利用v自步離散法，得到變換器輸入控制變量與狀態變量之間的直接映射關系，基于混雜系統理論分析系統的動態方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基礎上，結合非線性預測控制算法，通過模型預測系統的輸出，利用反饋校正誤差，給出二次型性能指標的優化計算方法，并由此設計預測控制器。最后，以Buck功率變換器為研究對象，通過與峰值電流控制算法的仿真結果進行比較，驗證模型的正確性以及控制器設計的有效性。
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：teddysha
為了提高Forward變換器非線性系統的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開關函數和開關周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統模型。從理論上證明了該模型滿足系統精確線性化的條件。對非線性坐標變換后得到的線性系統，利用二次型最優控制策略推導出非線性狀態反饋控制律。實驗結果表明，系統具有良好的靜態和動態性能，驗證了該控制方法的有效性和正確性。
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：xywhw1
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
本發明的LED 光源包含矩形的LED 芯片和內藏該芯片的透明樹脂封裝體。樹脂封裝體具有用于將LED 芯片發出的光射出到封裝體的外部的鏡界面。
上傳時間： 2013-12-14
上傳用戶：kernor
吉時利強大的開關系統使得為任何應用配置最優化的解決方案變得簡單，可以提供標準的或者定制化的解決方案。無論應用需要開關矩陣或者多路復用器，或者設計常規的DC、RF、微波、光電或者數字I/O信號等，吉時利都為您提供高性能、低成本的各種解決方案。
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：范縝東苑
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
半導體激光器是一種高功率密度并具有極高量子效率的器件，微小的電流變化將導致光功率輸出的極大變化和器件參數（如激射波長、噪聲性能、模式跳動）的變化，這些變化直接影響器件的安全工作和應用要求。 本公司設計和生產的半導體激光電源LDD-AAVV-T是連續可調恒流電源，采用了目前國際先進的半導體激光電源方案，選用優質元器件生產。具有輸出噪聲小、恒流特性好、電流穩定、抗干擾能力強等優點，并具有防過沖、反沖和反浪涌的穩壓、恒流雙重保護電路，保證激光器的穩定工作和使用壽命。LDD-AAVV型半導體激光電源采用單片機管理和控制，是一種智能化高精度恒流型開關電源，可作為半導體激光打標機的配套電源。針對激光打標設備的特點，電源還可管理水泵、指示光、振鏡和Q開關幾部分的開關。電源有LCD液晶顯示，能提供電源工作的各個參數及其工作狀態的顯示，具備過壓、過流、水溫和水壓報警功能，實為半導體激光器的理想電源。本電源還可以作為其它高精度恒流源，供設備使用。
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：lifangyuan12
文中設計了一種基于MC9S12單片機的智能車數據遠程傳輸系統。該系統以Nordic公司生產的2.4GHz頻段射頻芯片NRF24L01作為數據無線收發芯片，以Freescale單片機MC9S12為控制單元，采用交互式"主從"結構，實現了運動狀態下模型車的相關參數和運動軌跡的遠程傳輸和控制。實際運行結果表明，所設計的模型車數據傳輸準確率高、行駛速度快、易于控制。
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：xmsmh
是一款ID卡讀寫程 序
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：kang1923
