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本文是以數(shù)位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開發(fā)

本文是以數(shù)位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開發(fā)，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅(qū)動裝置, RS232 除了可以與PC聯(lián)絡(luò)外也可以與具有CPU的熱能驅(qū)動器做命令傳輸。在計畫中分析現(xiàn)有工業(yè)用加熱驅(qū)動裝置和溫度曲線的關(guān)係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉(zhuǎn)換程式、I/O介面及通訊協(xié)定相關(guān)程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結(jié)果。

標簽： Processor Digital Singal DSP

上傳時間： 2013-12-24

上傳用戶：zjf3110
程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設(shè)計

程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設(shè)計，通過外接EEPROM來進行供電時的重列舉。程式包括USB韌體端的程式以及電腦端的程式。安裝：把來源程式碼複製到硬碟特定目錄下，使用Keil C編譯器和Visual C++ 6.0運行即可。注意：可以首先使用Cypress的測試工具進行韌體程式的測試，以確保韌體程式的正確性。

標簽： Cypress 68013A C68013 68013

上傳時間： 2017-02-10

上傳用戶：waitingfy
可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設(shè)計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因為閘極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標簽： 輸入電容電流

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
這程式是用J2ME撰寫而成

這程式是用J2ME撰寫而成，裡面所放置的jar檔經(jīng)過手機測試，可以利用手機的藍芽功能搜尋連接到有支援藍芽的電腦，由手機取得電腦的資料。

標簽： J2ME 程式

上傳時間： 2014-12-03

上傳用戶：guanliya
使用8051的chip來讀取mouse資料

使用8051的chip來讀取mouse資料，讀完後從RS232送出去給電腦判讀。必須配合software來顯示mouse資料

標簽： mouse 8051 chip

上傳時間： 2016-07-17

上傳用戶：1159797854
安裝 winxp sp3 後

安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務(wù)的問題解決

標簽： winxp sp3

上傳時間： 2016-11-21

上傳用戶：siguazgb
串列傳輸模擬

串列傳輸模擬，利用89C51配合電腦來傳輸資料

標簽： 模

上傳時間： 2017-05-09

上傳用戶：410805624
樂透選號小程式

樂透選號小程式，分為人工選號以及電腦選號，可自選所要的組數(shù)，並加入氣泡排序以及不重複出現(xiàn)的功能，最後可得到所中的號碼，有需要作相關(guān)的人可以下載並照自已的需求修改

標簽： 程式

上傳時間： 2013-12-23

上傳用戶：z754970244
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb