新一代移動SIM卡防爆技術規范/
標簽： SIM 中國移動 克隆 技術規范
上傳時間： 2013-11-18
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AL-FGB系列復合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復合式過電壓保護器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產品，將組容吸收器和避雷器的功能有機結合在一起，專用于35KV及以下中壓電網中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產生的高頻操作過電壓，同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優點。可廣泛地應用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產品使過電壓保護器的整體功能實現了重大突破，是目前功能最全面、保護最完善的產品。符合國家產業政策及國家電氣產品無油化、小型化、節能環保等發展趨勢，具有顯著的技術經濟效益和廣泛的社會效益，是我國電力建設尤其是城鄉電網改造急需的產品。 該產品廣泛應用于發電廠、變（配）電站、各種水利設施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業企業等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強大，保護更全面 在中壓電網中，由于真空電器產品（真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關、真空重合器等）的滅弧能力特別強，在關、合感性負載（發電機、變壓器、電抗器和電動機等）時，容易引發截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達105～106HZ），對感性負載的危害性極大，被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優點，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設計，功能互補，相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結合，保護功能互不干涉，還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實線路徑，經避雷回路Ⅱ泄入大地；同時保護了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時，則按虛線路徑，經阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時減少避雷回路的動作次數，保護閥片，延長產品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險性； 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現場許多事故實例都證明，在操作過電壓作用下，電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設備危害極大。 AL-FGB設計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機率，成功抑制高陡度對電氣設備的危害。 目前同類的過電壓保護設備，如避雷器、各類組合式過電壓保護器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環保節能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運行時僅通過μA級電流，不僅節約電能，而且不向電網提供附加電容電流，保證系統穩定工作。具體參數設計保證其在需要時能夠迅速接入電網，保護即時，而且接入電網工頻電壓性能穩定、分散性小、不受大氣條件影響。 設置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設備時，AL-FGB接入電網，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾，適應的電網運行環境更廣； 電網中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護設備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發生單相接地異常運行時都與電網隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網中工作,適應的電網運行環境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統過電壓，持續時間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統過電壓極易損壞過電壓保護設備，出現爆炸等現象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實現自我保護功能。當系統過電壓超過AL-FGB的承受能力時，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護本體，避免出現爆炸的現象，控制事故范圍，延長使用壽命，運行更安全更經濟。 7、既可保護相對地，又可保護相間； 四極式聯接（如圖2-2），具體參數設計保證：不僅能保護相對地絕緣，而且能保護相間絕緣。本身為連體結構，體積小，性能穩定，而價格不高。 8、吸收容量大，保護范圍更廣； 針對35KV電網系統，AL-FGB電容容量高達0.05μF，保護范圍完全覆蓋該電網系統中的各類電氣設備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網系統，其電容容量高達0.1μF，吸收容量更大，保護范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級阻燃材質； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術指標，其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求，該產品能在環境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運行，在2UN下連續運行4小時不出現閃絡和擊穿；極間選用國外進口的優質、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質；各個電容器單元聯接后采用阻燃環氧樹脂灌封；電性能穩定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統運行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應特性，殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質，使用更放心。 10、動態記錄，清晰掌控設備運行狀況； 可根據用戶要求選裝放電動作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
標簽： AL-FGB 過電壓保護器
上傳時間： 2013-10-16
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防雷
標簽： 電源產品 雷擊
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：yeluorag
賽靈思spartan6系列FPGA片內資源設計指導
標簽： spartan6 FPGA 賽靈思 資源
上傳用戶：wang0123456789
在PADS中鍋仔片的制作方法
標簽： PADS
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：范縝東苑
altium+designer+10+破解文件(防+局域網+沖突)
標簽： designer altium 10 破解文件
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：dumplin9
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時間： 2013-11-04
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J-LIN仿真器操作步驟，J-LIN仿真器操作步驟。
標簽： J-LIN 仿真器 操作
上傳時間： 2013-10-31
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潮光科技整理應用方案：安防——門禁控制器
標簽： 門禁控制器 方案
上傳時間： 2013-12-23
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防雷與接地
標簽： 工廠供電 防雷
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