SPWM全橋逆變器主功率電路和控制電路設(shè)計(jì)
標(biāo)簽: spwm 逆變器
上傳時(shí)間: 2022-04-04
上傳用戶(hù):jason_vip1
該文檔為基于MATLAB的單相逆變器并網(wǎng)控制技術(shù)仿真研究總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽: matlab 逆變器
上傳時(shí)間: 2022-04-06
本文介紹了50KW三相并網(wǎng)光伏逆變器的設(shè)計(jì)方案,分別從硬件電路設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)進(jìn)行介紹。硬件電路設(shè)計(jì)包括主電路設(shè)計(jì)和控制電路設(shè)計(jì),主電路設(shè)計(jì)給出了組成主電路的主要元件的選型參數(shù),控制電路介紹了各部分設(shè)計(jì)過(guò)程。軟件設(shè)計(jì)包括主程序和中斷程序兩部分及每部分的設(shè)計(jì)內(nèi)容。
標(biāo)簽: 光伏逆變器
上傳時(shí)間: 2022-04-13
上傳用戶(hù):fliang
基于STM32單相逆變器的SPWM程序的資料,分享給大家一起看看。
標(biāo)簽: stm32 逆變器 spwm 程序
上傳時(shí)間: 2022-05-04
上傳用戶(hù):slq1234567890
TMS320F28335光伏離網(wǎng)并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)原理圖+PCB+DSP軟件源碼,可做為你的設(shè)計(jì)參考。
標(biāo)簽: tms320f28335 光伏 并網(wǎng) 逆變器
上傳時(shí)間: 2022-05-14
雙向正弦波逆變器,AD18,原理圖,PCB原創(chuàng)產(chǎn)品文件。SPWM正弦波逆變橋反向工作時(shí)兼做全橋開(kāi)關(guān);逆變升壓管充電時(shí)兼做同步整流管;包含本人的正弦波逆變器電路夢(mèng)的專(zhuān)利技術(shù)(已申報(bào))。絕對(duì)的原創(chuàng)作品!
標(biāo)簽: 正弦波逆變器
上傳時(shí)間: 2022-05-15
上傳用戶(hù):ttalli
1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖,Protel 99se 設(shè)計(jì),包括原理圖及PCB印制板圖,可用Protel或 Altium Designer(AD)軟件打開(kāi)或修改,可作為你產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。
標(biāo)簽: 逆變器 protel99se pcb
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本人對(duì)逆變器感興趣,參考各類(lèi)資料后,經(jīng)過(guò)兩次改版,制作了這一款純正弦波逆變器。設(shè)計(jì)功率在300W。從DC升壓到SPWM產(chǎn)生正弦波,均采用stm32c8t6(STM32C8T6數(shù)據(jù)手冊(cè))作為主控芯片,并同時(shí)提供高壓,低壓,過(guò)功率,和短路保護(hù)功能。現(xiàn)開(kāi)源。希望和喜歡做逆變的朋友交流,共同提高?! PWM穩(wěn)壓方式暫時(shí)采用310/DC求調(diào)制比的方式。從調(diào)試到現(xiàn)在已經(jīng)燒毀了5片stm32都是cpu短路,等有空查查是什么原因。 本機(jī)帶載過(guò)手電鉆,豆?jié){機(jī),電視機(jī),和一臺(tái)臺(tái)式電腦。豆?jié){機(jī)空載沒(méi)問(wèn)題,放上豆子后,幾秒鐘后會(huì)觸發(fā)保護(hù)。臺(tái)式電腦工作10分鐘后電瓶沒(méi)電了,就沒(méi)再試。
標(biāo)簽: stm32 正弦波逆變器
上傳時(shí)間: 2022-06-10
電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)、燃料電池汽車(chē)為代表的新能源汽車(chē)是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車(chē)的核心,其發(fā)展受到廣泛關(guān)注.IGBT模塊發(fā)展的關(guān)鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動(dòng)汽車(chē)逆變器大功率IGBT模塊的封裝過(guò)程中存在的缺陷,引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗(yàn)證納米銀焊膏的連接性能,以確定其能否應(yīng)用在所需的1GBT模塊的制作過(guò)程中,本文首先設(shè)計(jì)了單個(gè)模擬芯片的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn),通過(guò)微x射線(xiàn)斷層掃描儀、剪切實(shí)驗(yàn)、1描電鏡等檢測(cè)手段,對(duì)燒結(jié)后的連接層進(jìn)行了全方位的檢測(cè),結(jié)果發(fā)現(xiàn)雖然連接層沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷,但是剪切強(qiáng)度較低,經(jīng)過(guò)分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質(zhì)量并不十分可靠,因此又設(shè)計(jì)用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn),連接傳況良好,剪切實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)是芯片先出現(xiàn)破損,這證明了連接的質(zhì)量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應(yīng)用在IGBT模塊的制作中。本文重點(diǎn)介紹了整個(gè)IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個(gè)芯片燒結(jié)相類(lèi)似的操作過(guò)程,完成整個(gè)模塊的燒結(jié)。燒結(jié)完成后通過(guò)微 射線(xiàn)斷層掃描儀對(duì)燒結(jié)的質(zhì)量進(jìn)行了檢測(cè),通過(guò)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)連接層質(zhì)量良好。模塊燒結(jié)連接之后,更做出最終成型的IGBT模塊,還需要經(jīng)過(guò)外殼設(shè)計(jì)與制造、打線(xiàn)、灌度、組裝等工T藝,從而得到最終的成品,并通過(guò)晶體管特性測(cè)試儀對(duì)模塊的基本電性能進(jìn)行了檢測(cè)。
標(biāo)簽: 電動(dòng)汽車(chē) 逆變器 igbt模塊 封裝
上傳時(shí)間: 2022-06-20
摘要:對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對(duì)TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng),對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn),通過(guò)有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過(guò)流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過(guò)流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門(mén)極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個(gè)MoS門(mén)極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,它是日前最為常見(jiàn)的一種器件。
標(biāo)簽: 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間: 2022-06-21
上傳用戶(hù):jiabin
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