在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記-幾分鐘搞定一款LED電源
標(biāo)簽： LED 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 分 電源
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：wenwiang
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
為了研究既簡(jiǎn)單又具有優(yōu)良動(dòng)、靜態(tài)性能的逆變電源控制方案，介紹一套全新的帶有自適應(yīng)功能的逆變電源模糊參數(shù)自整定系統(tǒng)，并通過(guò)MATLAB/SIMULINK仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法能夠出色滿足各項(xiàng)苛刻性能指標(biāo)要求，具有十分廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： 模糊 參數(shù)自適應(yīng) 自整定 系統(tǒng)研究
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：完瑪才讓
差動(dòng)保護(hù)整定范例一： 三圈變壓器參數(shù)如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時(shí)為1，當(dāng)為Δ接線時(shí)為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況計(jì)算確定) 計(jì)算： 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流
標(biāo)簽： 變壓器 差動(dòng)保護(hù) 工程師 整定
上傳時(shí)間： 2013-11-01
上傳用戶：edisonfather
定頻定壓（CVCF）不斷電系統(tǒng)專案報(bào)告
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：fanxiaoqie
提出一種用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與公用電網(wǎng)并網(wǎng)的逆變器定頻滯環(huán)電流控制新方法, 該方法首先基于電網(wǎng)線電壓空間矢量將復(fù)平面分為6 個(gè)扇區(qū), 在每個(gè)扇區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)兩相開(kāi)關(guān)解耦分別控制相應(yīng)的線電流; 然后, 在控制相的下一個(gè)線電流誤差周期到來(lái)時(shí), 計(jì)算并調(diào)節(jié)下一周期的滯環(huán)寬度以達(dá)到定頻滯環(huán)電流跟蹤, 改善輸出電流波形, 提高控制精度。該方法的主要特點(diǎn)是不需要額外的模擬電路便可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率的穩(wěn)定。利用Matlab 進(jìn)行建模, 仿真結(jié)果證明了該方法對(duì)穩(wěn)定滯環(huán)開(kāi)關(guān)頻率是有效的, 同時(shí)也表明該方法應(yīng)用于光伏并網(wǎng)逆變器是可行的。
標(biāo)簽： 光伏并網(wǎng) 逆變器 定頻 電流控制
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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