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四電壓比較器

  • 四電壓比較器LM339的典型應(yīng)用實例

    四電壓比較器LM339的典型應(yīng)用實例: LM339集成塊內(nèi)部裝有四個獨立的電壓比較器,該電壓比較器的特點是:1)失調(diào)電壓小,典型值為2mV;2)電源電壓范圍寬,單電源為2-36V,雙電源電壓為±1V-

    標(biāo)簽: 339 LM 四電壓比較器 典型

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:gaojiao1999

  • 基于FPGA的無線信道仿真器設(shè)計與實現(xiàn)

    隨著人們對無線通信需求和質(zhì)量的要求越來越高,無線通信設(shè)備的研發(fā)也變得越來越復(fù)雜,系統(tǒng)測試在整個設(shè)備研發(fā)過程中所占的比重也越來越大。為了能夠盡快縮短研發(fā)周期,測試人員需要在實驗室模擬出無線信道的各種傳播特性,以便對所設(shè)計的系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試與測試。無線信道仿真器是進(jìn)行無線通信系統(tǒng)硬件調(diào)試與測試不可或缺的儀器之一。 本文設(shè)計的無線信道仿真器是以Clarke信道模型為參考,采用基于Jakes模型的改進(jìn)算法,使用Altera公司的StratixⅡ EP2S180模擬實現(xiàn)了頻率選擇性衰落信道。信道仿真器實現(xiàn)了四根天線數(shù)據(jù)的上行接收,每根天線由八條可分辨路徑,每條可分辨路徑由64個反射體構(gòu)成,每根天線可分辨路徑和反射體的數(shù)目可以獨立配置。通過對每個反射體初始角度和初始相位的設(shè)置,并且保證反射體的角度和相位是均勻分布的隨機數(shù),可以使得同一條路徑不同反射體之間的非相關(guān)特性,得到的多徑傳播信道是一個離散的廣義平穩(wěn)非相關(guān)散射模型(WSSUS)。無線信道仿真器模擬了上行數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境,上行數(shù)據(jù)由后臺產(chǎn)生后儲存在單板上的SDRAM中。啟動測試之后,上行數(shù)據(jù)在CPU的控制下通過信道仿真器,然后送達(dá)基帶處理板解調(diào),最后測試數(shù)據(jù)的誤碼率和誤塊率,從而分析基站的上行接收性能。 首先,本文研究了3GPP TS 25.141協(xié)議中對通信設(shè)備測試的要求和無線信道自身的特點,完成了對無線信道仿真器系統(tǒng)設(shè)計方案的吸收和修改。 其次,針對FPGA內(nèi)部資源結(jié)構(gòu),研究了信道仿真器FPGA實現(xiàn)過程中的困難和資源的消耗,進(jìn)行了模塊劃分。主要完成了時延模塊、瑞利衰落模塊、背板接口模塊等的RTL級代碼的開發(fā)、仿真、綜合和板上調(diào)試;完成了FPGA和后臺軟件的聯(lián)合調(diào)試;完成了兩天線到四天線的改版工作,使FPGA內(nèi)部的工作頻率翻了一倍,大幅降低了FPGA資源的消耗。 最后,在完成無線信道仿真器的硬件設(shè)計之后,對無線信道仿真器的測試根據(jù)3GPP TS 25.141 V6.13.0協(xié)議中的要求進(jìn)行,即在數(shù)據(jù)誤塊率(BLER)一定的情況下,對不同信道傳播環(huán)境和不同傳輸業(yè)務(wù)下的信噪比(Eb/No)進(jìn)行測試,單天線和多天線的測試結(jié)果符合協(xié)議中規(guī)定的信噪比(Eb/No)的要求。

    標(biāo)簽: FPGA 無線信道 仿真器

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:小楊高1

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:7891

  • 單個電阻器設(shè)定DCDC轉(zhuǎn)換器的正或負(fù)輸出

    對於許多電子子繫統(tǒng)而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應(yīng)用,僅采用一個簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器並不能滿足其要求

    標(biāo)簽: DCDC 電阻器 設(shè)定

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:nostopper

  • 僅用四個元件的大功率DC_DC調(diào)壓器

    我今天向大家介紹的這款大功率的DC—DC調(diào)壓器,僅需四個電子元器件!與復(fù)雜的電路,還有那個煩人的開關(guān)變壓器說:“拜拜。”

    標(biāo)簽: DC_DC 元件 大功率 調(diào)壓器

    上傳時間: 2013-11-25

    上傳用戶:yxgi5

  • 具有高傳輸比的“泵式”結(jié)構(gòu)矩陣變換器

    針對目前矩陣變換器電壓傳輸比多數(shù)只能達(dá)到0.866的問題,進(jìn)行了深入研究,設(shè)計了一種泵式矩陣變換器結(jié)構(gòu),使電壓傳輸比任意可調(diào),并從機理上解決了矩陣式變換器的傳輸比低的問題。

    標(biāo)簽: 傳輸 矩陣變換器

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:hanhanj

  • 38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器

    38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)被廣泛應(yīng)用于計算機、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)濟(jì)各行各業(yè)。特別是近年來,隨著IGBT的廣泛應(yīng)用,開關(guān)電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率,高性能的開關(guān)電源成為趨勢。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V,輸出電壓為DC38V,輸出電流為100A,輸出電壓低紋波,功率因數(shù)>0.9,必要時多臺電源可以直接并聯(lián)使用,并聯(lián)時的負(fù)載不均衡度<5%。   設(shè)計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓,經(jīng)過有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù),再經(jīng)半橋變換電路逆變后,由高頻變壓器隔離降壓,最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護(hù)電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上,采用二極管整流是不能滿足要求的,所以,加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片,是在UC3854基礎(chǔ)上的改進(jìn)。其特點是:采用平均電流控制,功率因數(shù)接近1,高帶寬,限制電網(wǎng)電流失真≤3%[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。   該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構(gòu)成控制部分,實現(xiàn)對網(wǎng)側(cè)輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件構(gòu)成Boost升壓電路。開關(guān)管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊,其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因為,設(shè)計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中,所以,在負(fù)載輕的時候不進(jìn)行功率因數(shù)校正,當(dāng)負(fù)載較大時功率因數(shù)校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現(xiàn)。R10及R11是負(fù)載檢測電阻。當(dāng)負(fù)載較輕時,R10及R11上檢測的信號輸入給比較器,使其輸出端為低電平,D2導(dǎo)通,給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負(fù)載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS(軟啟動端),在負(fù)載輕時D3導(dǎo)通,使SS為低電平;當(dāng)負(fù)載增大要求UC3854A/B工作時,SS端電位從零緩慢升高,控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現(xiàn)軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓?fù)?在大功率高頻開關(guān)電源中,常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關(guān)器件少,輸出功率大,但開關(guān)管承受電壓高(為電源電壓的2倍),且變壓器有六個抽頭,結(jié)構(gòu)復(fù)雜;全橋電路開關(guān)管承受的電壓不高,輸出功率大,但是需要的開關(guān)器件多(4個),驅(qū)動電路復(fù)雜。半橋電路開關(guān)管承受的電壓低,開關(guān)器件少,驅(qū)動簡單。根據(jù)對各種拓?fù)浞桨傅墓こ袒瘜崿F(xiàn)難度,電氣性能以及成本等指標(biāo)的綜合比較,本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關(guān)電源的主電路拓?fù)鋱D。

    標(biāo)簽: 100 38 AC DC

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:ukuk

  • 四路搶答器的設(shè)計和制作

    四路搶答器的設(shè)計和制作,搶答用的

    標(biāo)簽: 四路搶答器

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:ouyangmark

  • 基于OMAP1510的mp3播放器設(shè)計

      第一章 序論……………………………………………………………6   1- 1 研究動機…………………………………………………………..7   1- 2 專題目標(biāo)…………………………………………………………..8   1- 3 工作流程…………………………………………………………..9   1- 4 開發(fā)環(huán)境與設(shè)備…………………………………………………10   第二章 德州儀器OMAP 開發(fā)套件…………………………………10   2- 1 OMAP介紹………………………………………………………10   2-1.1 OMAP是什麼?…….………………………………….…10   2-1.2 DSP的優(yōu)點……………………………………………....11   2- 2 OMAP Architecture介紹………………………………………...12   2-2-1 OMAP1510 硬體架構(gòu)………………………………….…12   2-2.2 OMAP1510軟體架構(gòu)……………………………………...12   2-2.3 DSP / BIOS Bridge簡述…………………………………...13   2- 3 TI Innovator套件 -- OMAP1510 ……………………………..14   2-2.1 General Purpose processor -- ARM925T………………...14   2-2.2 DSP processor -- TMS320C55x …………………………15   2-2.3 IDE Tool – CCS …………………………………………15   2-2.4 Peripheral ………………………………………………..16   第三章 在OMAP1510上建構(gòu)Embedded Linux System…………….17   3- 1 嵌入式工具………………………………………………………17   3-1.1 嵌入式程式開發(fā)與一般程式開發(fā)之不同………….….17   3-1.2 Cross Compiling的GNU工具程式……………………18   3-1.3 建立ARM-Linux Cross-Compiling 工具程式………...19   3-1.4 Serial Communication Program………………………...20   3- 2 Porting kernel………………………………………………….…21   3-2.1 Setup CCS ………………………………………….…..21   3-2.2 編譯及上傳Loader…………………………………..…23   3-2.3 編譯及上傳Kernel…………………………………..…24   3- 3 建構(gòu)Root File System………………………………………..…..26   3-3.1 Flash ROM……………………………………………...26   3-3.2 NFS mounting…………………………………………..27   3-3.3 支援NFS Mounting 的kernel…………………………..27   3-3.4 提供NFS Mounting Service……………………………29   3-3.5 DHCP Server……………………………………………31   3-3.6 Linux root 檔案系統(tǒng)……………………………….…..32   3- 4 啟動及測試Innovator音效裝置…………………………..…….33   3- 5 建構(gòu)支援DSP processor的環(huán)境…………………………...……34   3-5.1 Solution -- DSP Gateway簡介……………………..…34   3-5.2 DSP Gateway運作架構(gòu)…………………………..…..35   3- 6 架設(shè)DSP Gateway………………………………………….…36   3-6.1 重編kernel……………………………………………...36   3-6.2 DEVFS driver…………………………………….……..36   3-6.3 編譯DSP tool和API……………………………..…….37   3-6.4 測試……………………………………………….…….37   第四章 MP3 Player……………………………………………….…..38   4- 1 MP3 介紹………………………………………………….…….38   4- 2 MP3 壓縮原理……………………………………………….….39   4- 3 Linux MP3 player – splay………………………………….…….41   4.3-1 splay介紹…………………………………………….…..41   4.3-2 splay 編譯………………………………………….…….41   4.3-3 splay 的使用說明………………………………….……41   第五章 程式改寫………………………………………………...…...42   5-1 程式評估與改寫………………………………………………...…42   5-1.1 Inter-Processor Communication Scheme…………….....42   5-1.2 ARM part programming……………………………..…42   5-1.3 DSP part programming………………………………....42   5-2 程式碼………………………………………………………..……43   5-3 雙處理器程式開發(fā)注意事項…………………………………...…47   第六章 效能評估與討論……………………………………………48   6-1 速度……………………………………………………………...48   6-2 CPU負(fù)載………………………………………………………..49   6-3 討論……………………………………………………………...49   6-3.1分工處理的經(jīng)濟(jì)效益………………………………...49   6-3.2音質(zhì)v.s 浮點與定點運算………………………..…..49   6-3.3 DSP Gateway架構(gòu)的限制………………………….…50   6-3.4減少IO溝通……………….………………………….50   6-3.5網(wǎng)路掛載File System的Delay…………………..……51   第七章 結(jié)論心得…

    標(biāo)簽: OMAP 1510 mp3 播放器

    上傳時間: 2013-10-14

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2013-12-15

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