本書可作為大學(xué)電磁兼容 (EMC) 課程的教材，也可作為對(duì)EMC設(shè)計(jì)感興趣的專業(yè)工程人員的參考書，其第 1版出版于 1992年。讀者此前應(yīng)該已經(jīng)學(xué)習(xí)了大學(xué)本科電氣工程專業(yè)的基本課程一電路分析、信號(hào)與系統(tǒng)、電子學(xué)和電磁場(chǎng)。本書構(gòu)筑千這些基本技能、基本概念和基本原理之上，并將它們應(yīng)用于現(xiàn)代電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，以使得這些系統(tǒng)可以與其他電子系統(tǒng)兼容運(yùn)行，同時(shí)也使得它們能符合各項(xiàng)有關(guān)輻射電磁發(fā)射和傳導(dǎo)電磁發(fā)射的政府法規(guī)。實(shí)質(zhì)上， EMC主要解決干擾問(wèn)題， 以及在電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程中防止干擾的產(chǎn)生。 本書全面系統(tǒng)地講述電碰兼容（EMC）的基本原理及其應(yīng)用，包括EMC概論、電子系統(tǒng)的EMC要求、電磁場(chǎng)理論、傳輸線、天線、天件的非理想性能、信號(hào)譜、輻射發(fā)射和敏感度、傳導(dǎo)發(fā)射和傳導(dǎo)敏感度、串?dāng)_、屏蔽、靜電放電、EMC的系統(tǒng)設(shè)計(jì)等內(nèi)容。本書講述深入淺出，配合典型例證，實(shí)用性強(qiáng)。可作為高等院校相關(guān)專業(yè)電磁容課程教材，也可供EMC設(shè)計(jì)開發(fā)人員參考。
標(biāo)簽： 電磁兼容
上傳時(shí)間： 2022-05-24
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華大HC32單片機(jī)額溫槍參考方案（含軟硬件）；文件包僅針對(duì)華大HC32為開發(fā)者提供的快速原型機(jī)參考；根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)采用不同廠商傳感器、運(yùn)放、阻容等進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整！
標(biāo)簽： HC32L136 額溫槍 PCB BOM
上傳時(shí)間： 2022-05-24
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新版本無(wú)人機(jī).刷機(jī)用借助此實(shí)際應(yīng)用程序，管理無(wú)人機(jī)的所有區(qū)域，例如電動(dòng)機(jī)，GPS，傳感器，陀螺儀，接收器，端口和固件INAV-Chrome 的配置器中的新功能：修復(fù)了導(dǎo)致加速度計(jì)校準(zhǔn)失敗的錯(cuò)誤支持DJI FPV系統(tǒng)配置輸出選項(xiàng)卡中的怠速節(jié)氣門和馬達(dá)極現(xiàn)在可以在“混合器”選項(xiàng)卡中選擇“漫遊者”和“船用”平臺(tái)。 固件方面的支持仍然有限！閱讀完整的變更日誌 在過(guò)去的幾年中，無(wú)人駕駛飛機(jī)取得了相當(dāng)大的進(jìn)步，越來(lái)越多的人能夠獲取和使用無(wú)人機(jī)。 不用說(shuō)，無(wú)人機(jī)可以基於特定固件在一組命令上運(yùn)行。 在這方面， 用於Chrome的INAV-Configurator隨附的工具可幫助您輕鬆配置無(wú)人機(jī)的各個(gè)方面。支持多種硬件配置首先要提到的一件事是，要求Google Chrome瀏覽器能夠訪問(wèn)INAV-Chrome的配置器功能。 儘管它已集成到Chrome中，但它可以作為獨(dú)立應(yīng)用程序運(yùn)行，甚至可以脫機(jī)使用，而與瀏覽器無(wú)關(guān)。 您甚至可以從Google Apps菜單為其創(chuàng)建桌面快捷方式。不用說(shuō)，另一個(gè)要求是實(shí)際的飛行裝置。 該應(yīng)用程序支持所有支持INAV的硬件配置，例如Sirius AIR3，SPRacingF3，Vortex，Sparky，DoDo，CC3D / EVO，F(xiàn)lip32 / + / Deluxe，DragonFly32，CJMCU Microquad，Chebuzz F3，STM32F3Discovery，Hermit ，Naze32 Tricopter框架和Skyline32。該窗口非常直觀，並提供各種令人印象深刻的提示和文檔。 在上方的工具欄上，您可以找到連接選項(xiàng)，這些選項(xiàng)可以通過(guò)COM端口，手動(dòng)選擇或無(wú)線模式進(jìn)行。 您也可以選擇自動(dòng)連接。 連接後，您可以在上方的工具欄中查看設(shè)備的功能，並在側(cè)面板中輕鬆瀏覽配置選項(xiàng)。管理傳感器，電機(jī)，端口和固件本。
標(biāo)簽： configurator 無(wú)人機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-09
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超聲波電源廣泛應(yīng)用于超聲波加工、診斷、清洗等領(lǐng)域，其負(fù)載超聲波換能器是一種將超音頻的電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械振動(dòng)的器件。由于超聲換能器是一種容性負(fù)載，因此換能器與發(fā)生器之間需要進(jìn)行阻抗匹配才能工作在最佳狀態(tài)。串聯(lián)匹配能夠有效濾除開關(guān)型電源輸出方波存在的高次諧波成分，因此應(yīng)用較為廣泛。但是環(huán)境溫度或元件老化等原因會(huì)導(dǎo)致?lián)Q能器的諧振頻率發(fā)生漂移，使諧振系統(tǒng)失諧。傳統(tǒng)的解決辦法就是頻率跟蹤，但是頻率跟蹤只能保證系統(tǒng)整體電壓電流同頻同相，由于工作頻率改變了而匹配電感不變，此時(shí)換能器內(nèi)部動(dòng)態(tài)支路工作在非諧振狀態(tài)，導(dǎo)致?lián)Q能器功率損耗和發(fā)熱，致使輸出能量大幅度下降甚至停振，在實(shí)際應(yīng)用中受到限制。所以，在跟蹤諧振點(diǎn)調(diào)節(jié)逆變器開關(guān)頻率的同時(shí)應(yīng)改變匹配電感才能使諧振系統(tǒng)工作在最高效能狀態(tài)。針對(duì)按固定諧振點(diǎn)匹配超聲波換能器電感參數(shù)存在的缺點(diǎn)，本文應(yīng)用耦合振蕩法對(duì)換能器的匹配電感和耦合頻率之間的關(guān)系建立數(shù)學(xué)模型，證實(shí)了匹配電感隨諧振頻率變化的規(guī)律。給出利用這一模型與耦合工作頻率之間的關(guān)系動(dòng)態(tài)選擇換能器匹配電感的方法。經(jīng)過(guò)分析比較，選擇了基于磁通控制原理的可控電抗器作為匹配電感，通過(guò)改變電抗控制度調(diào)節(jié)電抗值。并給出了實(shí)現(xiàn)這一方案的電路原理和控制方法。最后本文以DSPTMS320F2812為核心設(shè)計(jì)出實(shí)現(xiàn)這一原理的超聲波逆變電源。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明基于磁通控制的可控電抗器可以實(shí)現(xiàn)電抗值隨電抗控制度線性無(wú)級(jí)可調(diào)，由于該電抗器輸出正弦波，理論上沒(méi)有諧波污染。具體采用復(fù)合控制策略，穩(wěn)態(tài)時(shí)，換能器工作在DPLL鎖定頻率上；動(dòng)態(tài)時(shí)，逐步修改匹配電抗大小，搜索輸出電流的最大值，再結(jié)合DPLL鎖定該頻率。配合PS-PWM可實(shí)現(xiàn)功率連續(xù)可調(diào)。該超聲波換能系統(tǒng)能夠有效的跟隨最大電流輸出頻率，即使頻率發(fā)生漂移系統(tǒng)仍能保持工作在最佳狀態(tài)，具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
標(biāo)簽： 動(dòng)態(tài)匹配換能器 超聲波電源
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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本文從以下幾個(gè)部分進(jìn)行論述：第一部分：電磁兼容性的概述第二部分：元件選擇和電路設(shè)計(jì)技術(shù)第三部分：印制電路板的布線技術(shù)附錄A：電磁兼容性的術(shù)語(yǔ)附錄B：抗干擾的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)第一部分 電磁干擾和兼容性的概述電磁干擾和兼容性的概述電磁干擾是現(xiàn)代電路工業(yè)面對(duì)的一個(gè)主要問(wèn)題。為了克服干擾，電路設(shè)計(jì)者不得不移走干擾源，或設(shè)法保護(hù)電路不受干擾。其目的都是為了使電路按照預(yù)期的目標(biāo)來(lái)工作-即達(dá)到電磁兼容性。通常，僅僅實(shí)現(xiàn)板級(jí)的電磁兼容性這還不夠。雖然電路是在板級(jí)工作的，但是它會(huì)對(duì)系統(tǒng)的其它部分輻射出噪聲，從而產(chǎn)生系統(tǒng)級(jí)的問(wèn)題。另外，系統(tǒng)級(jí)或是設(shè)備級(jí)的電磁兼容性必須要滿足某種輻射標(biāo)準(zhǔn)，這樣才不會(huì)影響其他設(shè)備或裝置的正常工作。許多發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)電子設(shè)備和儀器有嚴(yán)格的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)；為了適應(yīng)這個(gè)要求，設(shè)計(jì)者必須從板級(jí)設(shè)計(jì)開始就考慮抑制電子干擾。
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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本設(shè)計(jì)針對(duì)目前市場(chǎng)上傳統(tǒng)充電控制器對(duì)蓄電池的充放電控制不合理，同時(shí)保護(hù)也不夠充分，使得蓄電池的壽命縮短這種情況，研究確定了一種基于單片機(jī)的太陽(yáng)能充電控制器的方案。在太陽(yáng)能對(duì)蓄電池的充放電方式、控制器的功能要求和實(shí)際應(yīng)用方面做了一定分析，完成了硬件電路設(shè)計(jì)和軟件編制，實(shí)現(xiàn)了對(duì)蓄電池的高效率管理。設(shè)計(jì)一種太陽(yáng)能LED照明系統(tǒng)充電控制器，既能實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池的最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）又能滿足蓄電池電壓限制條件和浮充特性。構(gòu)建實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，測(cè)試表明，控制器可以根據(jù)蓄電池狀態(tài)準(zhǔn)確地在MPPT、恒壓、浮充算法之間切換，MPPT充電效率較恒壓充電提高約16%，該充電控制器既實(shí)現(xiàn)了太陽(yáng)能的有效利用，又延長(zhǎng)了蓄電池的使用壽命。在總體方案的指導(dǎo)下，本設(shè)計(jì)使用STMSS系列8位微控制器是STM8系列的主流微控制器產(chǎn)品，采用意法半導(dǎo)體的130納米工藝技術(shù)和先進(jìn)的內(nèi)核架構(gòu)，主頻達(dá)到16MHz（105系列），處理能力高達(dá)20MTPS。內(nèi)置EEPROM、阻容（RC）振蕩器以及完整的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)，性價(jià)比高，STMSS指令格式和意法半導(dǎo)體早期的ST7系列基本類似，甚至兼容，內(nèi)嵌單線仿真接口模塊，支持STWM仿真，降低了開發(fā)成本；擁有多種外設(shè)，而且外設(shè)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、配置方式與意法半導(dǎo)體的同樣是Cortex-M3內(nèi)核的32位嵌入式微處理器STM32系列的MCU基本相同或者相似。另外系列芯片功耗低、功能完善、性價(jià)比高，可廣泛應(yīng)用在家用電器、電源控制和管理、電機(jī)控制等領(lǐng)域，是8位機(jī)為控制器控制系統(tǒng)較為理想的升級(jí)替代控制芯片"261，軟件部分依據(jù)PWM（Pulse Wiath Modulation）脈寬調(diào)制控制策略，編制程序使單片機(jī)輸出PMM控制信號(hào)，通過(guò)控制光電耦合器通斷進(jìn)而控制MOSFET管開啟和關(guān)閉，達(dá)到控制蓄電池充放電的目的，同時(shí)按照功能要求實(shí)現(xiàn)了對(duì)蓄電池過(guò)充、過(guò)放保護(hù)和短路保護(hù)。實(shí)驗(yàn)表明，該控制器性能優(yōu)良，可靠性高，可以時(shí)刻監(jiān)視太陽(yáng)能電池板和蓄電池狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)控制蓄電池最優(yōu)充放電，達(dá)到延長(zhǎng)蓄電池的使用壽命。
標(biāo)簽： mppt 太陽(yáng)能充放電控制器
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關(guān)的性能控制， 通過(guò)檢測(cè)直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動(dòng)轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償、轉(zhuǎn)差率補(bǔ)償?shù)取Ｍ瑫r(shí)， 這一檢測(cè)結(jié)果也可以用來(lái)完成對(duì)逆變單元中IGBT 實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)等功能。因此在這種逆變器中， 對(duì)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的要求相對(duì)比較簡(jiǎn)單， 成本也比較低。這種類型的驅(qū)動(dòng)芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250，夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對(duì)TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個(gè)GaAlAs 光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器， 8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路。圖2為TLP250 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖， 表1 給出了其工作時(shí)的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開關(guān)時(shí)間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關(guān)特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時(shí) 應(yīng) 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個(gè) 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來(lái)穩(wěn)定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會(huì)損壞開關(guān)性能， 電容和光耦之間的引線長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應(yīng)用電路。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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目前以IGBT為開關(guān)器件的串聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源在大功率和高頻下的研究是一個(gè)熱點(diǎn)和難點(diǎn)，為彌補(bǔ)采用模擬電路搭建而成的控制系統(tǒng)的不足，對(duì)感應(yīng)加熱電源數(shù)字化控制研究是必然趨勢(shì)。本文以串聯(lián)諧振型感應(yīng)加熱電源為研究對(duì)象，采用T公司的TMS320F2812為控制芯片實(shí)現(xiàn)電源控制系統(tǒng)的數(shù)字化。首先分析了串聯(lián)諾振型感應(yīng)加熱電源的負(fù)載特性和調(diào)功方式，確定了采用相控整流調(diào)功控制方式，接著分析了串聯(lián)諾振逆變器在感性和容性狀態(tài)下的工作過(guò)程確定了系統(tǒng)安全可靠的運(yùn)行狀態(tài)。本文設(shè)計(jì)了電源主電路參數(shù)并在Matlab/Simulink仿真環(huán)境下搭建了整個(gè)系統(tǒng)，仿真分析了串聯(lián)譜振型感應(yīng)加熱電源的半壓?jiǎn)?dòng)模式及鎖相環(huán)頻率跟蹤能力和功率調(diào)節(jié)控制。針對(duì)感應(yīng)加熱電源的數(shù)字控制系統(tǒng)，在討論了晶閘管相控觸發(fā)和鎖相環(huán)的工作原理及研究現(xiàn)狀下詳細(xì)地分析了本課題基于DSP晶閘管相控脈沖數(shù)字觸發(fā)和數(shù)字鎖相環(huán)（DPL）的實(shí)現(xiàn)，得出它們各自的優(yōu)越性，同時(shí)分析了感應(yīng)加熱電源的功率控制策略，得出了采用數(shù)字PI積分分離的控制方法。本文采用T1公司的TMS320F2812作為系統(tǒng)的控制芯片，搭建了控制系統(tǒng)的DSP外圍硬件電路，分析了系統(tǒng)的運(yùn)行過(guò)程并編寫了整個(gè)控制系統(tǒng)的程序。最后對(duì)控制系統(tǒng)進(jìn)行了試驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析的正確性和控制方案的可行性。
標(biāo)簽： igbt 串聯(lián)諧振 電源
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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《射頻通信電路設(shè)計(jì)》學(xué)習(xí)筆記（一）1.1射頻概念1864-1873年，英國(guó)物理學(xué)家麥克斯書通過(guò)電磁學(xué)的研究，提出了著名的Maxwell方程組，并在理論上預(yù)言了電磁波的存在。1887-1891年，德國(guó)物理學(xué)家赫茲通過(guò)電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)首次證實(shí)了電磁波的存在901年，馬可尼利用電磁波實(shí)現(xiàn)了橫跨大西洋的無(wú)線通f1.2射頻通信電路應(yīng)用簡(jiǎn)介在電子通信系統(tǒng)中，只有使用更高的載波頻率，才能獲得更大的帶寬。按照10%的帶寬計(jì)算，有線電視系統(tǒng)中使用100MHz的載波可以獲得10MHz的帶寬1.3射頻電路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)1.3.1分布參數(shù)集總參數(shù)元件：指一個(gè)獨(dú)立的局域性元件，能夠在一定的頻率范圍內(nèi)提供特定的電路性能。在低頻電路設(shè)計(jì)中，可以把元件看作集總參數(shù)元件，認(rèn)為元件的特性僅由二傳手自身決定，元件的電磁場(chǎng)部集中在元件內(nèi)部。如電容、電阻、電感等；一個(gè)電容的容抗是由電容自身的特性決定不會(huì)受周圍元件的影響，如果把其他元件靠近這個(gè)電容器，其容抗不會(huì)隨之產(chǎn)業(yè)化。分布參數(shù)元件：指一個(gè)元件的特性延伸擴(kuò)展到一定的空間范圍內(nèi)，不再局限于元件自身。由于分布參數(shù)元件的電磁場(chǎng)分布在附近空間中，其特性要受周圍環(huán)境的影響。同一個(gè)元件，在低頻電路設(shè)計(jì)中可以看作是集總參數(shù)元件，但是在射頻電路設(shè)計(jì)中可能需要作為分布參數(shù)元件進(jìn)行處理。例如，一定長(zhǎng)度的一段傳輸線，在低頻電路中可以看作集總參數(shù)元件；在射頻電路中，就必須看作分布參數(shù)元件。分布電容（Cp）：指在元件自身封裝、元件之間、元件到接地平面和線路板布線間形成非期t電容。分布電容與元件瞇并聯(lián)關(guān)系。分布電感（LD）：指元件引腳、連線、線路板布線等形成的非期望電感。分布電感通常與元件為串聯(lián)關(guān)系。
標(biāo)簽： 射頻通信 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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這是STM32F1開發(fā)指南(精英版)-寄存器版本開發(fā)手冊(cè)，主要用于正點(diǎn)原子的精英開發(fā)板的學(xué)習(xí)和研究。 本手冊(cè)將結(jié)合《STM32 參考手冊(cè)》和《Cortex-M3 權(quán)威指南》兩者的優(yōu)點(diǎn)，并從寄存器級(jí) 別出發(fā)，深入淺出，向讀者展示 STM32 的各種功能。總共配有 38 個(gè)實(shí)例，基本上每個(gè)實(shí)例在 均配有軟硬件設(shè)計(jì)，在介紹完軟硬件之后，馬上附上實(shí)例代碼，并帶有詳細(xì)注釋及說(shuō)明，讓讀者快速理解代碼。STM32 擁有非常多的寄存器，其中斷管理更是復(fù)雜，對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，看ST 提供的庫(kù)函數(shù) 雖然可以很好的使用，但是沒(méi)法深入理解，一旦出錯(cuò)，查問(wèn)題就非常痛苦了。另外，庫(kù)函數(shù)在效率和代碼量上面都是不如直接操作寄存器的。 這些實(shí)例涵蓋了 STM32 的絕大部分內(nèi)部資源，并且提供很多實(shí)用級(jí)別的程序，如：內(nèi)存 管理、文件系統(tǒng)讀寫、圖片解碼、IAP 等。所有實(shí)例在 MDK5.10 編譯器下編譯通過(guò)，大家只需 下載程序到 ALIENTEK MiniSTM32 開發(fā)板，即可驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。 不管你是一個(gè) STM32 初學(xué)者，還是一個(gè)老手，本手冊(cè)都非常適合。尤其對(duì)于初學(xué)者，本 手冊(cè)將手把手的教你如何使用 MDK，包括新建工程、編譯、仿真、下載調(diào)試等一系列步驟， 讓你輕松上手。本手冊(cè)不適用于想通過(guò)庫(kù)函數(shù)學(xué)習(xí) STM32 的讀者，因?yàn)楸臼謨?cè)的絕大部分內(nèi) 容都是直接操作 STM32 寄存器的。 本手冊(cè)的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 開發(fā)板，有這款開發(fā)板的朋友則直接可 以拿本手冊(cè)配套的光盤上的例程在開發(fā)板上運(yùn)行、驗(yàn)證。而沒(méi)有這款開發(fā)板而又想要的朋友， 可以上淘寶購(gòu)買。當(dāng)然你如果有了一款自己的開發(fā)板，而又不想再買，也是可以的，只要你的 板子上有 ALIENTEK MiniSTM32 V3.0 開發(fā)板上的相同資源（需要實(shí)驗(yàn)用到的），代碼一般都 是可以通用的，你需要做的就只是把底層的驅(qū)動(dòng)函數(shù)（一般是 IO 操作）稍做修改，使之適合 你的開發(fā)板即可
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：1208020161
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