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單管放大

  • 美國模擬電子技術教材 博伊爾斯塔德

    本書的核心內容是關于半導體器件和有源電路的模擬電子電路基礎。兩位作者Robert L.Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學從事電路分析、電子電路基礎等相關學科教學的資深教授,在電子電路學科領域出版了多部優秀教材,受到很高的評價。本書自1972年首次出版至今已經修訂至第九版,涵蓋了更廣泛和新穎的內容,成為流行30多年的優秀經典教材。這本改編版在第九版原版內容的基礎上,結合國內高等教育中模擬電子電路課程的特點,進行了部分內容的調整。 內容提要 本書是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth.Edition之英文改編版《模擬電子技術》的翻譯版,內容包括半導體器件基礎、二極管及其應用電路、晶體管和場效應管放大電路的基本原理及頻率響應、功率放大電路、多級放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書對原版教材進行了改編,精簡了內容,突出了重點,補充了必要知識點,內容更加新穎和系統化,反映了器件和應用的發展趨勢,強調了系統工程的概念。 本書與英文版教材配套使用,適合電子、計算機、通信等相關專業電子電路基礎課程40學時到68學時的中文或雙語教學要求,也可供相關專業工程技術人員的學習和參考。 

    標簽: 模擬電子

    上傳時間: 2022-03-21

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  • VIP專區-PCB源碼精選合集系列(15)

    VIP專區-PCB源碼精選合集系列(15)資源包含以下內容:1. pc6-protel99yjkxz.2. Keil軟件使用教程.3. 電源之PCB布線設計.4. [高速PCB基礎理論及內存仿真技術].佚名.文字版.5. 常用PCB基材性能分析-FR4.6. Altium Designer常用快捷鍵匯總.7. 如何在ad6中打印PCB的布線層和絲印層.8. PADS BlazeRouter功能簡介之交互式高速PCB設計.9. 數顯式測量電路PCB圖.10. 60分鐘學會OrCAD中文教程.11. Altium_Designer區域_ROOM_規則使用方法.12. Polar SI9000.13. AD6 PCB設計.14. 基于PROTEUS設計制作印刷電路板.15. SDRAM與DDR布線指南.16. Altium Designer PCB封裝庫.17. Allegro16.2中英文菜單.18. PCBA工藝評審(2011-8-17).19. PCB設計銅鉑厚度與線寬和電流以及溫升的關系.20. si8000教程.21. 于博士_60分鐘學會orCAD.22. Allegro_SPB_16-3速成教材.23. pcb板制造所需雕刻機軟件.24. 華為的經典PCB教程.25. 機架式8路OTDR MB—V1.0器件焊接清單.26. 常用的焊盤尺寸.27. 抄板軟件_QuickPcb2006_(加密狗版)_已破解.28. 高速PCB設計常見問題.29. 電容在EMC設計中的重要性.30. PCB元件庫全面.31. PCB電路圖設計問題.32. 幾種ESD防護設計.33. protel99元件對照表.34. DXP使用技巧.35. altium_designer10.0入門.36. OrCAD Capture CIS 9學習教材.37. pcb布局.38. 波峰焊和回流焊的區別.39. 貼片元件焊盤尺寸規范.40. 單管放大_從原理圖到PCB.

    標簽: 電氣 技術基礎

    上傳時間: 2013-04-15

    上傳用戶:eeworm

  • IRF510是一個常用的mos管.他的主要應用不是在其放大的方面.而是在其恒流方面,因此做為直流電流源的設計有很高的靈敏度

    IRF510是一個常用的mos管.他的主要應用不是在其放大的方面.而是在其恒流方面,因此做為直流電流源的設計有很高的靈敏度

    標簽: IRF 510 mos 方面

    上傳時間: 2014-07-03

    上傳用戶:wkchong

  • 可控硅整流器觸發裝置與半導體放大線路-143頁-2.6M.pdf

    晶閘管-可控硅專輯-14冊-131M 可控硅整流器觸發裝置與半導體放大線路-143頁-2.6M.pdf

    標簽: 143 2.6 可控硅整流器

    上傳時間: 2013-07-20

    上傳用戶:shinesyh

  • 兩種新型微波管慢波結構的高頻特性仿真研究

    慢波結構是微波管重要的部件,它是電子注與高頻場相互作用進行能量交換以實現微波振蕩或放大的場所。隨著對微波管性能越來越高的要求,微波管慢波結構的效率和性能要求也隨之提高。文中首先分析了如何求解微波管慢波結構的高頻特性,并在此基礎上使用了HFSS以及CST MWS等軟件對兩種新型微波管慢波結構(環桿慢波結構、折疊波導慢波結構)的高頻特性(色散特性、耦合阻抗)進行了初步的仿真研究,并通過對結果的分析比較了兩個結構的特性。

    標簽: 微波管 仿真研究 慢波 高頻特性

    上傳時間: 2013-10-15

    上傳用戶:258彼岸

  • 可控硅整流器觸發裝置與半導體放大線路 143頁 2.6M.pdf

    晶閘管,可控硅專輯 14冊 131M可控硅整流器觸發裝置與半導體放大線路 143頁 2.6M.pdf

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • IRS2902驅動MOS管資料

    以IRS2902S作D類功放驅動,以場效應管做功率放大,那么,柵極所串的二極管有什么作用?如果是為場效應管的柵極放電,但二極管D3,D4的正向電阻遠遠大于它們所并聯的4.7R電阻,有大俠解惑。

    標簽: irs2902 驅動 mos管

    上傳時間: 2022-02-19

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  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設計

    本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設計,在s波段頻率范圍內,應用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面:首先,設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內,對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點,繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構,使用ADS軟件對其進行仿真優化,設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設計出滿足要求的電源電路。最后,分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調試,最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。

    標簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 電磁爐IGBT管擊穿原因

    電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中,功率管的損壞占有相當大的比例,若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一:諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良,將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高,從而引起功率管IGBT管損壞,經查其他電路無異常時,我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二:IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至,必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障,高電壓就會加到IGBT 管的G 極,導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三:同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時, 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。

    標簽: 電磁爐 igbt

    上傳時間: 2022-06-22

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  • 硅穩壓管

    硅穩壓管

    標簽: 穩壓管

    上傳時間: 2013-08-02

    上傳用戶:eeworm

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