本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動，擁有解決工程問題的最佳利器,11-20章
標(biāo)簽： 分
上傳時間： 2014-11-27
上傳用戶：chenbhdt
本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動，擁有解決工程問題的最佳利器,21-29章
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：fxf126@126.com
安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務(wù)的問題解決
標(biāo)簽： winxp sp3
上傳時間： 2016-11-21
上傳用戶：siguazgb
本文件雖已力求正確，然而無法保證所有操作／設(shè)定範(fàn)例， 都可以順利的在您的系統(tǒng)上面進(jìn)行。 如果您依 照本文件的說明而使您的系統(tǒng)發(fā)生任何問題或損失， 作者都將不負(fù)任何責(zé)任。 希望由於本文的出現(xiàn)，能大量減少在網(wǎng)路上一再重複出現(xiàn)的問題："為 什麼我不能輸入/看到中文?"，"為什 麼我 xxxx 裝不起來?" 等等。 雖然我也了解這是不太可能的...
標(biāo)簽： 正
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：wang5829
I2C slave可以作動，請使用 如果有問題請再讓我知道,Thank you
標(biāo)簽： slave I2C
上傳時間： 2016-12-19
上傳用戶：zm7516678
二元搜尋樹簡單易懂，不過有一個問題：它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹，討論它的資料結(jié)構(gòu)、函式，並設(shè)計程式使用它。
標(biāo)簽： 二元
上傳時間： 2017-05-30
上傳用戶：yzy6007
vbsql學(xué)習(xí)源碼，適合一般初學(xué)者，如有問題，麻煩請指教一下
標(biāo)簽： vbsql
上傳時間： 2017-07-04
上傳用戶：himbly
這是個prolog程式，能解決4x4的數(shù)獨(dú)問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]
標(biāo)簽： prolog 程式
上傳時間： 2017-07-21
上傳用戶：rocwangdp
1 C 語語語言言言 簡簡簡介介介 5 1.1 C 語言 歷史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2 程 式 語言 分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 1.3 程 式 撰 寫步 驟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2 vi 編編編 輯輯輯 器器器 9 2.1 vi 與 vim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.2 vi 的使用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.3 vim 的額外功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 2.4 vi 實 機(jī)練習(xí) 題 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 3 程程程 式式式開開開發(fā)發(fā)發(fā)環(huán)環(huán)環(huán) 境境境 23 3.1 編譯器 gcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 3.2 撰 寫第一 支程 式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
標(biāo)簽： C程式語 pdf
上傳時間： 2015-03-16
上傳用戶：十字騎士
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
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