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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
標簽： FR-E 500 CH 用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：xhz1993
隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
STC15系列中文用戶手5
標簽： ADxxx STC 15F F08
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：文993
自己在學校的時候做的一些單片機仿真實例和一些資料，希望對大家有些幫助
標簽： Proteus 單片機 仿真實例
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：oojj
適用于51單片機的串口發n
標簽： 51單片機 串口 字節
上傳時間： 2014-12-25
上傳用戶：qingzhuhu
基于MSP430F149的觸摸手寫程序 很有用處
標簽： 430F F149 MSP 430
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：shanxiliuxu
89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽： 矩陣鍵盤
上傳時間： 2014-12-26
上傳用戶：lhw888
C51編寫對SST 之FLASH操作源代碼,用單片機實現對SST39VF040的操作
標簽： SST FLASH C51 040
上傳時間： 2015-01-04
上傳用戶：84425894
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