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四線電阻式

一個可以計算分壓電路的源碼。可透過輸出與輸入電壓

一個可以計算分壓電路的源碼。可透過輸出與輸入電壓，計算電阻的大?。换蛲高^輸入電壓與電阻，計算最後輸出之電壓

標簽： 分

上傳時間： 2014-12-09

上傳用戶：hoperingcong
8鍵高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3608BM SOP16電子元器件貼片

產品描述提供8個觸摸感應按鍵，二進制(BCD)編碼輸出，具有一個按鍵承認輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認的狀態，對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 產品特色工作電壓範圍： 3.1V – 5.5V 工作電流： 3mA@5V 8 個觸摸感應按鍵提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開，輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。提供按鍵承認有效輸出，當有按鍵時輸出低電平，無按鍵為高電平。可以經由調整 CAP 腳的外接電容，調整靈敏度，電容越大靈敏度越高具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別內建 LDO 增加電源的抗干擾能力產品應用應用于大小家電，娛樂產品等

標簽： VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾防水電元器件貼片

上傳時間： 2019-08-08

上傳用戶：szqxw1688
VK3602K 2 KEYS 電容式觸摸按鍵應用電路簡單高抗干擾雙邏輯控制輸出

概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點和優勢：可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。可在有介質（如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等）隔離保護的情況下實現觸摸功能，安全性高。應用電壓范圍寬，可在2.4~5.5V之間任意選擇。應用電路簡單，外圍器件少，加工方便，成本低。抗電源干擾及手機干擾特性好。EFT可以達到±2KV以上；近距離、多角度手機干擾情況下，觸摸響應靈敏度及可靠性不受影響。特性 LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態由上電前OSC的輸入狀態決定。OSC管腳接VDD（高電平）上電，上電后LO1與LO2輸出高電平；OSC管腳接GND（低電平）上電，上電后LO1與LO2輸出低電平。 TI1觸摸輸入對應LO1邏輯輸出，TI2觸摸輸入對應LO2邏輯輸出。按住TI1或TI2，對應LO1或LO2的輸出狀態翻轉；松開后回復初始狀態。

標簽： 抗電源干擾及手機干擾特性好可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。

上傳時間： 2020-02-25

上傳用戶：shubashushi66
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb
三相異步起動永磁同步電動機的優化設計.rar

異步起動永磁同步電動機有別于調速永磁同步電動機，轉子上設有起動繞組，具有在某一頻率和電壓下的自行起動能力，同傳統的三相感應電動機相比，具有在寬負載范圍內效率高、功率因數高的優點，符合國家“節能環?！钡闹笇Х较?，有廣泛的應用前景。這種電機自問世以來，就受到普遍關注與重視，經過二十幾年的研究與發展，三相異步起動永磁同步電動機的設計技術逐漸成熟，并且已經開始被用于某些工業場合，但由于轉子磁路結構相對復雜，電動機的優化設計方法尚不完善，因而一直以來未得到大范圍內的推廣和應用。本課題以此為切入點，以小功率三相異步起動永磁同步電動機的批量生產為目標，本著轉子結構盡可能簡單、加工工藝盡可能簡化、同時電機性能盡可能提高的原則，對異步起動永磁同步電動機的優化設計方法進行研究。在研究過程中，作者應用Maxwell、Magneforce和Magnet等電機設計仿真軟件，系統分析了永磁體的嵌放深度、定轉子的齒槽配合、以及定轉子的磁路飽和等問題對電機性能的影響，最終設計并制成一臺容量為1.1kW的四極徑向磁路式異步起動永磁同步電動機，樣機的性能測試實驗結果與仿真所得結果吻合，成本預算與各方面性能指標均滿足設計需求。在樣機制成后，作者進一步對樣機的設計進行了優化，實驗結果證明所設計異步起動永磁同步電動機完全可以替代同規格的1.1kW，Y90S-4感應電動機。

標簽： 三相異步起動永磁同步電動機

上傳時間： 2013-07-31

上傳用戶：壞壞的華仔
旋轉變壓器及其R2D電路的研究.rar

在伺服系統中，為了實現高精度的控制，往往需要實時地檢測出電動機轉子的位置。用來檢測電動機轉子位置的角度傳感器主要有光電編碼器和旋轉變壓器。光電編碼器雖然能夠達到很高的精度，但是它的抗干擾性差，不宜應用在條件惡劣的場合中；相比較而言，旋轉變壓器（簡稱旋變）由于結構簡單，堅固耐用，抗干擾性強，能夠應用在各種條件惡劣的場合中，所以獲得了越來越廣泛的應用。本文采用的旋變樣機是一種新型的磁阻式旋轉變壓器。分析了它的定轉子結構、定子繞組的連接方式以及轉子形狀的優化；并在此基礎上，推導出了它的正余弦輸出反電勢的表達式；最后在電磁場分析軟件Ansoft中，以樣機為原型建立了仿真模型，分析了它內部的電磁場分布以及正余弦輸出反電勢的波形。其次，本文設計了一種以DSP為核心的R2D電路系統。它以振蕩電路產生的正弦波電壓信號作為旋變的激勵信號，加上相關的外圍電路，構成了旋轉變壓器一數字轉換器，解算出了旋變的軸角θ；并在此基礎上，分析了產生角度解算誤差的各種因素，同時計算出了旋變的轉速n。最后，在上述解算方案的基礎上，本文又給出了第二種解算方案，即：DSP產生的方波經過濾波之后作為旋變的激勵信號，解算出了旋變的軸角θ；然后比較了這兩種解算方案的優缺點，重點分析了激勵信號中的諧波分量對正余弦輸出反電勢以及角度解算的影響。

標簽： R2D 旋轉變壓器電路

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：pioneer_lvbo
基于ARM的嵌入式小型飛行參數測試系統的設計

飛機飛行的高度、馬赫數和升降速度等參數是飛機的自動控制、導航、火控、空中管制、和告警等系統必不可少的信息。隨著飛機性能的不斷增強，飛機上各系統對飛行參數測試的要求也越來越高，舊有的測試系統已逐漸不能適應現代高速飛機飛行參數的測試需求，本文針對項目委托方提出的技術要求，經過對飛行參數測試技術及其發展趨勢的研究分析，最終確定采用嵌入式技術，設計一款基于32位微處理器ARM的集數據采集、處理、顯示為一體的測試飛機飛行高度、馬赫數和升降速度的系統。基于課題的研究內容，本文在分析研究飛機飛行參數測試原理的基礎上，圍繞著設計目標，從整體方案的選擇、系統各部分元件的選取及測試系統的軟硬件設計等方面闡述了主要開展的設計研究工作。重點對系統硬件電路設計、軟件設計和氣壓傳感器的溫度補償方法進行了深入論述。應當指出，本文介紹的大氣數據參數測試專用機，選用小型化高采樣速率的硅壓阻式氣壓傳感器、高性能的32位ARM微處理器、高精度A/D轉換器、專用接口芯片等優化組合，集成度高，體積小，重量輕。實驗結果表明了所設計的系統方案合理有效，具有較好的實時性和可靠性，基本上滿足了系統的設計需要。

標簽： ARM 嵌入式飛行參數測試系統

上傳時間： 2013-06-23

上傳用戶：kr770906
小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

一直以來，電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

標簽： DFN 封裝電子電路斷路器

上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：qwerasdf
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節版

微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節版前言2/71 摘要5/71 除外責任5/71 第一章簡介 6/71 第二章背景知識 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲器的種類14/71 2.3 安全保護的類型 15/71 第三章破解技術 18/71 3.1 簡介 18/71 3.1.1 保護等級18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數據保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數據保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲器的數據保持能力 33/71 第五章侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學圖像來重建版圖41/71

標簽： MCU 微控制器破解

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：ikemada