產品型號：VK2C21A/B/C/D 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電 封裝形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用） 產品年份：新年份 聯 系 人：許碩 原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT446 VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大80點（20SEGx4COM）或者最大128點（16SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。 特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為20x4位、16x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）
標簽： VK2C 21 LCD 應用于 抗干擾 環境 液晶驅動
上傳時間： 2022-06-07
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j1939 附錄a附錄b
標簽： j1939
上傳時間： 2022-06-09
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產品型號：VK2C21A/B/C/D 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電 封裝形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用） 產品年份：新年份 聯 系 人：許碩 Q Q：191 888 5898 聯系手機：18898582398（信） 原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT459 VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大80點（20SEGx4COM）或者最大128點（16SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。 特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為20x4位、16x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）
標簽： VK2C21 VK2C21A VK2C21B VK2C21C VK2C21D LCD抗干擾段碼屏驅動 段碼屏驅動抗干擾
上傳時間： 2022-06-09
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描述了NTC使用B值計算出實際溫度與輸出的電壓之間的關系。
標簽： ntc計算
上傳時間： 2022-06-15
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BC20-TE-B NB-Iot 評估板評估板原廠原理圖V1.2。完整對應實物裝置。
上傳時間： 2022-06-17
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從典型的表面貼裝工廠的實踐來看，半導體失效原因主要分為與材料有關的失效、與工藝有關的失效，以及電學失效。通常與材料和工藝有關的失效發生的較為頻繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有經驗的工藝工程師和失效分析工程師可以通過 射線焊點檢測儀、掃描電子顯微鏡、能量分散譜、于同批產品交叉試驗就可以確定失效與否，從而找到真正的原因。本文基于摩托羅拉汽車電子廠的實踐簡要介紹前兩種失效形式，著重研究電學失效的特點和形式，前兩種失效形式往往需要靠經驗來判斷，而電學失效更需要一定的理論知識給與指導分析。電學失效中，首先介紹芯片失效分析手段、分析程序，以及國內外失效分析實驗室設備情況，在電學失效分析中所面臨的最大挑戰是失效點的定位和物理分析，在摩托羅拉汽車電子廠實踐中發現，對產品質量影響最主要的是接孔（Via）失效，它是汽車整車裝配廠客戶的主要抱怨以及影響產品可靠性導致整車召回的主要原因之一。本文基于接孔失效實際案例中的統計數據，討論了接孔失效的失效分布狀態函數，回歸了威布爾曲線，計算出分布參數m和c：在阿列里烏斯（Arhenius）失效模型的基礎上建立了接孔失效模型，并計算模型參數溫度壽命加速因子，從而估算出受器件影響的產品的壽命。本文目的旨在基于表面貼裝工廠的具體芯片失效統計數據，進行實際工程的失效分析，探索企業建立失效分析以控制產品質量、提高產品可靠性的機制
標簽： 半導體芯片
上傳時間： 2022-06-26
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ASR M08-B設置軟件 V3.2 arduino 2560+ASRM08-B測試程序 arduino UNO+ASRM08-B測試程序語音控制臺燈電路圖及C51源碼(不帶校驗碼) 繼電器模塊設置。 ASR M08-B是一款語音識別模塊。首先對模塊添加一些關鍵字，對著該模塊說出關鍵字，串口會返回三位的數，如果是返回特定的三位數字，還會引起ASR M08-B的相關引腳電平的變化。【測試】①打開“ASR M08-B設置軟件 V3.2.exe”。②選擇“串口號”、“打開串口”、點選“十六進制顯示”。③將USB轉串口模塊連接到語音識別模塊上。接線方法如下：語音模塊TXD --> USB模塊RXD語音模塊RXD --> USB模塊TXD語音模塊GND --> USB模塊GND語音模塊3V3 --> USB模塊3V3（此端為3.3V電源供電端。）④將模塊的開關撥到“A”端，最好再按一次上面的大按鈕（按一次即可，為了確保模塊工作在正確的模式）。⑤對著模塊說“開燈”、“關燈”模塊會返回“0B”、“0A”，表示正常(注意：0B對應返回值010，0B對應返回值010，返回是16進制顯示的嘛，設置的時候是10進制設置的)。
標簽： ASR M08-B
上傳時間： 2022-07-06
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電子元器件失效分析與典型案例系統地介紹了電子元器件失效分析技術及典型分析案例。全書分為基礎篇和案例篇。基礎篇闡述電子元器件失效分析的目的和意義、失效分析程序、失效分析技術以及失效分析主要儀器設備與工具；案例篇按照元器件門類分為九章，即集成電路、微波器件、混合集成電路、分立器件、阻容元件、繼電器和連接器、電真空器件、板極電路和其它器件，共計138個失效分析典型案例，各章節突出介紹了該類器件的失效特點、主要失效模式及相關失效機理，提出了預防和控制使用失效發生的必要措施。本書具有較強的實用性，可供失效分析專業工作者以及元器件和整機研制、生產單位的工程技術人員使用，也可作為高等學校半導體器件專業的教學參考書。
標簽： 電子元器件
上傳時間： 2022-07-24
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本文分析了永磁同步直線電動機的運行機理與運行特性，并通過坐標變換，分別得出了電機在a—b—c，α—β、d—q坐標系下的數學模型。針對永磁同步直線電機模型的非線性與耦合特性，采用了次級磁場定向的矢量控制，并使id=0，不但解決了上述問題，還實現了最大推力電流比控制。為了獲得平穩的推力，采用了SVPWM控制，并對它算法實現進行了研究。 針對速度環采用傳統PID控制難以滿足高性能矢量控制系統，通過對傳統PID控制和模糊控制理論的研究，將兩者相結合，設計出能夠在線自整定的模糊PID控制器。將該控制器代替傳統的PID控制器應用于速度環，以提高系統的動靜態性能。 在以上分析的基礎上，設計了永磁同步直線電機矢量控制系統的軟、硬件。其中電流檢測采用了新穎的電流傳感器芯片IR2175，以解決溫漂問題；速度檢測采用了增量式光柵尺，設計了與DSP的接口電路，通過M/T法實現對電機的測速。最后在Matlab/Simlink下建立了電機及其矢量控制系統的仿真模型，并對分別采用傳統PID速度控制器和模糊PID速度控制器的系統進行仿真，結果表明采用模糊PID控制具有更好的動態響應性能，能有效的抑制暫態和穩態下的推力脈動，對于負載擾動具有較強的魯棒性。
上傳時間： 2013-07-04
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本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網絡參數 1.1 傳統的網絡參數 1.2 散射參數 1.3 雙口網絡參數間轉換 1.4 雙口網絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網絡 1.5.2 π形和T形網絡 1.6 具有公共端口的三口網絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網絡 5.3 四口網絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩定性 6.3 穩定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩定的頻域 6.3.3 一些穩定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯電容的E類 7.5 具有并聯電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網絡 8.4 具有傳輸線的匹配網絡 8.5 有耗匹配網絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間： 2013-04-24
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