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單片機(jī)制作

  • 變壓器的制作

    變壓器的制作,開關電源變壓器的制作,高頻變壓器制作

    標簽: 變壓器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:mhp0114

  • 一種隔離調壓式交流電源的設計制作

        針對電子儀器設備在線試驗和自耦調壓器使用中出現的用電不安全問題,提出了一種"隔離調壓式交流電源"設計與制作方法,給出了原理和設計功能指標,確定了器件(部件)與結構優化組成,通過制作實驗和對功能參數的測試,達到了設計要求,并具有很好的安全性。

    標簽: 隔離 調壓式 交流電源

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:netwolf

  • 簡單的超高壓發生器制作

    超高壓發生器輸出幾十千伏超高壓、應用負粒子、點火、臭氧。簡易超高壓發生器,圖1-1的電路可輸出幾十千伏超高壓。當接通電源時,電源經R向C2充電至2CTS導通,即觸發SCR導通。原來C被電源充滿的電荷立即經SCR放電,升壓變壓器T次級感應高壓電。當用汽車點火線圈作升壓器,電容C1容量為0.1uF時,空氣火花間長度為12mm。空氣的絕緣度是3KV/mm,所以對應的高壓是36KV。本電路耗電約為1W。制作時請注意安全!

    標簽: 超高壓 發生器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wli25203

  • 基于集成電路CD4040的電子電位器制作

    使用二進制集成電路CD4040可制作電子電位器。CD4040集成電路各腳功能。電位可有4096擋次,如電壓在4.096V,每伏有1000個1mV變化進位擋,每進1位上升1mV,電路二進制位0~11位以高位電阻最小。如第11位50kΩ、第10位100kΩ、第9位200kΩ、第8位400kΩ、第7位800kΩ、第6位1.6MΩ、第5位3.2MΩ、第4位6.4MΩ、第3位12.8MΩ、第2位25.6MΩ、第1位51.2MΩ、第0位102.4MΩ,向下按每退1位、阻值加1倍順序排列。如排錯,或電阻不是倍數,電位的上升值會不均勻,進到某數值便突然跳變。

    標簽: 4040 CD 集成電路 電子電位器

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:dumplin9

  • TL431及PC817在開關電源中的應用

      本設計的基準電壓和反饋電路采用常用的三端穩壓器TL431來完成,在反饋電路的應用中運用采樣電壓通過TL431限壓,再通過光電耦合器PC817把電壓反饋到SG3525的COMP端。   由于TL431具有體積小、基準電壓精密可調,輸出電流大等優點,所以用TL431可以制作多種穩壓器。其性能是輸出電壓連續可調達36V,工作電流范圍寬達0.1~100mA,動態電阻典型值為0.22歐,輸出雜波低。其最大輸入電壓為37V,最大工作電流為150mA,內基準電壓為2.5V,輸出電壓范圍為2.5~30V。   TL431是由美國德州儀器(TI)和摩托羅拉公司生產的2.5~36V可調式精密并聯穩壓器。其性能優良,價格低廉,可廣泛用于單片精密開關電源或精密線性穩壓電源中。此外,TL431還能構成電壓比較器、電源電壓監視器、延時電路、精密恒流源等。

    標簽: 431 817 TL PC

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:mpquest

  • 簡易單電源變雙電源的制作(NE555)

    簡易單電源變雙電源的制作(NE555)

    標簽: 555 NE 單電源 雙電源

    上傳時間: 2014-04-28

    上傳用戶:cc1915

  • 分比功率架構和V•I晶片靈活、優越的功率系統方案

    當今電子系統如高端處理器及記憶體,對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰,是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率轉換方案,應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。

    標簽: 8226 功率架構 功率

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:yan2267246

  • PIC16F876A制作數控電源(完整C程序+HEX+仿真+

    PIC16F876A制作數控電源(完整C程序+HEX+仿真+電路圖)

    標簽: F876 876A PIC 16F

    上傳時間: 2014-01-08

    上傳用戶:dumplin9

  • S51下載線制作原理文件包V2.0

    S51下載線制作原理文件包V2.0

    標簽: S51 2.0 下載線

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:jiangshandz

  • 晶片wafer 平面工藝詳細介紹

    晶片wafer 平面工藝詳細介紹

    標簽: wafer 晶片 工藝 詳細介紹

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:jesuson

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