靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）是構成集成電路可靠性的主要因素之一，存在于生產到使用的每一個環節，并成為開發新一代工藝技術的難點之一，近年來，對ESD的研究也因而越來越受到重視，仿真工具在ESD領域的應用使得ESD防護的研究變得更為便利，可大幅縮短研發周期然而，由于ESD現象復雜的物理機制，極端的電場及溫度條件，以及ESD仿真中頻繁的不收斂現象，都使得FSD的仿真變得極為困難本文詳細闡述了ESD的來源、造成的危害以及如何測試集成電路的防靜電沖擊能力，并基于 Sentaurus軟件，對ESD防護器件展開了的分析、研究，內容包括1）掌握ESD保護的基本理論、測試方法和防護機理2）研究了工藝仿真流程的步驟以及網格定義在工藝仿真中的重要性，并對網格定義的方法進行了探討3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函數，并對描述同一物理機制的的各種不同模型展開對比分析.主要包括傳輸方程模型、能帶模型、各種遷移率退化模型、雪崩離化模型和復合模型4）研究了雙極型晶體管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防護器件的仿真，并通過對仿真結果的分析，研究了ESD保護器件在ESD應力作用下的工作機理關鍵詞：靜電放電；網格；器件仿真；雙極型晶體管；可控硅
標簽： 靜電放電 esd
上傳時間： 2022-03-30
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基于量子流體動力學模型，自主編制程序開發了半導體器件仿真軟件。其中包括快速、準確數值離散方法和準確的物理模型。基于對同一個si雙極晶體管的模擬，與商用軟件有近似的仿真結果。表明量子流體動力學模型具有可行性，同時也表明數值算法和物理模型的正確性。
標簽： 量子 流體 動力學模型 半導體器件
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：fanxiaoqie
半導體仿真工具Silvaco TCAD學習資料，中文，第1章 仿真準備，第2章 二維工藝仿真，第3章 二維器件仿真，第4章 高級的特性，附錄A 材料系統，附錄B 物理
標簽： 器件仿真
上傳時間： 2016-03-24
上傳用戶：蟲蟲網....
ADS仿真時，從各廠商下載的器件仿真模型其實都是由這個庫里的元件組成的。所以ADS仿真需要它，每升級一個版本，這個庫都會更新一次。我上傳的這個對應ADS2017
標簽： ads RF器件
上傳時間： 2022-07-29
使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析。結果表明,通過調整器件結構參數,例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區厚度等,對器件轉移特性、輸出特性有較大影響。
標簽： MESFET SiCOI 特性分析
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：PresidentHuang
《集成電路設計制造中EDA工具實用教程》共17章，分為三個部分。第一部分介紹半導體工藝和半導體器件仿真工具，分別介紹了Synopsys公司的TSUPREM4/MEDICI，ISE TCAD和Silvaco公司的Athena/Atlas等TCAD工具及其使用，并以ESD靜電放電防護器件的設計及驗證為實例介紹這些軟件工具的應用。第二部分介紹了模擬集成電路設計工具的應用，輔以典型模擬IC電路的設計實例，以Cadence設計流程中的工具為主，同時也介紹了業界常用的Synopsys的Hspice電路仿真工具和Mentor Graphics的Calibre版圖驗證工具。第三部分為數字集成電路的設計工具使用教程，分別介紹了用Matlab進行系統級驗證、用ModelSim和NC-Verilog進行HDL描述和仿真、用Xilinx ISE進行EPGA驗證設計、用Synopsys的Design Compiler工具進行邏輯綜合以及使用Cadence的SE和SOC Encounter進行IC后端設計等。最后介紹了可測性設計的基本概念和流程。
標簽： 集成電路 eda
上傳時間： 2022-07-16
上傳用戶：zhaiyawei
mutisim仿真模型器件建立
標簽： mutisim 仿真模型 器件
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：894898248
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：qoovoop
I2C器件的MCS－51匯編仿真程序 已經在實際當中使用過
標簽： I2C MCS 器件 仿真程序
上傳時間： 2014-11-27
上傳用戶：silenthink
一款優秀的單片機仿真軟件---proteus的自制實驗包 可以仿真mcu和外圍器件
標簽： proteus mcu 單片機仿真軟件 仿真
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：lijinchuan
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