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國產(chǎn)(chǎn)化

  • 四相交錯并聯(lián)變換器中耦合電感的對稱化

    為了提高交錯并聯(lián)變換器的性能,對四相交錯并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對稱耦合電感進行分析,推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進行不對稱耦合電感對稱化研究。通過Saber和3D Maxwell軟件進行仿真驗證和樣機實驗,驗證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。

    標(biāo)簽: 交錯并聯(lián) 變換器 耦合電感 對稱

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:wangfei22

  • Forward變換器的精確線性化控制

    為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能,采用了精確線性化控制方法。首先采用開關(guān)函數(shù)和開關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng),利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實驗結(jié)果表明,系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動態(tài)性能,驗證了該控制方法的有效性和正確性。

    標(biāo)簽: Forward 變換器 線性 控制

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:xywhw1

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • IGBT驅(qū)動電路模塊化設(shè)計

    IGBT驅(qū)動電路模塊化設(shè)計。

    標(biāo)簽: IGBT 驅(qū)動電路 模塊化設(shè)計

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:yczrl

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • Protel99SE 完全漢化包

    Protel99SE 完全漢化包.rar

    標(biāo)簽: Protel 99 SE 漢化包

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:kiklkook

  • FR-E500-CH變頻用戶手冊

    本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

    標(biāo)簽: FR-E 500 CH 用戶手冊

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:xhz1993

  • NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

    采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進一步改善電池的性能。

    標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:wanqunsheng

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大,系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達的國家,各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

    標(biāo)簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

  • 基于51單片機的智能溫度報警模塊化編程

    溫度報警模塊化,基于51單片機的智能溫度報警模塊化編程,適合初學(xué)者

    標(biāo)簽: 51單片機 智能溫度 報警 模塊化編程

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:小眼睛LSL

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