在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的
性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，
如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結
果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因
此在這種逆變器中， 對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單， 成本
也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，
夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。
TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8
腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2
為TLP250 的內部結構簡圖， 表1 給出了其工作時的真值表。
TLP250 的典型特征如下：
1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；
2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；
3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；
4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；
5） 開關時間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；
6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。
表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。
注： 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來
穩定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會損壞開
關性能， 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。
圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。
資源簡介：在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中igbt 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中， ...
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