教程

    上傳時間: 2013-07-16

    上傳用戶:tdyoung

  • 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件新型封裝技術(shù)及材料的研究.rar

    有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)柔性顯示,應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景,吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo),除了器件的材料,結(jié)構(gòu)設(shè)計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理,結(jié)構(gòu)和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能;ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大,明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進(jìn)行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測試與討論。通過對比,研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。

    標(biāo)簽: 機(jī)電 發(fā)光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

  • 電子制作.rar

    電子制作的一些案例和說明,適用初學(xué)者。比較適用的資料。

    標(biāo)簽: 電子制作

    上傳時間: 2013-07-16

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