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定時關(guān)機(jī)

p-n結的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
開關電源設計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源

開關電源設計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源

標簽： LED 開關電源設計分電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：wenwiang
N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

標簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

標簽： DDR 記憶體電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。

標簽： 輸入電容電流

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
模糊參數自適應自整定的逆變電源系統研究

為了研究既簡單又具有優良動、靜態性能的逆變電源控制方案，介紹一套全新的帶有自適應功能的逆變電源模糊參數自整定系統，并通過MATLAB/SIMULINK仿真實驗驗證了該方法能夠出色滿足各項苛刻性能指標要求，具有十分廣闊的應用前景。

標簽： 模糊參數自適應自整定系統研究

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：完瑪才讓
變壓器差動保護整定-電力工程師須知

差動保護整定范例一：三圈變壓器參數如下表：變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側TA變比nTA 300/5 35KV側TA變比nTA 1000/5 10KV側TA變比nTA 2000/5 TA接線外部變換方式一次接線 10kV側雙分支調壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數Kjx 當為Y接線時為1，當為Δ接線時為區外三相最大短路電流假設為1000A(此值需根據現場情況計算確定) 計算：高壓側二次額定電流中壓側二次額定電流低壓側二次額定電流

標簽： 變壓器差動保護工程師整定

上傳時間： 2013-11-01

上傳用戶：edisonfather
定頻定壓（CVCF）不斷電系統專案報告

定頻定壓（CVCF）不斷電系統專案報告

標簽： CVCF 定頻定壓斷電

上傳時間： 2013-11-16

上傳用戶：fanxiaoqie
光伏并網逆變器的定頻滯環電流控制新方法

提出一種用于光伏發電系統與公用電網并網的逆變器定頻滯環電流控制新方法, 該方法首先基于電網線電壓空間矢量將復平面分為6 個扇區, 在每個扇區內實現兩相開關解耦分別控制相應的線電流; 然后, 在控制相的下一個線電流誤差周期到來時, 計算并調節下一周期的滯環寬度以達到定頻滯環電流跟蹤, 改善輸出電流波形, 提高控制精度。該方法的主要特點是不需要額外的模擬電路便可以實現開關頻率的穩定。利用Matlab 進行建模, 仿真結果證明了該方法對穩定滯環開關頻率是有效的, 同時也表明該方法應用于光伏并網逆變器是可行的。

標簽： 光伏并網逆變器定頻電流控制

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：123312