基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結
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GaN器件技術資料
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探索GaN器件的前沿技術，掌握高效能電子設計的關鍵。氮化鎵（GaN）以其卓越的高頻性能、高功率密度及耐高溫特性，在電源轉換器、射頻通信設備以及新能源汽車等領域展現出巨大潛力。本頁面匯集了3883個精選資源，從基礎理論到實際應用案例，全面覆蓋GaN器件的設計與優化技巧。無論是初學者還是資深工程師，都能在這里找到提升技能所需的知識寶庫。立即加入我們，開啟您的GaN技術創新之旅！
?? GaN器件熱門資料
查看全部3883個資源 ?基于GaN器件射頻功率放大電路的設計
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級...
第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰
作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 ...
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN SiC）材料及器件測試
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對...
GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖...
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