雙基地合成孔徑雷達(dá)(簡稱雙基地SAR或Bistatic SAR)是一種新的成像雷達(dá),也是當(dāng)今SAR技術(shù)的一個(gè)發(fā)展方向,在軍用及民用領(lǐng)域都具有良好的應(yīng)用前景,近年來成為研究的熱點(diǎn)。本文則側(cè)重于研究雙基地SAR的距離一多普勒(R-D)成像算法的實(shí)現(xiàn)。 在雙基地SAR系統(tǒng)及成像算法的研究方面,推導(dǎo)了雙基地SAR的系統(tǒng)分辨特性及雷達(dá)方程,分析了主要系統(tǒng)參數(shù)之間的約束關(guān)系。針對(duì)正側(cè)視機(jī)載雙基地SAR系統(tǒng),本文對(duì)距離一多普勒算法進(jìn)行了推廣。最后得到點(diǎn)目標(biāo)的仿真結(jié)果。 在成像算法的FPGA實(shí)現(xiàn)上,在System Generator環(huán)境下對(duì)算法進(jìn)行定點(diǎn)仿真。完成距離一多普勒成像算法的硬件實(shí)現(xiàn),其中包括了FFT快速傅立葉變換、硬件乘法器、:Rocket I/O接口設(shè)計(jì)、DCM數(shù)字時(shí)鐘管理等主要部分。針對(duì)硬件實(shí)現(xiàn)的特點(diǎn),對(duì)算法的部分運(yùn)算進(jìn)行了簡化。 為了對(duì)算法實(shí)現(xiàn)進(jìn)行驗(yàn)證,設(shè)計(jì)開發(fā)了該算法的硬件測試平臺(tái)。主要基于ML310評(píng)估板上XC2VP30芯片中嵌入的Power PC 405,完成其硬件部分的設(shè)計(jì),主要包括了Aurora協(xié)議接口、RS-232串行接口、DDR RAM接口以及其它如中斷、時(shí)鐘等部分。
上傳時(shí)間: 2013-07-26
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·紅外成像制導(dǎo)導(dǎo)彈自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別應(yīng)用現(xiàn)狀的分析
標(biāo)簽: 紅外成像 制導(dǎo) 分 導(dǎo)彈
上傳時(shí)間: 2013-07-29
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·詳細(xì)說明:北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院 許小劍編的《雷達(dá)成像原理》word版
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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針對(duì)準(zhǔn)確測量油氣水多相流各分相含量的問題,采用了電容層析成像技術(shù)完成油氣水多相流各分相含量測量。通過仿真分析了采用有限元分析方法的電極間的靈敏度特性,探討了測量中的"軟場"特性;結(jié)合靈敏度的分析,對(duì)單元濾波圖象重建進(jìn)行了仿真對(duì)比,得到單元濾波對(duì)圖像重建有很大的改善。說明采用電容層析成像技術(shù)測量各分相含量的方案是可行的。
上傳時(shí)間: 2013-10-15
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各研究機(jī)構(gòu)提出了像素補(bǔ)償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問題,文中對(duì)目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補(bǔ)償電路進(jìn)行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計(jì)方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標(biāo)簽: AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素
上傳時(shí)間: 2013-11-21
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PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項(xiàng)次 項(xiàng)目 備註1 一般PCB 過板方向定義: PCB 在SMT 生產(chǎn)方向?yàn)槎踢呥^迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向?yàn)镮/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義: SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時(shí)間: 2014-12-24
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對(duì)於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時(shí)間: 2013-11-19
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時(shí)間: 2014-09-08
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在醫(yī)用電阻抗層析成像(Electrical Impedance Tomography)系統(tǒng)中電壓控制電流源的性能十分重要,大部分報(bào)道的電壓控電流源電路在低頻時(shí)有較高的輸出阻抗但是在高頻時(shí)性能大幅減弱。通過分析生物阻抗測量系統(tǒng)對(duì)電壓控制電流源的需求,同時(shí)回顧一些已有的電壓控制電流源電路,包括雙運(yùn)放負(fù)反饋電路、跨導(dǎo)運(yùn)算放大器、AD844,設(shè)計(jì)了一種基于AD8610的電壓控制電流源。并通過電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了此電壓控制電流源的性能,同時(shí)提出了改進(jìn)方案。該電壓電流源不僅頻率和幅值可控、精度高,而且有較高的輸出阻抗。
標(biāo)簽: 電阻抗 成像系統(tǒng) 電壓控制 電流源
上傳時(shí)間: 2013-11-05
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人們把電源模塊比喻為電子系統(tǒng)和電子設(shè)備的“心臟”,隨著電子器件的快速發(fā)展,對(duì)電源系統(tǒng)穩(wěn)定和可靠性的要越來越高。使用紅外熱像儀控制電源溫度,是提高電源系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性的重要途徑。
上傳時(shí)間: 2014-12-24
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