介紹一種簡(jiǎn)便的方法, 只用軟件就可以將轉(zhuǎn)換器位數(shù)提高, 并且還能同時(shí)提高采樣系統(tǒng)的信噪比。通過(guò)實(shí)際驗(yàn)證, 證明該方法是成功的。
標(biāo)簽： A_D 過(guò)采樣 分辨率 信噪比
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：zhenyushaw
以雙音多頻信號(hào)為例，通過(guò)運(yùn)用快速傅里葉變換和Hanning窗等數(shù)學(xué)方法，分析了信號(hào)頻率，電平和相位之間的關(guān)系，推導(dǎo)出了計(jì)算非整周期正弦波形信噪比的算法，解決了數(shù)字信號(hào)處理中非整周期正弦波形信噪比計(jì)算精度低下的問(wèn)題。以C編程語(yǔ)言進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，證明了算法的正確性和可重用性，并可極大的提高工作效率。
標(biāo)簽： 周期 信噪比 正弦 波形
上傳時(shí)間： 2014-01-18
上傳用戶：laomv123
本文針對(duì)傳統(tǒng)儀用放大電路的特點(diǎn)，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負(fù)反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。
標(biāo)簽： 共模抑制比 儀用放大 電路 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：lingfei
開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)中往往存在兩個(gè)并聯(lián)電源性能參數(shù)不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統(tǒng)的并聯(lián)均流方案來(lái)平均分?jǐn)傠娏鳎@就需要按各個(gè)電源模塊的輸出能力分擔(dān)輸出功率。基于這種靈活性的需要，本設(shè)計(jì)在采用主從設(shè)置法設(shè)計(jì)并聯(lián)均流開關(guān)電源的基礎(chǔ)上新增加了單片機(jī)控制模塊，實(shí)現(xiàn)了分流比可任意調(diào)節(jié)、各模塊電流可實(shí)時(shí)監(jiān)控的半智能化并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)。實(shí)測(cè)結(jié)果表明，該并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)分流比設(shè)置誤差小于0.5%，具有總過(guò)流和單路過(guò)流保護(hù)功能。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 電流 并聯(lián) 電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：guojin_0704
環(huán)境溫度、光照強(qiáng)度和負(fù)載等因素對(duì)光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準(zhǔn)確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點(diǎn)。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎(chǔ)上，建立了光伏電池的仿真模型；針對(duì)傳統(tǒng)爬山法的不足，采用了自適應(yīng)占空比擾動(dòng)法對(duì)最大功率點(diǎn)進(jìn)行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設(shè)計(jì)過(guò)程。仿真結(jié)果表明：自適應(yīng)占空比擾動(dòng)算法跟蹤迅速，減少了系統(tǒng)在最大功率點(diǎn)附近的振蕩現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的跟蹤速度和精度。
標(biāo)簽： MPPT 光伏電池 算法研究
上傳時(shí)間： 2013-12-04
上傳用戶：bakdesec
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
為了有效地利用太陽(yáng)能，有必要對(duì)光伏發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)行最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級(jí)式光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)為研究對(duì)象，建立了任意外界環(huán)境下的光伏陣列數(shù)學(xué)模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點(diǎn)跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動(dòng)觀察法的MPPT控制策略，并通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行仿真驗(yàn)證。與傳統(tǒng)的占空比擾動(dòng)觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準(zhǔn)確地跟蹤上太陽(yáng)能電池的最大功率點(diǎn)。
標(biāo)簽： MPPT 模糊控制 光伏發(fā)電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2014-01-07
上傳用戶：ls530720646
介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
標(biāo)簽： DDR 記憶體 電源
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
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