基于BCB鍵合的MEMS加速度計圓片級封裝工藝
對基于BCB的圓片級封裝工藝進行了研究,該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發展趨勢,是MEMS加速度計產業化的關鍵。選用3000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘結鍵合工藝試驗,解決了圓片級封裝問題,在低溫250 ℃和適當壓力輔助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)...
對基于BCB的圓片級封裝工藝進行了研究,該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發展趨勢,是MEMS加速度計產業化的關鍵。選用3000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘結鍵合工藝試驗,解決了圓片級封裝問題,在低溫250 ℃和適當壓力輔助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)...
ICL8038 單片函數發生器...
在PADS中鍋仔片的制作方法...
電路如果存在不穩定性因素,就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容...
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