IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT，只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng)，通過dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)和逆變的功能，同時(shí)只需要提供3.3 V，12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作，在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本，提高了系統(tǒng)可靠性。
標(biāo)簽： 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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影響數(shù)字信號(hào)處理發(fā)展的最主要因素之一就是處理速度。DFT使計(jì)算機(jī)處理頻域信號(hào)成為可能，但當(dāng)N很大時(shí)，直接計(jì)算N點(diǎn)DFT的計(jì)算量非常大。FFT可使DFT的運(yùn)算量下降幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而使數(shù)字信號(hào)處理的速度大大提高。本文介紹了如何利用高性能數(shù)字信號(hào)處理器實(shí)現(xiàn)FFT算法，給出了程序流程圖及關(guān)鍵程序源碼。該算法采用基2 FFT算法，參數(shù)計(jì)算主要采用查表法，計(jì)算量小，實(shí)時(shí)性高。在電網(wǎng)諧波檢測(cè)應(yīng)用中表明，該方法既能有效地檢測(cè)出電網(wǎng)諧波，又能滿足實(shí)時(shí)性要求。
標(biāo)簽： FFT 算法 電網(wǎng)諧波 檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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為了提高光伏發(fā)電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，對(duì)降壓式、升壓式、升降壓式這3種轉(zhuǎn)換電路的電路結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行詳細(xì)的分析。由這3種電路的等效電路圖，在MATLAB/Simulink的環(huán)境下建立這3種電路的仿真模型，通過仿真的輸出結(jié)果，計(jì)算比較它們的轉(zhuǎn)換效率的高低，最終確定升壓式轉(zhuǎn)換電路作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
標(biāo)簽： DC-DC 光伏發(fā)電系統(tǒng) 轉(zhuǎn)換電路 比較
上傳時(shí)間： 2014-01-15
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漏電保護(hù)器原理及在接線中應(yīng)注意
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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對(duì)於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事
標(biāo)簽： 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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在越來越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間： 2014-01-08
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時(shí)間： 2014-12-01
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場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)電路在電源技術(shù)中應(yīng)用較多
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 中的應(yīng)用 開關(guān)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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在 charge 項(xiàng)目中升壓部分的總結(jié)。
標(biāo)簽： charge 項(xiàng)目 升壓 分
上傳時(shí)間： 2013-12-19
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