采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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對(duì)二維粘性不可壓N-S方程求解，生成O型網(wǎng)格
上傳時(shí)間： 2014-01-04
上傳用戶：chongcongying
本章將介紹Windows CE 的儲(chǔ)存管理。我們將本章內(nèi)容分為兩大部分，前半部會(huì)依序介紹 Windows CE的檔案系統(tǒng)類型、 Windows CE儲(chǔ)存管理結(jié)構(gòu)和每一個(gè)層次、以及如何自行開發(fā)檔案系統(tǒng)並載入之，後半部則以Ramdisk上的檔案系統(tǒng)為例，實(shí)際分析儲(chǔ)存管理相關(guān)的原始程式碼與資料型態(tài)。
上傳時(shí)間： 2015-07-01
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本題的算法中涉及的三個(gè)函數(shù)： double bbp(int n,int k,int l) 其中n為十六進(jìn)制位第n位，k取值范圍為0到n+7，用來計(jì)算16nS1，16nS2，16nS3，16nS4小數(shù)部分的每一項(xiàng)。返回每一項(xiàng)的小數(shù)部分。 void pi(int m,int n,int p[]) 計(jì)算從n位開始的連續(xù)m位的十六進(jìn)制數(shù)字。其中p為存儲(chǔ)十六進(jìn)制數(shù)字的數(shù)組。 void div(int p[]) void add(int a[],int b[]) 這兩個(gè)函數(shù)都是為最后把十六進(jìn)制數(shù)字轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)字服務(wù)的。 最后把1000個(gè)數(shù)字分別存儲(chǔ)在整型數(shù)組r[]中，輸出就是按順序輸出該數(shù)組。
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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字模3簡(jiǎn)體中文版，用於生成中英文點(diǎn)陣字庫毋需序號(hào)，
標(biāo)簽： 字模
上傳時(shí)間： 2015-12-11
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數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)（嚴(yán)慰敏）配套純c代碼實(shí)驗(yàn)十 typedef int InfoType // 定義其它數(shù)據(jù)項(xiàng)的類型 typedef int KeyType // 定義RedType類型的關(guān)鍵字為整型 struct RedType // 記錄類型(同c10-1.h) { KeyType key // 關(guān)鍵字項(xiàng) InfoType otherinfo // 其它數(shù)據(jù)項(xiàng) } typedef char KeysType // 定義關(guān)鍵字類型為字符型 #include"c1.h" #include"c10-3.h" void InitList(SLList &L,RedType D[],int n) { // 初始化靜態(tài)鏈表L（把數(shù)組D中的數(shù)據(jù)存于L中） char c[MAX_NUM_OF_KEY],c1[MAX_NUM_OF_KEY] int i,j,max=D[0].key //
標(biāo)簽： typedef int InfoType KeyType
上傳時(shí)間： 2016-03-03
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增量型PID算法匯編程序，增量式PID算法的輸出量為 UnΔ = Kp[(en-en-1)+(T/Ti)en+(Td/T)(en-2*en-1+en-2)] 式中，en、en-1、en-2分別為第n次、n-1次和n-2次的偏差值，Kp、Ti、Td分別為比例系數(shù)、積分系數(shù)和微分系數(shù)，T為采樣周期。
上傳時(shí)間： 2016-03-11
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工 作 原 理 ---- 電 子 白 板 有 兩 種 實(shí) 現(xiàn) 模 型， 一 種 是 無 白 板 服 務(wù) 器，因 此 僅 支 持 兩 個(gè) 用 戶 直 接 連 結(jié)； 另 一 種 是 有 白 板 服 務(wù) 器，原 則 上 不 限 制 同 時(shí) 上 線 人 數(shù) 和 交 談 室 個(gè) 數(shù)， 具 體 實(shí) 現(xiàn) 上 可 視 服 務(wù) 器 性 能 和 需 要 而 定。 本 文 要 介 紹 屬 于 后 者。
標(biāo)簽： 模
上傳時(shí)間： 2016-03-19
上傳用戶：liansi
linux下的BBS，使用BBS CACHE，使得mem消耗很低。 天火系統(tǒng)的特點(diǎn)： 1. 統(tǒng)一物件型態(tài)設(shè)計(jì)，讓各種東西都可以在我的最愛出現(xiàn)。 2. 統(tǒng)一各狀態(tài)間的功能鍵。( 程式執(zhí)行過程只 "程式狀態(tài)" "物件型態(tài)" 來判定動(dòng)作 )。 3. 內(nèi)建各種系統(tǒng)(POP3/SMTP/NNTP/..)，未來只需要執(zhí)行單一程式，就會(huì)擁有各種功能。 4. 每個(gè)人都可以簡(jiǎn)單設(shè)定個(gè)人板。 5. 未來任兩個(gè) BBS 間都可以透過帳號(hào)作某一種程度的同步(Sync)。 6. 使用 pthread 設(shè)計(jì)，並且儘量遵守 POSIX ，達(dá)到簡(jiǎn)單移植到任何系統(tǒng)的目的。 7. 速度快 不使用 signal/shm/sem ，每個(gè) client 上來只吃 50k 不到的記憶體。 8. 朝無站長(zhǎng)系統(tǒng)目標(biāo)設(shè)計(jì)。
上傳時(shí)間： 2014-01-24
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OPEN-JTAG ARM JTAG 測(cè)試原理 1 前言 本篇報(bào)告主要介紹ARM JTAG測(cè)試的基本原理。基本的內(nèi)容包括了TAP (TEST ACCESS PORT) 和BOUNDARY-SCAN ARCHITECTURE的介紹，在此基礎(chǔ)上，結(jié)合ARM7TDMI詳細(xì)介紹了的JTAG測(cè)試原理。 2 IEEE Standard 1149.1 - Test Access Port and Boundary-Scan Architecture 從IEEE的JTAG測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)開始，JTAG是JOINT TEST ACTION GROUP的簡(jiǎn)稱。IEEE 1149.1標(biāo)準(zhǔn)最初是由JTAG這個(gè)組織提出，最終由IEEE批準(zhǔn)並且標(biāo)準(zhǔn)化，所以，IEEE 1149.1這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)一般也俗稱JTAG測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。 接下來介紹TAP (TEST ACCESS PORT) 和BOUNDARY-SCAN ARCHITECTURE的基本架構(gòu)。
標(biāo)簽： JTAG BOUNDARY-SCAN OPEN-JTAG ARM
上傳時(shí)間： 2016-08-16
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