紅外熱成像
標(biāo)簽: 紅外熱 成像系統(tǒng) 論文
上傳時(shí)間: 2013-10-19
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分析了多顆成像衛(wèi)星對(duì)區(qū)域目標(biāo)的協(xié)同觀測(cè)問題的特點(diǎn),提出了基于星載遙感器的幅寬、側(cè)擺能力以及衛(wèi)星軌道參數(shù)的動(dòng)態(tài)區(qū)域劃分方法,該方法能夠根據(jù)衛(wèi)星參數(shù)及偏移參數(shù)動(dòng)態(tài)劃分候選觀測(cè)場(chǎng)景,從而充分利用衛(wèi)星每次過境的觀測(cè)機(jī)會(huì),特別適用于不同衛(wèi)星協(xié)同觀測(cè)的情況。在此基礎(chǔ)上建立了多星對(duì)區(qū)域目標(biāo)的協(xié)同觀測(cè)問題模型,該模型采用總體覆蓋率來衡量觀測(cè)效率,消除了不同衛(wèi)星對(duì)區(qū)域目標(biāo)觀測(cè)的交叉重疊帶來的影響。最后提出了模型求解的模擬退火算法。仿真實(shí)驗(yàn)表明,本文提出的方法能夠有效提高多星對(duì)區(qū)域目標(biāo)的協(xié)同觀測(cè)效率。
標(biāo)簽: 成像衛(wèi)星
上傳時(shí)間: 2013-10-14
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基于雷達(dá)目標(biāo)一維距離像非衰減指數(shù)和模型,文中將遺傳算法和Relax算法相結(jié)合求取目標(biāo)散射中心參數(shù),充分發(fā)揮兩種算法的優(yōu)勢(shì),通過仿真分析證明了文中方法的有效性。
標(biāo)簽: 雷達(dá)目標(biāo) 特征提取 方法研究
上傳時(shí)間: 2014-12-30
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為了實(shí)現(xiàn)對(duì)成像測(cè)井系統(tǒng)中井下儀器所采集數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)顯示,設(shè)計(jì)了一種基于ARM LPC1788的顯示系統(tǒng)。該系統(tǒng)主要用來接收上位機(jī)命令,采集各種模擬信號(hào),將采集數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)顯示在液晶屏上。軟件部分采用Keil RealView MDK+c語言編程。實(shí)際應(yīng)用表明,該系統(tǒng)具有操作簡(jiǎn)便、測(cè)試準(zhǔn)確的特點(diǎn),達(dá)到了設(shè)計(jì)要求,滿足成像系統(tǒng)整體需求。
標(biāo)簽: 1788 ARM LPC 成像測(cè)井
上傳時(shí)間: 2013-11-02
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讀溫感DS18B20顯示溫度值帶小數(shù),c源代碼
上傳時(shí)間: 2013-10-23
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醫(yī)療保健行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)是通過非置入手段來實(shí)現(xiàn)早期疾病預(yù)測(cè),降低病人開支,這一趨勢(shì)促使醫(yī)療成像設(shè)備在該領(lǐng)域扮演了越來越重要的角色。為滿足這些行業(yè)目標(biāo)需要的功能,設(shè)
上傳時(shí)間: 2013-10-21
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•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時(shí)間: 2013-10-21
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2013-11-04
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成像系統(tǒng)二維轉(zhuǎn)臺(tái)控制部分解決方案
標(biāo)簽: 成像系統(tǒng) 二維 分解 轉(zhuǎn)臺(tái)控制
上傳時(shí)間: 2013-10-12
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闡述了目前三維成像在其常見應(yīng)用領(lǐng)域中的研究,主要致力于研究高分辨率三維成像系統(tǒng)。三維激光成像是一項(xiàng)可以應(yīng)用于探測(cè)隱藏目標(biāo)、地形測(cè)繪、構(gòu)建虛擬環(huán)境、城市建模、目標(biāo)識(shí)別等領(lǐng)域中的技術(shù)。在區(qū)域成像技術(shù)中,除了如立體視覺和結(jié)構(gòu)化燈光等更常規(guī)的技術(shù),實(shí)時(shí)三維傳感也具有現(xiàn)實(shí)可操作性。當(dāng)前三維激光成像技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到有能力提供厘米級(jí)波長(zhǎng)的高分辨率三維成像,這將給許多領(lǐng)域提供方便,包括法律的實(shí)施和法醫(yī)調(diào)查。與CCD和紅外技術(shù)等傳統(tǒng)的被動(dòng)成像系統(tǒng)相比,激光成像技術(shù)不僅能提供強(qiáng)度和范圍信息,還能穿透植被和窗戶等特定情景元素。這意味著激光三維成像系統(tǒng)在目標(biāo)識(shí)別與辨認(rèn)等方面具備新的潛力。結(jié)果表明,激光三維成像系統(tǒng)可以在許多情況下得到應(yīng)用。
上傳時(shí)間: 2013-10-31
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