執(zhí)行步驟1: 執(zhí)行EX1126程式進(jìn)入學(xué)生考試系統(tǒng) 權(quán)限描述: 使用者查詢:於”姓名”中輸入”Arno”,於”學(xué)號(hào)”中輸入”good”,再按下”使用者查詢” 即可查詢. 修改使用者:於”姓名”中輸入”GUEST”,於”學(xué)號(hào)”中輸入”0000”,再按下” 修改使用者即可修改: 功能描述: 使用者開始考試,於”姓名”中輸入自己的姓名,於”學(xué)號(hào)”中輸入學(xué)號(hào),再按下” 考試去”即可: 開始考試,同時(shí)系統(tǒng)紀(jì)錄考生狀態(tài)為”1”. 使用者考試,完成後按下”結(jié)算成績(jī)”,同時(shí)系統(tǒng)顯示紀(jì)錄考生該科分?jǐn)?shù),同時(shí)清除考生登入狀態(tài),使其無法重覆考試,老師並可查詢考生成績(jī).
上傳時(shí)間： 2016-07-31
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可實(shí)現(xiàn)MIMO-OFDM系統(tǒng)的adaptive_blind功能，並進(jìn)行了詳細(xì)的測(cè)試
標(biāo)簽： adaptive_blind MIMO-OFDM 系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：225588
FreeRTOS 的實(shí)現(xiàn)詳解，包括TCB實(shí)現(xiàn)，調(diào)度原理，以及task通訊物件介紹。
標(biāo)簽： FreeRTOS
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶：gaojiao1999
protel99se 經(jīng)典實(shí)例protel99se 經(jīng)典實(shí)例
上傳時(shí)間： 2013-06-21
上傳用戶：咔樂塢
FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能，臺(tái)灣人寫的，關(guān)于FPGA應(yīng)用的技術(shù)文章
標(biāo)簽： FPGA 嵌入式 系統(tǒng) 性能
上傳時(shí)間： 2013-08-20
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凌力爾特公司的 LT®5575 直接轉(zhuǎn)換解調(diào)器實(shí)現(xiàn)了超卓線性度和噪聲性能的完美結(jié)合。
標(biāo)簽： 高線性度 元件 直接轉(zhuǎn)換 接收器
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)?、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時(shí)間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
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