電源設計往往是系統最后一個考慮因素。這時，大部分用戶可選擇一個有效模塊——輸入一個DC電壓生成另一個電壓。這個模塊可以有不同規格，以步降方式生成低電壓，或以步升方式生成高電壓。同時，還有大量專用方案，如步升/步降、反激式和單端初級電感轉換器（sepic），這種DC-DC 轉換器可生成大于、小于或等于輸入電壓的輸出電壓。對于基于AC 電源工作的系統，可能首先需要采用AC-DC 模塊生成系統所需的最高DC 電壓。因此，步降轉換器，也稱降壓轉換器，是使用最為廣泛的設備。下面，我們先介紹如何選擇基礎步降電壓轉換器，提高輕負載效率，然后討論選擇外周器件的考慮因素。
上傳時間： 2013-12-29
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描述了一個8位二進制輸入的DAC 文章中包含源代碼 采用數字化技術、在測控系統中用IP核實現D/A轉換，并且在1片可編程邏輯器件中實現。它不受溫度的影響，既可保持高分辨率，又可降低對電路精度和穩定度的要求，并減少元件的數量。
上傳時間： 2016-06-10
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在AT91RM9200的開發平臺，實現Irda紅外通訊的功能。AT91RM9200自帶Irda通訊協議的解析，可直接通過外接器件完成Irda遠程紅外遙控
上傳時間： 2017-08-11
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為微蕊的單片機與LCD interface
上傳時間： 2018-10-25
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MCS-8051單晶片控制點矩陣字幕機的相關資料
上傳時間： 2014-01-10
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單片機作為一種微型計算機，其內部具有一定的存儲單元（8031除外），但由于其內部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法，將數據線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換，數據線不僅用于傳送數據信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256KB數據存儲空間的擴展為例，通過該擴展方法，僅用10個I/O端口便可實現，與傳統的擴展方法相比，可節約8個I/O端口。 Abstract: As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.
上傳時間： 2014-12-26
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有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
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電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
上傳時間： 2014-12-24
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項目簡介 外翅片機用于將普通的光亮銅管加工成翅片狀銅管,翅片管大都用于要求有高翅片系數的熱交換設備中,使用翅片管與使用光管相比重量可減少1/3~1/2.
上傳時間： 2013-11-12
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WEBGAME 機器人大戰EBS(無盡的戰爭) 架設方法 WIN2K系列主機 ，最簡單的方法就是 設置一個虛擬目錄 其它就稍微改改 config.cgi的設置，還有餓ebs_sub 1 2 3.cgi的圖片地址就基本好了 WIN2K沒有虛擬目錄的話就除了要做上面的那些以外 還要打開所有文件，搜索類似這樣的 require config.cgi 都改成絕對路徑就行了 UNIX LINUX FREEBSD 系列的話,就要設置屬性了 ebs目錄所有CGI文件設置成 755 所有DAT文件設置成 777 logmiulerebeb 目錄也就是數據目錄，這個要設置成 777 裏面所有文件也是 777 當然，你可以修改這個目錄，最好修改成其他目錄，然後把config.cgi的數據庫目錄改改就可以了, 然後就是改 config.cgi的一些設置，還要改 ebs_sub 1 2 3.cgi的圖片地址了,最後就是，UNIX LINUX系列的大小寫都分的很清楚，這個版本我懶得整理，所以有的是答謝，有的是小寫，自己改改吧.
上傳時間： 2014-01-10
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